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1、工艺培训总结汇报二室高向东0.8UMCMOS双阱工艺一般包括以下层次光刻：(I)N阱光刻(2)：有源区光刻(3)：场区光刻(4)：多晶光刻(5)：N源漏光刻(6)：P源漏光刻(7)：孔光刻(8)：金属1光刻(9)：通孔光刻(10)：金属2光刻(I1.)钝化光刻其中有源区光刻、多晶光刻、孔光刻、金属1光刻、通孔光刻、金属2光刻为关键层次光刻.其CD工艺指标如卜丁IDNameSpecification.1Is1.andmaskDICD=1.5+0.10mA1.ignton-we1.1.A1.ignmentO.25nProfi1.eang1.e87+/-27vPo1.ymaskDICD=0.80.1
2、mA1.igntois1.andA1.ignmentO.25mProfi1.eang1.e87+/-23ContactmaskD1.CD=1.00.1m1.igntopo1.y1A1.ignmentO.25mProfi1.eang1.e87+/-25Meta1.viamaskDICD=1.00.1nA1.igntometa1.11.ignment0.25mProfi1.eang1.e87+/-26Meta1.1/2maskCd1.oss0.1mA1.igntometa1.via1.ignnent0.25mProfi1.eang1.e87+/-2一：对设备、材料的根本要求和现有状况1：对主要设备
3、指标要求如F：MachineProjectSpecification光刻机A1.ignment0.25umCD0.80.1UmPartic1.e10for0.35un轨道ResistthicknessGRRO.I%Partic1.e1.()for().35umResistthicknessUniformity,Partic1.e202.*深莅BID0F:1.0ub3.套刻I1.度0.2Ua2多晶1.光客就202.DOFz1.0ub3.胶条剖面角度把85,4.台阶上下的皎条条宽全部性把TIR202.集深他国D0F:1.0ib3.孔的剖面角度把85,4.不同形装上的按触孔的尺寸和外形把一TK202
4、.焦深低B1.DOF:1.0ua3.放条剖面角度把85,4.台阶上下的皎条条就全都性把握TIR202.焦深范B1.D0F:1.0ia3.通孔的剖面角度把握85,4.不同渗装上的通孔的尺寸和外形把，TIR2M2.焦深IKB1.D0F:1.03.跤条剖面角度把握85,4.台阶上下的成条条宣全部性把，TIRO.1.u5.套刻精度0.2u三序号内容目标1光期姓度的定性把5%2光刻跤厚度的片内和片间均匀性把30A（3SiMma）3关层次的bias现定用于制版4条宽的片内和片间均匀性把TIR0.1um5光陷把霾0.1个决六制版要求1.掩模版尺寸：126.60.4mm掩模版厚度：2.290.1Omm掩模版材
5、料：石英掩模版平坦度：2umc掩模版重量：11017g（含保护膜及其框架的重量）2.保护膜及其框架Nikon1.505i6A光刻机可使用具有双面保护膜的掩模版，但应留意以下问题：应选用适用于i线的保护膜。为了不使贴膜后，由于框架内外的压力差造成保护膜变形，应在框架中设置适当的通气构造。保护膜框架的设置不应影响到版对位标记及其它曝光图形，且不阻碍版在光刻机上的装载。框架高度：4.002mm（玻璃面）6.30.2nm（铭面）框架厚度：4mm框架外径：980.3mm（X方向）1200.3mm（Y方向）保护膜与框架的重量（双面的）：23.54.5g七：光刻机性能指标Type!505i6AReducti
6、onRatio5Reso1.ution0.65UmA1.ignment.G1.oba1.(x+3sigma).A1.ignment,EGA(x+3sigma)O.I3um1hroughut,G1.oba1.(WZH).Throughput.EGA(WH).Interchangcabi1.i1.y().12un1.ensNA0.451.ensDistortion0.09umExposurefie1.d(square)15mmExposurefie1.d(circ1.e)21.23mmExposurePower(nVcn2)400I1.1.uminationUnif.1.5%ArrayOrthogona1.ity0.2secSteppingPrecision(3sigma)0.09umRetic1.eSize5”Wafersize6K1.(R=Spec.)0.8K1.(R=().5um)0.62Reso1.ution(KI=I)0.81UmReso1.ution(K1=0.8)0.65UmDOF1.8un
