IGBT 的工作原理和工作特性.docx

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1、IGBT的工作原理和工作特性IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP槁体管供应基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压消退沟道,流过反向基极电流,使IGBT关断,IGBT的骚动方法和MoSFET基本相同,只需限制输入极N一沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。当MoSFET的沟道形成后,从P+基极注入到N一层的空穴(少子),对N一层进行电导调制,减小N一层的电阻,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压。IGBT的工作特性包括静态和动态两类:1 .静态特性IGBT的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变我时,漏极电流与

2、栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压UgS的控制,Ugs越高,Id越大。它与GTR的输出特性相像.也可分为饱和区1、放大区2和击穿特性3部分。在截止状态下的IGBT,正向电压由J2结担当,反向电压由Jl结担当。假如无N+缓冲区,则正反向阻断电压可以做到同样水平,加入N+慑冲区后,反向关断电压只能达到儿十伏水平,因此限制IGBT的某些应用范围。IGBT的转移特性是指输出漏极电流Id与栅源电压Ugs之间的关系曲线C它与MOSFET的转移特性相同,当栅源电压小于开启电压Ugs(th)时,IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分漏极电流棺用内,Id与Ugs呈线性关系C最高栅源电压受最

3、大漏极电流限制,其最佳值一般取为15V左右。IGBT的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系.IGBT处于导通态时,由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管,所以其B值极低。尽管等效电路为达林顿结构,但流过MOSFET的电流成为IGBT总电流的主要部分。此时,通态电压Uds(on)可用下式表示Uds(on)=Ujl+Udr+IdRoh(2-14)式中UjlJI结的正向电压,其值为0.7IV;Udr扩展电阻Rdr上的压降;Roh沟道电阻。通态电流Ids可用下式表示:Ids=(1+Bpnp)Imos(215)式中ImoS流过MOSFET的电流。由于N+区存在电导调制效应,所以IGBT的通态压降小,耐压

4、100OV的IGBT通态压降为23V。IGBT处于断态时,只有很小的泄漏电流存在。2 .动态特性IGBT在开通过程中,大部分时间是作为MOSFET来运行的,只是在漏源电压UdsF降过程后期,PNP晶体管由放大区至饱和,又增加了一段延迟时间。td(on)为开通延迟时间,tri为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton即为td(on)tri之和.漏源电压的下降时间由del和tfe2组成,如图2-58所示图2-58开通时IGBT的电流、电压波形IGBT在关断过程中,漏极电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后,PNP晶体管的存储电荷堆以快速消退,造成漏极电流较长的尾部时间,td(of

5、f)为关断延迟时间,trv为电压Uds(f)的上升时间。实际应用中经常给出的漏极电流的下降时间Tf由图2-59中的t(fl)和t(f2)两段组成,而漏极电流的关断时间t(off)=td(off)+trv十t(f)(2-16)式中,td(off)与trv之和又称为存储时间。(1.usMOSEET电it)GTR电旗图2-59关断时IGBT的电流、电压波形IGBT的驱动与受护技术1.IGBT的驱动条件驱动条件与IGBT的特性亲密相关。设计棚极骐动电路时,应特殊留意开通特性、负载短路实力和dUdsZdt引起的误触发等问题。正偏置电压Uge增加,通态电压卜降,开通能耗Eon也卜降,分别如图2-62a和b

6、所示。由图中还可看出,若十Uge固定不变时,导通电压将随漏极电流增大而增高,开通损耗将随结温上升而上升。gc;:2-62正归电乐“taw,与Ue”良的关系Uc3*与(rv的美廉b)-3与电保笊帚电施关系b)-Us与关厮抵疑后”的美新由匕述不难得知:IGBT的特性随门板共动条件的变更而变更,就象双极型晶体管的开关特性和平安工作区随基极驱动而变更一样。但是IGBT全部特性不能同时最佳化。双极型晶体管的开关特性随基极驱动条件(Ibl,Ib2)而变更。然而,对于IGBT来说,正如图2-63和图2-64所示,门极驱动条件仅对其关断特性略有影响。因此,我们应将更多的留意力放在IGBT的开通、短路负载容量上

7、。对驱动电路的要求可归纳如下:1 )IGBT与MOSFET都是电压驱动,都具有一个2.55V的阈值电压,有一个容性输入阻抗,因此IGBT对栅极电荷特别敏感故强动电路必需很牢靠,要保证有一条低阻抗值的放电I可路,即驱动电路与IGBT的连线要尽成短。2 )用内阻小的驱动源对栅极电容充放电,以保证栅极限制电压Uge,有足够陡的前后沿,使IGBT的开关损耗尽量小。另外,IGBT开通后,椭极共动源应能供应足够的功率,使IGBT不退出饱和而损坏。3 )飘动电路要能传递几十kHz的脉冲信号。4 )驱动电平十Uge也必需综合考虑。+Uge增大时,IGBT通态压降和开通损耗均产降,但负载短路时的Ic增大,IGB

8、T能承受短路电流的时间减小,对其平安不利,因此在有短路过程的设备中UgC应选得小些,一般选1215Vo5 )在关断过程中,为尽快抽取PNP管的存储电荷,须施加一负偏压Uge,但它受IGBT的G、E间最大反向耐压限制,-般取-IvIOV。6 )在大电感负我下,IGBT的开关时间不能太短,以限制出di/dt形成的尖峰电压,确保IGBT的平安。7 )由于IGBT在电力电子设备中多用于高压场合,故驱动电路与限制电路在电位上应严格隔离。8 )IGBT的栅极曲动电路应尽可能简洁好用,最好自身带存对IGBT的爱护功能,有较强的抗干扰实力。拿住效应在分析擎住效应之前,我们先回顾一下IGBT的工作原理(这里假定

9、不发生擎住效应)。1 .当UCeVo时,J3反偏,类似反偏二极管,IGBT反向阻断;2 .当Uce0时,在UcUth状况下,栅极的沟道形成,N+区的电子通过沟道进入N漂移区,漂移到J3结,此时J3结是正偏,也向N一区注入空穴,从而在N一区产生电导调制,使IGBT正向导通。3 .IGBT的关断。在IGBT处于导通状态时,当栅极电压减至为零,此时Ug=0Idm时便会产生擎住效应。在IGBT关断的动态过程中,假如dUds/dt过高,那么在J2结中引起的位移电流Cj2(dUds/dt)会越大,当该电流流过体区扩展电阻Rbr时,也可产生足以使晶体管V2开通的正向偏置电压,满意寄生晶体管开通学住的条件,形

10、成动态擎住效应。运用中必需防止IGBT发生攀住效应,为此可限制Idm值,或者用加大栅极电阻Rg的方法延长IGBT关断时间,以削减dUdsdt值。值得指出的是,动态擎居处允许的漏极电流比静态擎居处允许的要小,放生产厂家所规定的)Id值是按动态攀居处允许的最大漏极电流来确定的。平安工作区(so)反映r一个晶体管同时承受肯定电压和电流的实力。IGBT开通时的正向偏置平安工作区(FBSOA),由电流、电压和功耗三条边界极限包围而成。最大漏极电流Idm是依据避开动态攀住而设定的,最大漏源电压Udsm是由IGBT中晶体管V3的击穿电压所确定,最大功耗则是由最高允许结温所确定。导通时间越长,发热越严竣,平安工作区则越窄,如图2-610所示。用2-6lIGBT的安全工作区)1GBT的正向值量b)IGBT的反向偏量IGBT的反向偏置平安工作区(RBSOA)如图2-61b所示,它随IGBT关断时的dUds/dt而变更,CiUds/dt越高,RBSOA越窄。

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