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1、电力电子技术1-3章知识主线1、 电力电子技术就是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术2、 电力电子器件的制造技龙是电力电子技术的基础。3、 变血坯则是电力电子技术的核心4、 电力变换分为整流、逆变、直流变直流、交流变交流四种电路5、 开关器件的三种类型不可控型、半控型、全控型。其中、第一种的代表型器件是电力二极管（PowerDiode）,第二种的代表型器件是晶闸管（Thyristor）、第三种的代表型器件是IGBT和POWerMOSFET。6、 在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要有通态损耗、断态损耗、开关损耗，通态损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因。而当器件开关频率较高时，功率损
2、耗主要为开关损耗。7、 二极管的基本原理一一PN结的单向导电性8、 在如下器件：电力二极管（PowerDiode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GT0）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是电力二极管,属于半控型器件的是遍画萱，属于全控型器件的是GTO,GTR,电力,MOSFETJGBT；属于单极型电力电子器件的打电力MoSFET,属于双极型器件的打电力二极管、晶闸管、GToGTR,属于复合型电力电子器件得有IGBT；在可控的器件中，容量最大的是晶闸管,工作频率最高的是电力MOSFET,属于电压驱动的是电力MOSF
3、ET、IGBT,属于电流驱动的是晶闸管、GTo、GTRo9、 人们利用PN结的反向特性研制成了稳压二极管。10、 1956年美国贝尔实验室（BeHLaboratOrieS）发明了晶闸管,1957年美国通用电气公司（GeneraIEIeCtriC）开发出了世界上第一只晶闸管产品,并于1958年使其商业化。其承受的电压和电流容量仍然是目前电力电子器件中最高，而且工作可靠，因此在太容量的应用场合仍然具有比较重要的地位。11、晶闸管有阳极A、阴极K和门极（控制端）G三个联接端。内部是PNPN四层半导体结构。12、晶闸管导通的工作原理可以用双晶体管（三极管）模型来解释，则晶闸管可以看作由PNP和NPN型
4、构成的Vi、V2的组合。如果外电路向门极G注入电流IG（驱动电流），则IG注入晶体管V2的基板，即产生集电极电流C2,它构成晶体管Vl的基极电流,放大成集电极电流必，又进一步增大V?的基极电流,如此形成强烈的正反馈,最后5和V）进入完全饱和状态,即晶闸管导通。13、如果注入触发电流使两个晶体管的发射极电流增大以致趋近于1的话,流过晶闸管的电流及（阳极电流）将趋近于无穷大,从而实现器件饱和导通。14、晶闸管导通的条件：晶闸管阳极电路（阳极与阴极之间）施加正向电压。晶闸管控制电路（控制极与阴极之间）加正向电压或正向脉冲（正向触发电压）。晶闸管导通后,控制极便失去作用。依靠正反馈,晶闸管仍可维持导通
5、状态。15、晶闸管关断的条件：必须使可控硅阳极电流减小,直到正反馈效应不能维持。1凶H（If：导通电流，Ih：维持电流），或者是将阳极电源断开或者在晶闸管的阳极和阴极间加反相电压。（阳阴间电压为零或者反向）16、晶闸管的触发导通方式有门极触发、阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应、阳极电压上升率du/dt过高、结温较高、光触发,光触发由于可以保证控制电路与主18、如右图所示双向晶闸管（TriOdeACSWitChTRIAC或Bidirectionaltriodethyristor)的-0a）电气图形符号b）伏安特性可以认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成。双向晶闸管通常用在交通电路中，因此
6、不用平均值而用有效值来表示其额定电流值。19、逆导晶闸管(ReverseConductingThyristorRCT)是将晶闸管反现一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件，不具有承受反向电压的能力,一旦承受反向电压即开通。20、光控晶闸管(LightTriggeredThyriStorLTT)是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管。由于采用出蜷保证了主电路与控制电路之间的绝缘，而且可以避免电磁干扰的影响，因此光控晶闸管目前在高压大功率的场合。21、门极可关断晶闸管（GTO）是晶闸管的一种派生器件,但可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断,因而属于全控型器件。是PNPN四层半导体结构,是一种
7、多元的功率集成器件，虽然外部同样引出各极，但内部则包含数十个甚至数百个共阻板的小GTO单元，这些GTO元的阴极和门极则在器件内部天联在一起。22、Vi、V2的共基极电流增益分别是3、2a)b)约垃旦是器件临界导通的条件，大于1导通,小于1则关断。GTo与普通晶闸管的不同设计z较大，使晶体管V2控制灵敏,易于GTo为断。导通时更接近1，导通时接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大。多元集成结构，使得峰基区横向电阻很小,能从门极抽出较大电流。23、GTO的导通过程与普通晶闸管是一样的，只不过导通时饱和程度较浅。而关断时，给门极加负脉冲，即从门极抽出电流,当两个晶体管发射极电流和人的减小
8、使佻+他?时，器件退出饱和而关断。24、GTO的多元集成结构使得其比普通晶闸管开通过程更快，承受业此的能力增强。25、电力晶体管(GiantTranSiStOrGTR)按英文直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管(BiPoIarJUnCtionTranSiStOrBJT),采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构,并采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成。GTR是由三层半导体(分别引出集电极、基极和发射极)形成的两个PN结(集电结和发射结)构成，多采用NPN结构。26、电力场效应晶体管分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型(MetalOxideSemico
9、nductorFET),简称电力MOSFET(PoWerMOSFET)。电力MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流的。按导电沟道可分为P沟道和N沟道。当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型。对于N(P)沟道器件，栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为增强型。在电力MOSFET中，主要是N沟道增强型。27、绝缘栅双极晶体管(Insulated-gateBipolarTransistorIGBT或IGT)综合了GTR和MOSFET的优点、是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E。简化等效电路表明，IGBT是用GTR与MoSFET组成的达林顿结构,相当于一个由MOSFET驱动的
10、厚基区PNP晶体管。28、IGBT开通和关断是由栅极和发射极间的电压UGE决定的。当UGE为正且大于开启电压UGE神时，MOSFET内形成沟道，并为晶体管提供基极电流进而使IGBT导通。当栅极与发射极间施加反向电压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，使得IGBT关断。29、整流电路(ReCtifier)是电力电子电路中出现最早的一种，它的作用是将交流电能变为直流电能供给直流用电设备。按组成的器件可分为不可控、半控、全控三种。按电路结构可分为桥式电路和零式电路。按交流输入相数分为单相电路和多相电路。按变压器二次侧电流的方向是单向或双向，分为单拍电路和双拍电路。30、电
11、阻负载的特点是电压与电流成正比，两者波形相同。阻感负载的特点是电感对电流变化有抗拒作用，使得流过电感的电流不能发生突变。31、单相半波可控整流电路中的触发角。的移相范围是QJ四S直流输出电压平均值为Ua=O.4502L詈色、随着增大，Ud啦、晶闸管承受的最大正反向电压均为。的峰值即SU?032、通过控制触发脉冲的相位来控制直流输出电压大小的方式称为相位控制方式，简称相控方式。33、单相半波可控整流电路带电阻负载和带阻感负载相比，由于电感的存在延迟了VT的关断时刻，使上波形出现负的部分,与带电阻负载时相比其平均值Ud工隆。34、单相桥式全控整流电路中带电阻负载时，晶闸管承受的最大正向电压和反向电
12、压2分别为2,和同2。整流电压平均值为：ULo.9上匕/、向负载输出的直流电流平均值为：=0.当1+。二0时，Ud=UdO=0.96a=180。时，Ud=0。可RR2一见，。角的移相范围为180。35、O=B说明，单相桥式控整流电路中，变压器二次电流有效值与输出直流电流平均值相等，都等于流过晶闸管电流有效值的8倍。36、单相桥式全控整流电路带阻感负载时，移相范围是当日0时，耳嬴0.9队西90。时，尸0。晶闸管移相范围为90。晶闸管承受的最大正反向电压均为jo晶闸管导通角6与a无关,均为18与变压器二次侧电流与的波形为正负各180。的矩形波,其相位由a角决定,有效值37、三相可控整流电路交流侧由
13、三相电源供电,最基本的是三相半波可控整流电路,应用最为广泛的三相桥式全控整流电路、以及双反星形可控整流电路、十二脉波可控整流电路。38、三相半波可控整流电路为得到零线，变压器二次侧必须接成星形，而一次侧接成三角形,避免3次谐波流入电网。39、三相半波可控整流电路将晶闸管换作二极管，三个二极管对应的相电压中哪一个的值最大,则该相所对应的二极管导通，并使另两相的二极管承受反压关断,输出整流电压即为该相的相电压。在相电压的交点处，均出现了二极管换相，称这些交点为自然换相点。将其作为的起点，即=0040、三相半波可控整流电路中三个晶闸管轮流导通侬,4波形为三个相电压在正半周期的包络线。晶闸管电压由一段
14、管压降和两段线电压组成,随着增大，晶闸管承受的电压中正的部分逐渐增多。生飨负载电流处于连续和断续的临界状态,各相仍导电120。负载电流断续时，各晶闸管导通角小于断0。41、三相半波可控整流电路，电阻负载时a角的移相范围为150。aW30。时,负载电流连续，有Ud=Ll7.cos,晶闸管承受的最大反向电压为变压器二次线电压峰值一UM=0VT?也依次差120。同一相的上下两个桥臂，即VTl与VT,VT3与VT6,VL与VT2,脉冲相差!飨o整流输出电压口一周期脉动6次,每次脉动的波形都一样，故该电路为6脉波整流电路带电阻负载时三相桥式全控整流电路a角的移相范围是120。,带阻感负载时，三相桥式全控
15、整流电路的角移相范围为90。电力电子技术3-6章知识主线47、三相桥式整流输出电压平均值：带阻感负载时，或带电阻负载60。时1f-+aU1=一L3屈U、sintd(t)=2.34(7,CoSa、TCj7-带电阻负载且060。时，Ud=6(2sinJ()=2.34t,l+cos(-+a)三相桥式全控整流电路接反电乃勺。L3J势阻感负载时的酎为：。=吐dR48、由于电感对电流的变化起阻碍作用，电感电流不能突变，因此在考虑变压器漏感时，在换相过程不能瞬间完成，而是会持续一段时间。换相过程持续的时间用电角度7表示，称为换相重叠角。出现换相重叠角八整流输出电压平均值Ud降低。整流电路的工作状态增多。49
16、、电容滤波的不可控整流电路输出电压平均值空载时LS=五&、重载时，Ud逐渐趋近于0.9S,即趋近于接近电阻负载时的特性八在设计时根据负载的情况选择电容C值，使RC(35)772此时输出电压为：Ud=I.2Uz电容滤波是指：在输出瑞并入大电容后，可以使输出的具有较大脉动的直流电压波形变得比较平直。50、感容滤波的单相桥式不可控整流电路，实际应用中为了抑制电流冲击,常在直流侧串入较小的电感。使得Ud波形更平直,电流川的上升段平缓了许多，这对于电路的工作是有利的。51、非正弦电压分解为傅里叶级数时，频率为基波频率大于1整数倍的分量称为谐波、谐波次数:谐波频率和基波频率的整数比。正弦电路中有功功率与视
17、在功率的比值为功率因数、=-,无功功率Q与有功功率P、视在功率S之间的关系：s=p+Q,在正弦电路S中，功率因数是由电压和电流的相位差8决定的，其值为：加CO5G52、与整流相对应，直流电变成交流电称为逆变、交流侧接电网，为有源逆变。、交流侧接负载，为无源逆变、53、电流从一个支路向另一个支路转移的过程，称为换流也称为换相。研究换流方式主要是研究如何使器件关断。、换流分为器件换流、电网换流、负载换流、强迫换流四种形式。其中器件换流利用全控型器件的自关断能力进行换流。电网换流是利用电网提供负的换流电压的换流方式。负载电流的相位超前于负载电压的场合，都可实现负载换流，如电容性负载和同步电动机。负载
18、工作在接近并联谐振状态而略呈容性，负载对基波的阻抗大而对谐波的阻抗小，所以U。接近正弦波。器件换流和强迫换流属于自换流,电网换流和负载换流属于外部换流。54、根据逆变电路直流侧电源性质的不同，可以分为两类，电压型逆变电路和电流型逆变电路.55、电压型逆变电路的特点：直流侧为电压源或并联大电容,直流侧电压基本无脉动。由于直流电压源的钳位作用,输出电压为矩形波。阻感负载时需提供无功功率，为了给交流侧向直流侧反馈的无功能量提供通道，逆变桥各臂并联反馈二极管。56、电流型逆变电路主要特点：直流侧串大电感,电流基本无脉动,相当于电流源。交流输出电流为矩形波,与负载阻抗角无关,输出电压波形和相位因负载不同
19、而不同。直流侧电感起缓冲无功能量的作用,不必给开关器件反并联二极管。电流型逆变电路中，采用半控型器件的电路仍应用较多,换流方式有负载换流、强迫换流。57、三相电压型逆变电路基本工作方式是180。导电方式,是指同一相上的两个开关器件相互导通各180。同一相（即同一半桥）上下两臂交替导电，各相开始导电的角度差皿，任一瞬间有三个桥臂同时导通。每次换流都是在同一相上下两臂之间进行,也称为纵向换流。58、三相电压型逆变电路每一相的波形是幅值为UJ2的矩形波负载线电压uv心UWU可由下式求出UV=wUN-wVN,UVW=wVN-wWN,“WUZ=WN,一mUN,负载各相的相电压分别为“UN=wUN-wNN
20、,WVN=wVN-mNN,“WN=wWN,-mNN.并且NZ也是矩形波，幅值为Ud/g，因此此处要能利用右图中的a、e两个图推导画出b、c、d、f四幅波形图。59、三相电压型逆变电路输出线电压有效值UUV为Uuv=0.816。,1其中基波幅值UU以m和基波有效值UU以分别为UUVl=O78UdUUVhn=L15、负载相电压有效值Uun为UUN=O471&、其中基波幅值UUNIm和基波有效值Uuni分别为UUNhn=0637UqUuN=绰旦=。4555_Tt2电力电子技术5-7章知识主线60、直接直流变流电路也称斩波电路(DCChopper)o功能是将直流电变为另一固定电压或可调电压的直流电。这
21、种情况下输入与输出之间丕隔离。间接直流变流电路在直流变流电路中增加了交流环节。在交流环节中通常采用变压量实现输入输出间的隔离,因此也称为直一交一直电路。61 .降压斩波电路使用一个全控型器件V,若采用晶闸管,需设置使晶闸管关断的辅助电路设置了续流二极管VD,在V关断时给负载中电感电流提供通道。主要用于电子电路的供电电源，也可拖动直流电动机或带蓄电池负载等。通常串接较大电感L使负载电流连续且脉动小。电流连续时负载电压的平均值为E=ME=aE丁+3T斩波电路有三种控制方式一脉冲宽度调制(PWM):丁不变，改变切。b频率调制：G不变，改变，b混合型：和7都可调，改变占空比62 .在图5-la所示的降
22、压斩波电路中，已知E=200V,R=10,L值极大,5)=301/=505,t产20傍,计算输出电压平均值Uo9输出电流平均值o解：由于L值极大，故负载电流连续，于是输出电压平均值为OT50输出电流平均值为Io=七4=之=5(A)R1()63、升压斩波电路U=%lE=工E将升压比的倒数记作仇即/,%t哺则回导通占空比有如下关系+7=l则U。=工七=上输出电压高于电源电压，关键有两个-a原因：一是L储能之后具有使电压泵升的作用，二是电容C可将输出电压保持住。64、在图52a所示的升压斩波电路中，已知=50L值和C值极大，R=209采用脉宽调制控制方式，当T=40s,G=25倭时，计算输出电压平均
23、值U。，输出电流平均值Zqo解：输出电压平均值为：工E=鼻x50=Lff40-25输出电流平均值为：L紧甯=6.667(A)65、升降压斩波电路输出电压为：Uo=E=-E=-E,改变导通比a,输出电压ZTTQnIf一既可以比电源电压高，也可以比电源电压低。当OVa2/2时为降压,当12Sepic斩波电路和Zeta斩波电路输入输出关系心存:在E=WE注意，第五章要把六种斩波电路的电路图记住，一定要能区分开。67、交流电力控制电路：只改变电压、电流或对电路的通断进行控制,而不改变频率的电路。变频电路：改变频率的电路。交流电力控制电路分为：交流调压电路,交流调功电路,交流电力电子开关68、单相交流调
24、压电路是把两个晶闸管反并联后串联在交流电路中通过对晶闸管的控制就可以控制交流输出。的移相范围为0随着的增大，U。逐渐降低,4逐渐降低C当用晶闸管控制时，只能进行滞后控制,使负载电流更为滞后。单相交流调压电路负载电流有效值/。与晶闸管电流有效值h的关系式To=亚TvT69、图63能说明1、单相调压电路中，随着阻抗角的增大，导通角的变化率变大。2、单相调压电路中，当阻抗角一定时，导通角随着触发角的增大而减小。70、交流调功电路的电路图与交流调压电路相同，只是控制方式不同。通过改变接通周波数与断开周波数的比值来调节负载所消耗的平均功率71、交交变频电路是把曳闻频率的交流电直接变换成亘调频率的交流电的
25、变流电路，因为没有中间直流环节,因此属于直接变频电路。由两组反并联的晶闸管相控整流电路构成，两组整流器按一定的频率交替工作，负载就得到该频率的交流电。改变两组变流器的切换频率,就可以改变输出频率00改变变流电路工作时的控制角,就可以改变交流输出电压的幅值。为使输出电压波形接近正弦波，可按正弦规律对源进行调制。在半个周期内让P组0角按正弦规律从90。减到0。或某个值，再增加到90。，每个控制间隔内的平均输出电压就按正弦规律从零增至最高，再减到零;另外半个周期可对N组进行同样的控制。72、PWM(PulseWidthModulation)控制就是对脉冲的宽度进行调制的技术,即通过对一系列脉冲的宽度
26、进行调制，来等效地获得所需要波形（含形状和幅值）。73、PWM波形可分为等幅PWM波和不等幅PWM波两种,由直流电源产生的PWM波通常是等幅PWM波。74、调制法把希望输出的波形作为调制信号,把接受调制的信号作为载波，通过信号波的调制得到所期望的PWM波形。通常采用等腰三角波或锯齿波作为载波,其中等腰三角波应用最多。75、单极性PWM控制方式调制信号W为正弦波，载波UC在“的正半周为正极性的三角波，在”的负半周为负极性的三角波。双极性PWM控制方式在Ur的半个周期内，三角波载波有正有负,所得的PWM波也是有正有负。76、三相桥式PWM逆变电路采用双极性控制方式U、V和W三相的PWM控制通常公用
27、一个三角波载波%,三相的调制信号U亦Uw和U=依次相差120。、UU心UW和UWA/，的PWM波形都只UJ2两种电平。输出线电压PWM波由3和。三种电平构成。负载相电压的PWM波由任23J（仕2/3JUd和。共5种电平组成。77、载波频率/c与调制信号频率方之比N=/称为载波比，根据载波和信号波是否同步及载波比的变化情况，PWM调制方式可分为异步调制和同步调制两种。78、异步调制是指载波信号和调制信号丕保持同步的调制方式称为异步调制。通常保持载波频率1固定不变,因而当信号波频率方变化时，载波比N是变化的。在信号波的半个周期内，PWM波的脉冲个数不固定,相位也不固定，正负半周期的脉冲不对称,半周
28、期内前后1/4周期的脉冲也不对称。当方较低时，/较大，一周期内脉冲数较多,脉冲不对称产生的不利影响都较小，PWM波形接近正弦波。当方增高时，N减小，一周期内的脉冲数减少，PWM脉冲不对称的影响就变大，输出PWM波和正弦波的差异变大,对于三相PWM型逆变电路来说，三相输出的对称性也变差。79、同步调制是指载波比N等于常数,并在变频时使载波和信号波保持同步的方式称为同步调制。方变化时载波比N不变，信号波一个周期内输出的脉冲数是固定的,脉冲相位也是固定的。80、在三相PWM逆变电路中，通常公用一个三角波载波,为了使三相输出波形严格对称和一相的PWM波正负半周镜对称，取N为3的整数倍且为奇数。当逆变电路输出频率很低时，同步调制时的同也很低，力过低时由调制带来的谐波不易滤除,当负载为电动机时也会带来较大的转矩脉动和噪声;当逆变电路输出频率很高时，同步调制时的/c会过高，使开关器件难以承受。
