《半导体分立器件3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管详细规范_SJT11850-2022.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《半导体分立器件3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管详细规范_SJT11850-2022.docx（22页珍藏版）》请在课桌文档上搜索。
1、ICS31.080.30CCSL42中华人民共和国电子行业标准SJ/T118502022半导体分立器件3DK2219A3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管详细规范Semiconductordiscretedevices2022To-20 发布DetailspecificationforsiliconNPNlowpowerswitchingtransistorof3DK2219A,3DK2222Aand3DK2222AUB2023-01-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布-2-A刖三本文件按照GBZT1.1-2020标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草
2、规则的规定起草。本文件起草单位:、中国电子技术标准化研究院、北京微电子技术本文件主要起草人:请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的贡任。本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SACfTC78)提出并归口。研究所。宋凤领、赵听、高盼红、朱伟娜。半导体分立器件3DK2219Av3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管详细规范1范围本文件规定了 3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管（以下简称器件）的详细要求。2规范性引用文件器件机3术语彳4要求屏范性引用而构成本文件， 于本文件；不注日期的引用文件，
3、其最新4.2设计、结构和外形尺寸下列文件中的用 仅该日期对应文件。GBZT GB/T GB/T GB GB/1：试验方法其中,注日期的引用文件, 泊的修改单）适用于本458Tn20064r-Z)95112018GBt 937. -20181GB/T112018GB E ll 987GB10+1999亮修分立器件夕本文件的术语和定义。4.1总则器件应符合本文件的所有 质量评定类别符合GB/1极型晶体邕分：分立器佛”电路4 试验方法气候试验方法森分：气候试验方法：i： 验方法T,一隼I线牢固度） 15部分：米型第串件的耐焊接热 部分：，磐I为规定。质量评定类别为II类。4.2.1器件设计、结构芯片
4、采用硅外延平面结构，封装采用金属气密式封装。4. 2.2外形尺寸3DK2219A外形符合GB/T7581-1987中A3-02B型的规定。外形图见图1,外形尺寸见表11.发射极，2.基极，3.集电极图1 3DK2219A外形图表13DK2219A外形尺寸单位为亳米符号尺寸数值最小标称最大A6.106.58a5.08b1.01bi0.4070.508D8.649.65Dl8.018.50J0.7120.7870.863K0.641.ML12.50一25.00Ia一1.273DK2222A外形符合GB/T75811987中A3OlB型的规定。外形图见图2,外形尺寸见表2。.巨咆X单位为亳米3DK2
5、222AU1.1.基极，2.发射极，3.集电极，4.与盅板相连1.发射极，2.基极，3.集电极j*IHrW*J*,rlo.J50x(m)外形尺寸见表3。图33DK2222AUB外形图表33DK2222AUB外形尺寸单位为毫米符号尺寸数值最小标称最大D2.92一3.25E2.162.74A1.171.42L0.560.96Li0.43一0.89e1.812.01b0.410.614.3最大额定值和电特性4.3.1最大额定值最大额定值见表4。除非另有规定，A=25oC.表4最大额定值参数符号数值单位戢小值最大值工作环境温度Tt-55125贮存温度Tltg-65200最大集电极-基极直流电压Fcbo
6、一75V最大集电极-发射极直流电压Fceo50V最大发射极基极直流电压Febo6V最大集电极直流电流Icm800mA最大总耗散功率%500(3DK2222A、3DK2222AUB)800(3DK2219A)mW最高结温Tjm200oC结-环境热阻(j)325(3DK2222A、3DK2222AUB)195(3DK2219A)0CZW4.3.2电特性电特性见表5。除非另有规定，n=25oC表5电特性名称符号条件单位数值坡小值最大值正向电流传输比AfeiFce=IOV,fc=0.1mA50一正向电流传输比fbFcb=IOV,Ic=ImA75325正向电流传输比fiFce=IOVfc=10mA100
7、正向电流传输比zfe=50mA,fc=500mAV一1基极-发射极饱和电压E(Mt)=15mA,fc=150mAV1.2基极发射极饱和电压E(sst):=50mAfc=500mAV2集电极基极截止电流Icoai=0,Fcb=75VA一10名称符号条件单位数值最小值最大值集电极-基极截止电流fcJ=0.%B=60VA0.Ol集电极-发射极电流IcesFce=50VA0.01(3DK2219A)0.05(3DK2222A、3DK2222AUB)发射极-基极截止电流IEBolfc=0,PEB=6VA10发射极-基极截止电流IEHOifc=0,eb=4VA0.01高温下的集电极-基极截止电流CBO32
8、廿一K舞卷Af、A10正向电流传输比,1,fe6AWvJSofe/:、&7小信号共发射极短路巧财碌传瑜比幅值Q户100MHz导通时间/S./onb=15mA.A：=150m35关断时间/圣/Ioff=15mA,A=I50mAns)300共基极输出螭4/里昂津V,=0涵箍稣1MHZ.78共基极输史/FIP再3c=o.O25C5C（见GWV4589.12006的4.D检验要求LTPD极限值单位最小值最大位C9分组高温贮存（D）最后测试GB/T49371995m,2X200C,/=100Oh同B8分组最后测试J5CRRL分组提供C2a、C2b、C3、C4、C6、C7和C9的记数检查结果及C8前后的测
9、试数据.注1:标明（D）的试验是破坏性的（见GB/T4589.12006的3.6.6）.注2：CRRL为放行批证明记录.表9D组（仅供鉴定）检验或试骐符号引用标准条件除非另有规定，T=25C5C（见GB/T4589.1-2006的4.D检验要求UPD极限值单位最小值最大值DI分组温度循环（D）密封a.细检漏b粗检漏最后测试GB/T49371995山、1.1GBZF2423.23-2013GB2423.232013-65匕200匕；500次试验Qk,方法1试验Qc,方法3同B5分组最后测试10D2分组/c额定值的验证（D）见附录A一一50注：标明（D）的试验是破坏性的（见GB/T4589.120
10、06的3.6.6）.6交货准备6.1包装包装盒上的标志包括： 产品型号； 制造厂商标； 制造厂联系方式；其他。 .2订货资料订货单上应有下列内容：产品型号，3DK2219A、3DDK2222A、3DK2222AUB；质量评定类别标志U,即3DK2219Alk3DDK2222AII、3DK2222AUBII；SJ/T118502022.7附加资料特性曲线见附录D。附录A（规范性）集电极电流的验证A.1目的在规定条件下，验证器件的集电极电流能力，即承受不小于最大额定值:的能力A.3电保护电品和A.4测试A.2电路图集电极电流测试电路见图在环境 达到热平衡后 的规定，确认:下，基极电流调至80mA,
11、加大电源电压（Kr），按照表6中A2b、A3分组规定的Hs、Km流达到800 mA.两个参数满足表6附录B（规范性）电耐久性试验方法8. 1目的在规定条件下，进行电耐久性试验。8.2 电路图试验电路图见图B.1。图B.1电耐久性试验电路图8.3 电路说明义和岛是电路保护电阻。%B和%C是直流电源。8.4 试验程序测量器件的热阻，根据实测热阻值，调节环境温度或器件的功率使器件结温达到175P25oC,功率至少为75%的额定功率。调节环境温度至少为20P,将器件安装在夹具中，安装点离引线根部至少IOmm,调节电源电压使器件F为】0V,功率达到规定要求。试验达到规定时间后，将器件从规定的试验条件下移
12、走，并在96h内完成终点测量。附录C（规范性）表面贴装产品的引出端强度试验方法C.1目的用于检查表面贴装器件焊盘承受一定时间的剥落应力作用的能力。C.2试验程序高视为失效,线断裂视为过键合平面垂直。在焊接过程中或m呈失效,应至少从三个器件的所有 理及试验要求如下：a）把直径近似 个被试验 焊接的音 不受b）在去除拉；合在整个焊盘的长，个焊盘非冲击划抽样方案选取试验焊盘。器件预处芯铜线，用铅锡焊料焊到每 :在管壳边缘。导线未被 寸，应保证焊盘金属化为失效。导次进行焊增、缱佥,至少保持30so 何剥层现象均视 程失效的器件再附录D（资料性）特性曲线D.1月必一7；特性曲线0255075100125150175200L(C)SD.23DK2222Av3DK2222AUB的PtOt-Ta曲线D.2结一环境最大热阻曲线3DK2219A的结一环境最大热阻曲线见图D.3,3DK2222A、3DK2222AUB的结一环境最大热阻曲线见图D.4。=2525aitD.30.1100Kr15(V)图D5安全工作区曲线
