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1、医用数字胃肠X射线机,数字胃肠X线机新进展,数字胃肠X线机现状,近年来，随着计算机及相关技术的迅速发展及图形图像技术的日渐成熟，使得该技术逐步渗入医学领域中，开创了数字医疗的新时代。X射线机也由影像增强器型发展成为数字化CCD、固体探测器类型。目前已采用全数字化平板X线机。随着数字胃肠X射线机的普及和市场发展的需要，国内外许多公司研制、生产和销售，出现了可喜的局面，在国外形成以欧洲、美国、日本为主的局面，具有代表性的主要有：美国的GE公司；德国的SIEMENS公司；荷兰PHILIS公司；日本岛津、东芝公司及意大利ITRLRAY、GMM等公司的系列产品，国内北京万东、沈阳东软、上海医疗器械厂等公
2、司也生产了型号各异种类繁多的系列产品。,数字胃肠X线机新进展,1即插即用功能；2图像采集：曝光采集自动单帧，手动连续多在12-15帧/秒；数字透视采集最多100帧/秒；获取高品质数字化图像；3图像处理功能：实时/后处理数字减影、图像黑白，上下，左右翻转、窗宽窗位调节、平滑处理、边界增强、局部放大、距离测量、亮度和对比度调节、透视末帧图像冻结、路径图；数字减影系统(DSA),实现介入治疗；4图像数据库：硬盘存贮容量大，可对患者信息处理，可配外存；,5图像显示：采用高精度显示器，多幅显示、电影回放，或网络视频回放；6高性能计算机控制系统，中文可操作界面，激光输出诊断报告或采用电子文档；7具有兼容的
3、外接口，可配DICOM3.0标准接口；8病人挡案管理；,数字胃肠X线机未来发展,1、集成化程度更高2、采集信息量更大、空间分辩率、对比度和灵敏度更高、实现图像的智能处理和传输。3、采用性能更好的数字化采集板：高DQE，低剂量、快速扫描4、智能化的图像重建和诊断系统：实现三维图像重建，即减少了接受X射线的剂量，同时可将图像存贮于计算机工作站，实现信息的网络共享，并重建为医生所见的三维图像，增加智能诊断程序，将有助于提高诊断的准确性。,TOSHIBA 数字胃肠机,全新的数字结构Made for patients；优秀的图像质量Made for you；高效的工作效率Made for partner
4、ship,二、数字胃肠机原理和构造,1、数字胃肠X射线机主机控制系统 2、床体系统、点片系统和限束器3、影像系统4、X线发生装置5、控制台控制系统6、计算机系统7、DICOM标准,数字胃肠X射线机的主机系统是指围绕产生X射线的主电路及其部件组成的系统，分为系统主电路和计算机图像处理部分。主电路主要提供满足诊断要求的管电压、管电流，以控制X射线的质和量，以及所包括的控制电路准确地控制X射线的产生和断开时间。图像处理则完成在X射线产生时采集所需信号并处理、存储，以满足医生诊断要求。,数字胃肠X射线组成结构,床体系统,床体系统是胃肠X射线的重要组成部分，它是完成系统功能的主要载体，能过二维的操作方式
5、，即影像系统、床体的倾斜及床板的运动，可以实现胃肠X射线机的全部功能。床体系统通常有两部分组成：旋转部分和固定部分组成。,旋转部分 主要包括:X射线管及其冷却系统、限束器、压迫器组件、点片系统、影像系统、床面板及运动电机、影像系统运动电机、减速机及其变频器伺服系统。固定部分 主要包括:旋转支架、底座和控制板组件部分、床体倾斜电机、减速机及其变频器伺服系统。,NAX500/800RF 东软,NSX-RF3900,NSX-RF3900,完美结合的影像链系统：影像增强器与CCD的一体化设计，最大程度的保证了图像质量的优越；灵活舒适的床体设计：适用于各种常规和特殊的临床检查，嵌入式的智能化控制系统保证
6、了运行的平稳准确；100KHz的超高频逆变高压发生器；最先进的一体化Touch Screen操作模式：完全将高压系统与操作系统相融合，中英文双选的操作界面使我们的工作变的更为简洁；东软专业的图像处理软件包；DICOM3.0国际标准:全面支持医院的网络（HIS、RIS、PACS）连接。,3床体部件图,1.底座 2.床体 3.床面4.X 射线管 5.限束器 6.压迫器7.立柱8.点片装置 9.片盒 10.影像增强器11.CCD 摄像机12.把手13.肩托14.扶手15.脚踏板16.杯架 17.操作台18.计算机19.高压发生器20.脚闸开关,4控制板组件位置,5床体运动行程开关位置图,6床体控制部
7、分,床体控制包括床体的旋转,床面板的横向运动,影像系统的移动以及压迫器的升降运动。包括以下部分，结构及位置,影 像 系 统,影像系统通常包括影像增强器和摄影系统、数字放射成像检测器、影像辅助系统,1影像增强器 影像增强器是将入射的X射线模式转换成为对应的可见光学图像的设备，这个可见的光学图像通过胶片或摄像机记录下来。在一个设计良好的荧光检测技术或荧光照相技术的图像链中，作为前端检测器的X射线影像增强器是一个最重要的部分。在第一阶段发生的任何图像信息的损失或增加的噪声都是不可逆的，X射线影像增强器的性能比其他任何部分的性能都要重要，它是最终成像质量的一个决定性因素。,（1）物理特性,输入窗和荧光
8、屏,输入的闪烁物及光电阴极,SEM（扫描电子显微镜）下碘化铯 CsI似光纤针状结构（左）针状放大结构（右）,电子光学,在这个结构中，在光电阴极之间有三个额外的电极（G1、G2、G3），通常在零电势和输出屏幕之间（输出屏幕处为高电势，一般为30kV）。G3电极通过改变输入屏幕投射到输出屏幕的比例来放大图像：G3电势越高，投射的输入屏幕的比例越小，放大倍数越大。G2电极是聚焦电极，G1电极允许调整整个图形区域的分辨率的一致性。,五极真空管的电子光学系统,输出屏,输出屏幕将碰撞电子的能量转换成为光信号，将初始的X射线图像还原成为可见的图像，该图像可以投照到胶片或电视屏幕上。为了在图像球管与准直器之间
9、得到良好的耦合，输出屏幕的直径一般比输入屏幕的直径小（一般在15mm到35mm之间）。由于所有图像信息都集中在一个非常小的区域，输出的荧光物质对程度较低的固定模式的噪声应该有非常好的粒度。输出屏幕由一层非常薄的荧光物质小颗粒组成。由于具有较高的亮度效率以及较快的反应速度，大多数影像增强器使用P20作为荧光物质。P20是将银掺于硫化锌镉（Zn0.6Cd0.4S:Ag），其发射的光线波长峰值在520 540 nm之间，位于光谱中绿色部分。这与高质量的正胶片以及电视使用的大多数光敏检测器的敏感曲线非常匹配。,输出窗口,常用的输出窗口结构,（2）光电特性,转换因数 X射线影像增强器的最初功能是转换并放
10、大信号，因此它的增益非常重要。增益通常指表示为转换因数，定义为输出光线通量或亮度与输入X射线的曝光率的比值。输出亮度的单位通常使用cd/m-2或ftL，曝光率单位通常使用mRs-1、Gys-1或Ckg-1s-1,空间分辨率 传统的分解能力经常还用有限的空间分辨率来描述，该参数定义为单位长度内仍然可以视为分离实体的矩形空间以及条形的最大数目。这个方法得到广泛应用，因为它只需要极其简单的设备：一个X射线阻隔的空间条形模式的模板，用双眼看输出的图像即可。缺点是其主观误差。由于它依赖于人的观察，不同观察者会得到误差很大结果,对比度,对比度定义为两个亮度的比值。一个亮度是如果入口平面A没有物体时输出图像
11、上一个给定的点亮度，另一个亮度是在同样曝光率的情况下如果入口平面上对应的点覆盖着一个X射线阻隔盘（B）时该点的残留亮度。,图像失真 影像增强器产生的最终图像的几何形状从来不能与相应物体的形状成完美的比例。这个现象称为图像失真，主要原因在影像增强器本身。必须分清楚两种类型的失真：一种是圆均衡几何失真，另一种是不对称，通常称为积分失真,几何失真,失真原因是将X射线图像投射到一个曲面上，入口平面上一个物体O在输入屏幕的边缘（Sb）产生图像要比中间(Sc)产生的图像大。这种（正的）失真与输入屏幕的几何形状以及X射线源的位置有关，因此被称为几何失真。,积分失真,这是因为直线形物体特有的S形图像。这个现象
12、是由于地球磁场或周围设备造成的杂散磁场的干扰引起的。实际上，电子轨道对磁场非常敏感，它会引起图形旋转一定角度，旋转的大小取决于半径。地磁场的强度随着位置的不同在0.3-1高斯之间变化，对于大视野的球管会造成不能忽略的S失真。由于这个原因，大多数影像增强器都有一个一体化的铁镍铜锰铬磁性合金（mu-metal）制成的防护罩以保护电子透镜不受外部磁场的干扰，尽可能的减小S失真。,检测量子效率(DQE：dose quanta efficiency),检测量子效率为衡量输出图像的信噪比比较入射X射线流的信噪比的降低程度提供了一个测量方法。X射线流的主要噪声来源是光子通量中的统计量子波动。这个量子噪声服从
13、泊松统计规律，光子通量的标准差等于它的均方根（即信号）。因此输入的信噪比随着X射线量子数的平方根而增加,所以与入射剂量的平方根成正比。影像增强器内部信噪比降低的主要原因是在感光层X射线光子不完全吸收以及能量转换过程中的统计波动。主要有两个过程：吸收过程和闪烁过程,2数字成像检测器,在放射学领域内，随着数字化信息技术的发展，医学也进入了网络化和数字化的新纪元。在60年代后期，随着半导体集成电路技术的发展，特别是MOS集成电路工艺的成熟，各种固体成像器件得到迅速发展，70年代后期已有一系列的成熟产品，固体成像器件本身就成完成图像转换、信息存贮和按顺序输出（称自扫描）视频信号的全过程。,数字化X射线
14、机的工作原理,电荷耦合器件（Charge Coupled Device简称 CCD）,CCD是70年代初发展起来的新型半导体光电成像器件。美国贝尔实验室的 W.S.Boyle 和G.E.Smith于1970年提出了CCD的概念，随后建立了以一维势阱模型为基础的非稳态CCD的基本理论。30多年来，随着新型半导体材料的不断涌现和器件微细化技术的日趋完备，CCD技术得到了较快的发展。目前CCD技术巳广泛应用于信号处理、数字存贮及影像传感等领域。其中，CCD技术在影像传感中的应用最为广泛，已成为现代光电子学和测试技术中最活跃、最富有成果的领域之一,电荷耦合器件（CCD）的工作原理,有两种基本类型：一种
15、是电荷包存贮在半导体与绝缘体之间的界面，并沿界面传输，这类器件称为表面沟道电荷耦合器件，简称SCCD；另一种是电荷包存贮在离半导体表面一定深度的体内，并在半导体内没一定方向传输，这类称为体内沟道或埋沟道电荷耦合器件，简称BCCD。,CCD的基本原理,CCD的突出特点是以电荷作为信号，而不同于其他大多数器件是以电流或者电压为信号。CCD的基本功能是信号电荷的产生、存储、传输和检测,（1）光电荷的产生,CCD的首要功能是完成光电转换，即产生与入射的光谱辐射量度成线性关系的光电荷。当光入射到CCD的光敏面时，便产生了光电荷。CCD在某一时刻所获得光电荷与前期所产生的光电荷进行累加，称为电荷积分。入射
16、光越强，通过电荷积分所得到的光电荷量越大，获得同等光电荷所需的积分时间越短。电荷的产生方法主要分为光注人和电注人两类，在CCD相机中，一般采用光注人方式。当光照射到CCD硅片上时，在栅极附近的半导体体内产生电子-空穴对，其多数载流子被栅极电压排开，少数载流子则被收集在势阱中形成信号电荷。光注人方式分为正面照射式与背面照射式。,正面照射式光注入的示意图,(2)电荷存储,构成CCD的基本单元是MOS(金属-氧化物-半导体)结构。在栅极施加正偏压之前，型半导体中空穴(多数载流子)的分布是均匀的，当在栅极施加小于型半导体阔值电压的正偏压后，空穴被排斥，产生耗尽区，偏压继续增加，耗尽区将进一步向半导体体
17、内延伸，当栅极的正偏压大于P型半导体的阔值电压时，半导体与绝缘体界面上的电势变得如此之高，以致于将半导体体内的电子(少数载流子)吸引到表面，形成一层极薄的但电荷浓度很高的反转层，反转层电荷存在表明了MOS结构存储电荷功能。表面势与反转层电荷浓度具有良好的反比例线性关系。由于CCD的像素进行光电转换可比喻为往井或桶内注水，因此，这种线性关系很容易用半导体物理中的势阱概念描述。其中，单个像素所能存储的最大光电荷量(不向其邻近像素溢出)，也称为满阱容量,(3)电荷转移,当完成对光敏元阵列的扫描后，CCD将光电荷从光敏区域转移至屏蔽存储区域，而后光电荷被按顺序转移至读出寄存器。,通过按一定的时序在电极
18、上施加高低电平，可使光电荷在相邻的势阱间进行转移。通常把CCD的电极分为几组，每一组称为一相，并施加同样的时钟脉冲。按相数划分:CCD一般可分为二相CCD、三相CCD及四相CCD，下图为三相CCD中光电荷的转移,二相CCD,对于单层金属化电极结构，为了保证电荷走向转移，驱动脉冲至少需要三相。当信号电荷自第2个电极向第3个电极转移时，在第l个电极下面形成势垒，以阻止电荷倒流。如果希望采用二相脉冲驱动，就必须在电极结构中设计并制造出某种不对称性，即由电极结构本身来保证电荷转移的定向性。产生这种不对称性最常用的方法是利用绝缘层厚度不同的台阶以及离子注人产生势垒。二相CCD的典型电极结构如下图。低电阻
19、多晶硅栅及铝栅形成的不对称的电极结构，在铝栅下形成势垒。当电荷处于势垒较深右半部内。这种结构可有效地阻止电荷倒流，保证电荷转移定向性。,四相CCD,与二相CCD、三相CCD相比，四相CCD的操作方式更适应较高的时钟频率(如100MHz)，波形接近正弦波的驱动脉冲；四相CCD的两电荷包间有双重势垒相隔，有助于提高转移效率，另外，由于表面势分市呈台阶状，电荷在转移过程中不会产生二相、三相CCD在转移过程中所出现的过冲现象。四相CCD的缺点是其驱动电路相对较为复杂。,四相CCD的典型电极结构,体沟道CCD,按光电荷的转移途径划分，CCD的转移电极结构可分为表面沟道(即SCCD)和体沟道(即BCCD，
20、也称为埋沟道CCD)两种方式。表面沟道CCD的电荷转移途径距离半导体-绝缘体分界面较近，当势阱充满电荷时，将有部分电荷很快地被界面处吸收。而当势阱空下来后，这部分电荷又缓慢地被释放出来。为了消除这种现象，以提高CCD的工作速度，设法在距半导体-绝缘体分界面有一定距离的地方形成势阱，这就是体沟道CCD的基本设计思想。,体沟道CCD的典型电极结构,(4)光电荷的输出,光电荷的输出是指在光电荷转移通道的末端，将电荷信号转换为电压或电流信号输出。目前CCD的输出方式主要有：电流输出 浮置扩散放大器输出 浮置栅放大器输出。,电流输出,当信号电荷在转移脉冲驱动下向右转移到末极电极下势阱中后，V2上的电压由
21、高变低时，由于势阱提高，信号电荷将通过输出栅下的势阱进人反向偏置的二极管(图中N+区)。由UD、电阻RL、衬底P和N+区构成的反向偏置二极管相当于无限深的势阱。进人到反向偏置的二极管中的电荷，将产生输出电流ID且ID的大小与注入到三极管中的信号电荷量成正比，而与电阻R成反比。ID与注人到二极管中电荷量成线性，ID的存在，使QS=ID dt发生变化，ID增大，A点电位降低。可用A点的电位来检测二极管的输出电流ID，用隔直电容将A点的电位变化取出，再通过放大器输出。场效应管Reset为复位管。它的主要作用是将一个读出周期内输出三极管没有来得及输出的信号电荷通过复位场效应管输出。,浮置扩散放大器输出
22、,浮置扩散放大器的输出结构，前置放大器与CCD做在同一个硅片上。Reset为复位管，右方的4个场效应管构成放大管。复位管下的势阱未形成之前，在复位管的栅极复位脉冲中R，使复位管导通，把浮置扩散区剩余电荷抽走，复位到DD。而当电荷到来时，复位管截止，由浮置扩散区收集的信号电荷来控制放大管栅极电位变化。,浮置栅放大器输出,输出放大器的栅极不是直接与信号电荷的转移沟道相连接，而是与沟道上面的浮置栅相连。当信号电荷转移到浮置栅下面沟道时，在浮置栅上感应出镜像电荷，以此来控制输出放大器栅极电位，达到信号检测与放大的目的。显然这种机构可以实现电荷在转移过程中的非破坏性检测。,2CCD的分类 线阵CCD和面
23、阵CCD,(1)线阵CCD 线阵CCD可以直接将一维光信息转变为视频信号输出。线型CCD一般具有单沟道线阵CCD、双沟道线型CCD两种基本形式。,单沟道线型CCD,光敏阵列与转移区一移位寄存器是分开的，移位寄存器被遮挡。在光积分周期里，这种器件的光栅电极电压为高电平，光敏区在光的作用下产生光生电荷存于光敏MOS电容势阱中。转移栅(Trans for Gate)用于控制光电荷在光敏阵列至移位奇存器间的转移。当转移脉冲到来时，线阵光敏阵列势阱中的信号电荷并行转移到CCD移位寄存器中，最后在时钟脉冲的作用下一位一位地移出器件，形成视频脉冲信号。该结构的CCD的转移次数多、效率低、调制传递函数MTF较
24、差，只适用于像敏单元较少的成像器件。,双沟道线阵CCD,具有两列CCD移位寄存器，分列在像敏元阵列的两边。当转移栅为高电位(对于n沟器件)时，光积分阵列的信号电荷包同时按箭头方向转移到对应的移位寄存器内，然后在驱动脉冲的作用下分别向右转移，最后以视频信号输出。同样像敏单元的双沟道线阵CCD要比单沟道线阵CCD的转移次数少一半，它的总转移效率也大大提高，故一般高于256位的线阵CCD都为双沟道的。,TDI CCD,TDI(Time Delayand Integration)是一种扫描叠加方式，是基于对同一物体的多次曝光累加的概念发展而来的。TDI CCD比常规扫描方式具有更高的灵敏度和信噪比。,
25、TDI CCD基于对同一目标进行多次曝光原理，因为需要在不同的位置进行多次曝光，因此TDI CCD要求目标与相机必须实现完全的同步。如图所示:一个小球在TDI CCD的不同曝光级间垂直下落。当小球下降到TDI CCD的某一级时，TDI CCD均进行了一次曝光，所得到的信号电荷逐级进行累加，并作为与小球对应的信号电荷转移到CCD水平读出寄存器输出。与一般线扫描传感器相比，TDI借助了积分线来增加曝光时间。由于传感器内的信号储存与曝光次数成正比，TDI技术可使在积分时间内收集到的光子数增加，所以TDI CCD比一般线扫描CCD传感器具有更高的灵敏度。在TDI CCD中，信号与累加次数N成正比，而噪
26、声则只与累加次数N的平方根成正比，所以其信噪比(SNR)可提高至原来的根下N倍。,(2)面阵CCD,按一定的方式将一维线型CCD的光敏单元及移位寄存器排列成二维阵列，即可以构成二维面阵CCD。按排列方式不同，面阵CCD三种方式：帧转移 隔行转移 线转移方式。,帧转移面阵CCD,帧转移面阵CCD的特点是结构简单，光敏单元的尺寸较小，模传递函数MTF较高，但光敏面积占总面积的比例小 由成像区(RegionA)、暂存区(RegionB)和水平读出寄存器三部分构成。成像区由并行排列的若干电荷糯合沟道组成，各沟道之间用沟阻隔开，水平电极横贯各沟道。暂存区的结构和单元数都和成像区相同，暂存区与水平读出寄存
27、器均被遮蔽。,全帧CCD,利用CCD进行光电转换，同时将光电荷转移至水平移位寄存器内的CCD，称为全帧CCD，如图所示为其结构框图。因为光敏区占据了全帧CCD的绝大部分，因此当进行光电荷的转移时，需要通过快门屏蔽入射光。,行间转移型面阵CCD,行间转移型面阵CCD的结构，如图1-22所示。它的像敏单元呈二维排列，每列像敏单元被遮光的读出寄存器用沟阻隔开，像敏单元与读出寄存器之间又有转移控制栅。每一像敏单元对应于二个遮光的读出寄存器单元。读出寄存器与像敏单元的另一侧被沟阻隔开,工作过程如下:在光积分期间，光生电荷包存储在像敏单元的势阱里，转移栅为低电位，转移栅下的势垒将像敏单元的势阱与读出寄存器
28、的势阱隔开；当光积分时间结束，转移栅上的电位由低变高，其下形成的势阱将像敏单元的势阱与此刻读出寄存器某单元的势阱沟通，像敏单元中的光生电荷经过转移栅转移到读出寄存器。转移的过程为并行的，即各列光敏单元的光生电荷同时转移到对应的读出寄存器中，转移过程结束后，光敏单元与读出寄存器又被隔开，转移到读出寄存器中的光生电荷在读出脉冲的作用下一行行地向水平读出寄存器中转移，而后在水平驱动脉冲的作用下，光电荷在水平读出寄存器内快速地转移至输出端输出，从而得到与光学图像对应的视频信号。行间转移CCD只需要约1s的时间就可完成光电荷至垂直移位寄存器的转移，从而很好地解决了帧转移CCD因转移速度不够快而带来的图像
29、模糊问题。同时，由于行间转移CCD的垂直移位寄存器所占的面积均被遮蔽，所以其对输入光的利用率以及像素密度相对较低。,CCD的特性参数,(1)灵敏度 灵敏度是CCD最为重要参数之一，它有两种物理意义：一种是表示光电器件的光电转换能力，与响应度的意义相同。对于给定芯片尺寸的CCD来说，其灵敏度可用单位光功率所产生的信号电流表示，单位可以为纳安/勒克斯nA/Lux、伏/瓦(V/W)、伏/勒克斯(V/Lux)、伏/流明(V/lm)。光辐射能流密度在光度学中常以照度Lux表示，其转换式为lW/m2=20lx。在有的资料中，也用mV/Lx.s来表示CCD的灵敏度，严格说来，这是CCD图像传感器的响应度，即
30、单位曝光量所得到的有效信号电压，它反映了CCD图像传感器的灵敏度和输出级的电荷/电压转换能力。另一种是指器件所能传感的最低辐射功率(或照度)，与探测率的意义相同。单位可用瓦(W)或勒克斯(Lux)表示。,(2)光谱响应,指CCD对于不同波长光线的响应能力。CCD接收光的方式可分为正面光照与背面光照两种。由于CCD的正面布置着很多电极，电极的反射和散射作用使得正面照射的光谱灵敏度比背面照射时低。为此ICCD常采用背面照射的方法。如图1-23所示，背面光照方式比正面光照的光谱响应要好得多。采用硅衬底的ICCD的光谱响应范围为03-1.11um，平均量子效率为25%，绝对响应K为0.1-02(A/W
31、),(3)动态范围,CCD图像传感器的动态范围由满阱容量和噪声之比决定，它反映了器件的工作范围。满阱容量(Full-wellcapacity)CCD的满阱容量是指单个CCD势阱中可容纳的最大信号电荷量。它取决于CCD的电极面积、器件结构、时钟驱动方式及驱动脉冲电压的幅度等因素。,噪声 CCD在存贮和转移信息电荷的过程中，作为信息的各个少数载流子，在氧化层保持隔离状态，可认为CCD自身是低噪声器件。但信号电荷的注入、转移和检测等过程中都叠加有噪声，使信号再现的精度受到影响。CCD的噪声归纳起来主要有三类：散粒噪声即由于电荷注入器件时由电荷量的起伏引起的噪声；转移噪声即电荷转移过程中，电荷量的变化
32、引起的噪声；热噪声即检测电荷时，对检测二极管进行复位时所产生的检测噪声等。,（4）分辨率,分辨率是图像传感器的重要特性。与采用电子束扫描方式的电真空摄像管的结构不同，CCD图像传感器采用自扫描方式，每个光敏单元都被隔开较大的距离。CCD的光电转换实质上是由空间上分立的光敏单元对光学图像进行抽样。光敏单元呈周期性排列，假设要摄取的光学图像是沿水平方向光强(亮度)为正弦分布的条状图像，经CCD的光敏单元进行光/电转换，所得的信号在时间轴方向也为正弦波信号。根据奈氏抽样定理，CCD的极限分辨率是空间抽样频率的一半，CCD原分辨率主要取决于CCD芯片的像素数。其次，还受到传输效率的影响。高集成度的光敏
33、单元可获得高分辨率，但光敏单元尺寸的减少将导致灵敏度降低。一些新的工艺结构的应用(如双层像感结构)可在一定范围内提高CCD的灵敏度。分辨率通常用电视线(TVL)表示，也可用调制传递函数MTF来评价。如图1-24所示，为宽带光源与窄带光源照明下线阵CCD的MTF曲线。,（5）拖影 在帧转移型CCD中，由光敏区向存贮区转移电荷时，光敏区在场逆程的光积分电荷被带到下一场信号中，或者硅片深处的光生载流子向邻近势阱扩散，从而致使图像模糊，这种现象称为拖影。拖影将使图像对比度下降。在行转移型CCD中，光敏单元被转移单元(垂直移位寄存器)所隔开。在场消隐期间，光敏单元的电荷移到转移单元，当图像经寄存器以水平
34、速率移位时，过载光敏单元的剩余量可能泄漏到寄存器中，所形成的拖影也会导致图像模糊。在对黑色背景中的明亮目标进行成像时，拖影现象最为明显。通常用电平值的大小(dB)表示拖影的程度，也可用百分比表示。,（6）暗电流 在正常工作的情况下，MOS电容处于未饱和的非平衡态。然而随着时间的推移，由于热激发而产生的少数载流子使系统趋向平衡。因此，即使在没有光照或其他方式对器件进行电荷注人的情况下，也会存在不希望有的暗电流。暗电流是大多数成像器件所共有的特性，是判断一个摄像器件好坏的重要标准。产生暗电流的主要原因是:耗尽的硅衬底中电子自价带至导带的本征跃迁，少数载流子在中性体内的扩散及Si-Si02界面引起的
35、暗电流。在大多数情况下，以第二种原因Si-Si02界面引起的暗电流产生的暗电流为主。为了减小暗电流，应采用缺陷尽可能少的晶体和减少站污。另外，暗电流还与温度有关。温度越高，热激发产生的载流子越多，暗电流就越大。,（7）电荷转移效率和转移损失率 电荷转移效率和转移损失率：电荷转移效率是表征CCD器件性能好坏的一个重要参数。设原有的信号电荷为q，转移到下下一个电极下的信号电荷量为Q，则其比值称为转移效率。即：q/Q*%没有被转移的电荷是设为p，则与原信号电荷Q之比称为转移损失率。即转移损失率为P/Q*%。显然电荷转移效率和转移损失率之和为1。影响转移效率的因素很多，如自感应电场、热扩散、边缘电场以
36、及电荷与表面态用体内陷阱的相互作用等等。其中最主要因素是表面态对信号电荷的俘获。为此采用“胖零”工作模式，即让“零”信号也有一定的电荷来填补陷阱，这能提高转移效率和速率。,CCD噪声,CCD在存贮和转移信息电荷的过程中，作为信息的各个少数载流子，在氧化层保持隔离状态，可认为CCD自身是低噪声器件。但信号电荷的注入、转移和检测等过程中都叠加有噪声，使信号再现的精度受到影响。CCD的噪声归纳起来主要有三类：散离子噪声、转移噪声及热噪声。散离子噪声主要表现为微观粒子的无规律性，在CCD器件中，无论是用光注入、电注入还是热产生的信号电荷（电子数）总有一定的不确定性，这就引起了散粒子噪声。转移噪声是在C
37、CD器件中，信号电荷由于每次转移后剩下少部分电荷，对平均值来说，其总有一个涨落。另外，由于界面态和体内陷阱俘获面发射的电子，从CCD的一端转移到另一端，也是一个随机过程。这样就产生了转移噪声。热噪声是在CCD器件中，信号电荷注入回路及信号电荷检出时的复位回路均可等效为RC回路，由于电阻R的存在，就产生了电阻热噪声。以上三类噪声是独立无关的，CCD的总噪声功率应是它们均方和。,CMOS图像传感器的基本原理,典型的CMOS图像传感器由光敏元阵列及辅助电路构成，其中光敏元阵列主要实现光电转换功能，辅助电路主要完成驱动信号的产生、光电信号的处理、输出等任务。光敏元阵列是由光电二极管和MOS场效应管阵列
38、构成的集成电路。在如图中，光敏元阵列按X和Y方向排列成方阵，方阵中的每一个光敏元都有它的X、Y方向上的地址，并可分别由两个方向的地址译码器进行选择每一列光敏元都对应于一个列放大器，列放大器的输出信号分别与由X方向地址译码控制的模拟多路开关相连。在实际工作中，CMOS图像传感器在Y方向地址译码器的控制下依次接通每行光敏元模拟开关，信号通过行开关传送到列线上，再通过X方向地址译码器的控制，传送到放大器。输出放大器的输出信号由A/D转换器进行模数转换，经预处理电路处理后通过接口电路输出。,1像素结构 从像素内部有无放大器角度进行划分，可将CMOS图像传感器的像素结构分为无源光敏元结构PPS(Pass
39、ive-Pixel Sensor)和有源光敏元结构APS(Active Pixel Sensor)两大类,（1）PPS像素结构 无源光敏元结构主要由光电二极管和地址选通开关构成。复位脉冲首先启动复位操作，将光电二极管的输出电压被置。接着光电二极管开始光信号的积分。当积分工作结束时，选址脉冲启动行选择开关，光电二极管中的信号传输至列总线上，然后经过公共放大器放大后输出。,PPS的填充系数较高，可提高芯片的集成度。另一方面，当直接把光电荷从像素读到列总线时，总线不可避免的具有高电容值和热复位噪声，从而形成固定图像噪声(FPN)。同时，选址模拟开关的暗电流噪声也使图像信号的信噪比下降。,（2）APS
40、像素结构 有源光敏元结构与无源光敏元结构的最主要区别是:光敏元阵列中的每一个光敏元内都集成有一个放大器。每一光电转换信号首先经过放大器放大，而后再通过场效应管模拟开关传输。如图所示为主动光敏元结构的原理框图。从中可以看出，复位场效应管(Reset Transistor)构成光电二极管的负载，其栅极与复位信号线相连。当复位脉冲出现时，复位管导通，光电二极管被瞬时复位，而当复位脉冲消失后，复位管截止，光电二极管开始对光信号进行积分，由场效应管构成的源极跟随放大器(Amplifier)将光电二极管的高阻输出信号进行电流放大，当选通脉冲到来时，行选择开关(Row Selector)导通，使得被放大的光
41、电信号输送到列总线上。,在有源光敏元结构中，光电转换后的信号立即在像素内进行放大，然后通过X-Y寻址方式读出，从而提高了CMOS传感器的灵敏度。APS具有良好的消噪功能。它不受电荷转移效率的限制，速度快，图像质量明显改善。另一方面，与PPS相比，APS像素的尺寸较大，填充系数小，其填充系数的典型值为20%30%,2CMOS图像传感器的辅助电路,由于与电子CMOS工艺完全兼容，CMOS图像传感器可实现光敏元陈列、信号读出电路、信号处理电路和控制电路的高度集成。典型的CMOS图像传感器主要由光敏元阵列、水平/垂直控制和时序电路、模拟信号读出处理电路、A/D转换电路、数字信号处理电路和接口电路等构成
42、。CMOS图像传感器的时序电路主要产生各种驱动和控制脉冲，模拟信号处理电路集成了自动增益控制(AGC)、自动曝光控制(AEC)、自动自平衡(AWB)、伽玛校正、背光补偿和自动黑电平校正等电路，数字信号处理电路集成有彩色矩阵处理电路和全电视信号编码器，可输出标准的NTSC或PAL制式的全电视信号，可通过MD转换电路实现数字图像输出:片上功能可通过IIC接口电路控制。,3CMOS图像传感器的工作流程,(1)初始化：初始化时要确定器件的工作模式，如输出偏压、放大器的增益、取景器是否开通等，并设定积分时间；(2)帧读出(YR)移位寄存器初始化：利用同步脉冲SYNC-YR，可以使YR移位寄存器初始化。S
43、YNC-YR为行启动脉冲序列，不过在它的第一行启动脉冲到来之前，有一消隐期间，在此期间内要发送一个帧启动脉冲；(3)启动行读出：SYNG-YR指令可以启动行读出，从第一行(Y=0)开始，直至Y=Ymax止，Ymax等于行的像敏单元减去积分时间所占用的像敏单元；(4)启动X移位寄存器:利用同步信号SYNC-X，启动X移位寄存器开始读数，从X=0起，至X=Xmax止，X移位寄存器存一幅图像信号；(5)信号采集:A/D转换器对一幅图像信号进行A/D数据采集；(6)启动下行读数:读完一行后，发出指令，接着进行下一行读数；(7)复位:帧复位是用同步信号SYNC-YL控制，从SYNC-YL开始至SYNC-
44、YR出现时间间隔便是曝光时间。为不混乱，在读出信号之前应确定曝光时间；(8)输出放大器复位:用于消除前一个像敏单元信号的影响，由脉冲信号SEN控制对输出放大器的复位；(9)信号采样/保持:为适应MD转换器的工作，设置采样/保持脉冲，该脉冲由脉冲信号SHY控制；,4.CMOS图像传感器的性能指标,(1)光谱性能与量子效率(2)填充因子：填充因子是光敏面积对全部像敏面积之比，它对器件的有效灵敏度、噪声、时间响应、模传递函数MTF等的影响很大。（3）噪声：光敏器件的噪声（热噪声、散粒噪声、产生复合噪声、电流噪声）；MOS场效应管中的噪声；CMOS成像器件中的工作噪声（复位噪声、空间噪声）。,5CMO
45、S图像传感器的发展趋势,CMOS图像传感器正朝着高分辨率、高灵敏度、宽动态范围、微型化、数字化和多功能的方向发展，并在越来越多的领域得到了广泛应用，以下为几种新型的CMOS图像传感器：掩埋光电二极管型CMOS图像传感器 低噪声CMOS图像传感器 高灵敏度CMOS图像传感器,（1）掩埋光电二极管型CMOS图像传感器 CMOS图像传感器在低照度下成像质量一直不如CCD，因而提高图像质量是CMOS图像传感器开发的重点。掩埋光电二极管型CMOS图像传感器采用掩埋光电二极管新型结构，降低了漏泄电流，在低压下也能确保无电荷残余的完全读出，实现了与CCD成像器件同等的高质量图像,（2）.低噪声CMOS图像传
46、感器 虽然具有低功耗优点的CMOS图像传感器在便携式信息终端的图像通信方面具有重要作用，但由于每个像素晶体管特性的不均衡及非人射光引起的暗电流，容易产生固定图形噪声。低噪声CMOS图像传感器采用了独特的DRSCAN噪声消除技术。该技术在逐点顺序读出每像素信号和噪声成份的同时，可在同一电路中消除晶体管特性不均引起的固定图形噪声。这是以前逐行消除难以做到的。同时，此类CMOS图像传感器还借鉴CCD的HAD(Hole Accumulation Diode)结构。即在传感器表面形成空穴积累层，从而抑制非人射光引起的暗电流。这两种固定图形噪声的降低，使信噪比有了明显的提高。另一方面，HAD结构中采用L形
47、门的像素结构，使几乎所有的电子完全转移，实现了无拖影的图像信号输出。,（3）高灵敏度CMOS图像传感器 高灵敏度CMOS图像传感器具有双金属光电屏蔽和氮化硅(Si3N4)抗反射膜的深P阱光电二极管结构的CMOSAPS。为了改善器件的灵敏度，高灵敏度CMOS图像传感器应用了深P阱、磷掺杂P型硅衬底、Si3N4、减反射膜、耗尽晶体管、双金属光电屏蔽等新技术。光入射到常规光电二极管和新型光电二极管时，前者的反射率为20%30%，后者的反射率10%。由于入射光反射率的降低，提高了器件的灵敏度。,CMOS图像传感器与CCD的比较,1.成像过程 CMOS图像传感器与CCD采用相同的光敏材料，光电转换的原理
48、相同。但是读取过程不同:CMOS图像传感器经光电转换后直接产生电流(电压)信号，以类似DRAM的方式读出信号。工作时仅需单一工作电压供电；CCD以电荷包的形式进行存贮及转移，其信号的读取需要多路外部驱动脉冲及电源的支持，系统电路相对复杂。,2.集成性 CMOS图像传感器可将光敏元阵列、信号读取电路、A/D转换电路、图像信号处理电路及控制器等集成到一块芯片上，从而易于实现单芯片的成像系统；由于和CMOS工艺不兼容，CCD难以将时序发生器、驱动电路及信号处理电路等集成在同一芯片上。这些功能只能由3-8个芯片组合实现，使系统的体积和重量增大，不利于系统的微型化。,3.噪声 由于CMOS图像传感器集成
49、度高，各元件、电路之间距离很近，干扰比较严重，噪声对图像质量影响很大；CCD技术较为成熟，其采用PN结或二氧化硅隔离层隔离噪声，成像质量相对CMOS图像传感器有一定的优势。4.功耗 CMOS图像传感器只需一路电源(3-5V)供电，其功耗仅为CCD的1/1Oz而CCD需要3路以上电源来满足特殊时钟驱动的需要，其功耗相对较大。,平板式数字检测器,照相平板印刷和微观电子技术领域的最新进展，使集成基于TFT阵列读出装置大面积X射线检测器的出现成为可能。与基于CCD的检测器不同，CCD检测器需要进行光电耦合和影像缩小，而基于TFT的平板系统的电荷收集和读出电子元件紧贴X射线发生交互作用的料层，从而使设计
50、紧凑，并能即时转化为数字影像。平板式数字成像X射线检测器可分为两类：直接转换检测器，它的X射线能量直接转换为电荷。间接转换检测器，其X射线能量首先由X射线闪烁器转换为光。碘化铯（用于X射线影像增强器）和氧硫化钆（用于传统的X射线增感屏使胶片曝光）是两种常用的闪烁器。,1大面积TFT阵列 TFT阵列在直接和间接数字放射成像系统中都用有源电子交换部件，TFT阵列放置在多层玻璃衬底上，读出装置在最低一层，电荷收集器阵列在高一些的层次上，然后根据检测器的类型，X射线敏感部件、光敏感部件、或这两种部件同时放置，形成这个复杂电子结构顶层。接着整个组件装入保护外壳中，并外接电缆，用于连接计算机，与所有的电子
