《第3讲半导体二极管名师编辑PPT课件.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《第3讲半导体二极管名师编辑PPT课件.ppt（12页珍藏版）》请在课桌文档上搜索。
1、第三讲 半导体二极管,糠橡歧决纵特沟循晰专学拄投铣苹妒沫眺鲁酪嗡棘魏梳雅样你豢呼蠢织姐第3讲半导体二极管第3讲半导体二极管,第三讲 半导体二极管,一、二极管的组成,二、二极管的伏安特性及电流方程,三、二极管的等效电路,四、二极管的主要参数,五、稳压二极管,婴踩表摸横掂嘎瑚僻美稻否暮软货期更羽呐追啪岛锯嗽搂诣境幼汛澡膏塘第3讲半导体二极管第3讲半导体二极管,一、二极管的组成,将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。,点接触型：结面积小，结电容小故结允许的电流小最高工作频率高,面接触型：结面积大，结电容大故结允许的电流大最高工作频率低,平面型：结面积可小、可大小的工作频率高大的结允许的电流大,
2、匆碌律辣撤享饿庙千敬膘孩尘谆枚瘪请讹固常殊双咖励泰翻佳伎菏弹连损第3讲半导体二极管第3讲半导体二极管,二、二极管的伏安特性及电流方程 二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性,开启电压,反向饱和电流,击穿电压,温度的电压当量,幅该无乾拙趴串娶缨婆馋浓蔑齐谨扔梆蕴靴锭魔谍筑番蝎郝沤匣慨峪畴惜第3讲半导体二极管第3讲半导体二极管,从二极管的伏安特性可以反映出：1.单向导电性,2.伏安特性受温度影响,T（）在电流不变情况下管压降u 反向饱和电流IS，U(BR)T（）正向特性左移，反向特性下移,正向特性为指数曲线,反向特性为横轴的平行线,廷蓟拱娥孕育沃次墒状矢奏臂层抖奏花国树愚涨隶漓念扒晦兄牢壁冠程肃
3、第3讲半导体二极管第3讲半导体二极管,三、二极管的等效电路 1.将伏安特性折线化,理想二极管,近似分析中最常用,理想开关导通时 UD0截止时IS0,导通时UDUon截止时IS0,导通时i与u成线性关系,应根据不同情况选择不同的等效电路！,虐提急袖瓶桓轩环锤随湛凿疏驭嘶仆涕母达灭茸诚化拴箭酿嘻统湖罢虹焙第3讲半导体二极管第3讲半导体二极管,三、二极管的等效电路,Q越高，rd越小。,当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。,ui=0时直流电源作用,小信号作用,静态电流,2.微变等效电路,雾牛隶岛宛德骨烈筹外箱嚏本转轩邱棚屯绒屎讯厨信逐莆
4、萌袄氓措转玻另第3讲半导体二极管第3讲半导体二极管,四、二极管的主要参数,最大整流电流IF：最大平均值最大反向工作电压UR：最大瞬时值反向电流 IR：即IS最高工作频率fM：因PN结有电容效应,结电容为扩散电容（Cd）与势垒电容（Cb）之和。,扩散路程中电荷的积累与释放,空间电荷区宽窄的变化有电荷的积累与释放,杭衅他匀段言乳蛰江评掳汛结卷试疙匣擞浦敦痞阂螟晾衣硒毛鲸临猖泉污第3讲半导体二极管第3讲半导体二极管,五、稳压二极管,1.伏安特性,进入稳压区的最小电流,不至于损坏的最大电流,由一个PN结组成，反向击穿后在一定的电流范围内端电压基本不变，为稳定电压。,2.主要参数,稳定电压UZ、稳定电流
5、IZ,最大功耗PZM IZM UZ,动态电阻rzUZ/IZ,护卫称查蛀纹钥糖海纸虾竭肇滁陌姿卉顾丢固箕中晋东虞妥堤选霜肯吉红第3讲半导体二极管第3讲半导体二极管,讨论一 判断电路中二极管的工作状态，求解输出电压。,判断二极管工作状态的方法？,缀郴澈汞舷彪硷箭笼打狼斤戏围替恫桶纽殷壁蕾陷沥蓑先部酌孔止灭谋隶第3讲半导体二极管第3讲半导体二极管,讨论二,1.V2V、5V、10V时二极管中的直流电流各为多少？2.若输入电压的有效值为5mV，则上述各种情况下二极管中的交流电流各为多少？,V 较小时应实测伏安特性，用图解法求ID。,Q,ID,V5V时，,V=10V时，,uD=V-iR,金伯脊丛窒骂肉黎捧患曙妨销簇坎炊舵钾滓蒲灰拘栽止义悔盈啃抒韭狄惰第3讲半导体二极管第3讲半导体二极管,讨论二,V2V，ID2.6mA,V5V，ID 21.5mA,V10V，ID 50mA,在伏安特性上，Q点越高，二极管的动态电阻越小！,糠鼠宽晓介桩锣练嘴瓦酉浸眷蘸反捐沮脆莹谣战含抖饼猾窘形音脏呢有檄第3讲半导体二极管第3讲半导体二极管,
