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1、Fab厂常用术语somephrasesandwordsinFABcleanroomsystemA.M.U原子质量数ADIAfterdevelopinspection显影后检视AEI蚀科后检查Alignment排成一直线，对平Alloy融合：电压与电流成线性关系，降低接触的阻值ARC：anti-reflectcoating防反射层ASHER:一种干法刻蚀方式ASI光阻去除后检查Backside晶片背面BacksideEtch背面蚀刻Beam-Current电子束电流BPSG:含有硼磷的硅玻璃Break中断，Slepper机台内中途停止键Cassette装晶片的晶舟CD：criticaldimen
2、s沁n关键性尺寸Chamber反应室Chart图表Childlot子批Chip（die）晶粒CMP化学机械研磨Coater光阻覆盖（机台）Coating涂布，光阻覆盖ContactHole接触窗ControlWafer控片Criticallayer重要层CVD化学气相淀积Cycletime生产周期Defect缺陷DEP:deposit淀积Descum预处理Developer显影液；显影（机台）Development显影DG:dualgate双门DIwater去离子水Diffusion扩散Doping掺杂Dose剂量Downgrade降级DRC:designrulecheck设计规则检查DryC
3、lean干洗Duedate交期Dummywafer挡片E/R:etchrate蚀刻速率EE设备工程师EndPoint蚀刻终点ESD:electrostaticdischarge/electrostaticdamage静电离子损伤ET:etch蚀刻Exhaust排气(将管路中的空气排除)Exposure曝光FAB工厂FIB:focusedionbeam聚焦离子束FieldOxide场氧化层Flatness平坦度Focus焦距Foundry代工FSG:含有氟的硅玻璃Furnace炉管GOI:gateoxideintegrity门氧化层完整性HeXamethyldiSiIaZane,经去水烘烤的晶片
4、，将涂上一层增加光阻与晶片表面附着力的化合物，称HCI:hotcarrierinjection热载流子注入HDP：highdensityplasma高密度等离子体High-Voltage高压Hotbake烘烤ID辨认，鉴定Implant植入Layer层次LDD:lightlydopeddrain轻掺杂漏Localdefocus局部失焦因机台或晶片造成之脏污LOCOS:localoxidationofsilicon局部氧化Loop巡路Lot批Mask(reticle)光罩Merge合并MetalVia金属接触窗MFG制造部Mid-Current中电流Module部门NIT:Si3N4氮化硅Non
5、-critical非重要NP:n-dopedplus(N+)N型重掺杂NW:n-dopedwellN阱OD:oxidedefinition定义氧化层OM:opticmicroscope光学显微镜OOC超出控制界线OOS超出规格界线OverEtch过蚀刻Overflow溢出Overlay测量前层与本层之间曝光的准确度OX:SiO2二氧化硅RR.Photoresisit光阻Pl:poly多晶硅PA;PaSSiVaHOn钝化层Parentlot母批Particle含尘量/微尘粒子PE:1.processengineer;2.plasmaenhance1s工艺工程师2、等离子体增强PH:photo黄光
6、或微影Pilot实验的Plasma电浆Pod装晶舟与晶片的盒子Polymer聚合物PORProcessofrecordPP:p-dopedplus(P+)P型重掺杂PR:photoresist光阻PVD物理气相淀积PW:p-dopedwellP阱Queuetime等待时间R/C:runcard运作卡Recipe程式Release放行Resistance电阻Reticle光罩RF射频RM:remove.消除Rotation旋转RTA:rapidthermalanneal迅速热退火RTP:rapidthermalprocess迅速热处理SA:salicide硅化金属SAB:salicidebloc
7、k硅化金属阻止区SAC:sacrificeIayer牺牲层Scratch刮伤Selectivity选择比SEM：scanningelectronmicroscope扫描式电子显微镜SlOt槽位Source-Head离子源SPC制程统计管制Spin旋转SpinDry旋干Sputter溅射SRSirichoxide富氧硅Stocker仓储Stress内应力STRIP:一种湿法刻蚀方式TEOS-(CH3CH2O)4Si四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯，常温下液态。作LPeVD/PECVD生长Si02的原料。又指用TEOS生长得到的Si02层。Ti钛TiN氮化钛TM:topmetal顶层金属层TORTool
8、ofrecordUnderEtch蚀刻不足USG:undoped硅玻璃W(Tungsten)鸨WEE周边曝光Yield良率EOT:有效栅极氧化层厚度HK/MG：highk/金属栅ALD：原子层沉积(atomlayerdeposition)DHF：稀释的HFTermExplanationCESLContactetchstoplayerDIBLDraininducedbarrierloweringEOTEquivalentoxidethicknessFERFinEdgeRoughnessGERGateEdgeRoughnessICIntegratedcircuitITRSInternational
9、technologyroadmapforsemiconductorsLERLineedgeroughnessMGGMetalgategranularityNBTlNegativebiastemperatureinstabilityPBTlPositivebiastemperatureinstabilityRDDRandomdiscretedopantsRMSRootmeansquareTCADTechnologycomputeraideddesignSRAMStaticrandomaccessmemoryVAMVariabilityawaremodelVAMIFVariabilityaware
10、modelinterface专业术语大集合话题：专业术语大集合Engineer工程PE:ProductsEngineer;生羟工程Processengineer制程工程TE:lestEngineer测就工程ME:ManufacturingEngineer;裂造工程；MechanicalEngineer械工程IE:IndustrialEngineer工蕖工程DCC:DocumentControlCenter文管中心BOM:BillOFMaterial材料清军ECN:EngineeringChangeNotice工程燮勃公告TECN:TemporaryEngineeringChangeNotice
11、工程陶畤夔勃公告AlY:AssemblyTestYieldTotalYield直通率TPM:TotalProductivityMaintenancePM:ProductManager;ProjectManagerECR:EngineeringChangeRequest工程燮更申ECO:EngineeringChangeRequest工程燮更指令EN:EngineeringNotice工程通辍WPS:WorkProcedureSheet工作l明耆ICT:InCircuitlest甯路测器能P/R:pilotrun;C/RcontrolrunT/Rtrialrun做EVT:engineerVeri
12、ficationlest工程瞬言正混DVT:DesignVerificationlest喉H涓JSMVT:MassVerificationlest多项瞬瞪涓ORT:OnGoingReliabilityTest出货信引性泅感S/W:software就:件H/W:hardware硬件DCN:DesignChangeNotice言I嘤更通知PVT:ProductionVerificationlest生j瞬BS测就MTF:ModulationTransferFunction调整樽换功能CAT:CarriageAlignmentTool戴器调整具ID:IndustrialDesignIMISKBlSti
13、)PCBA:PrintedCircuitBoardAssembly甯路板装F/T:FunctionTest功能测SCCD:ChargeCoupledDevice描描器之器ERS:ExternalReferenceSpec外部规格PMP:ProductionManagementPlan工程管理笥倒QAQualityAssurance量保QRA的UaIity&ReliabilityAssurance量典可靠性保瞪MQAManufacturingQualityAssurance裂造量保BSDQA:DesignQualityAssurance司贺量保BSQC:QualityControl,量控制IQC
14、:IncomingQualityControl收益量控制VQC:VendorQualityControl售：量控制IPQC:InProcessQualityControl制程量控制OQA:OutgoingQualityControl出量控制QE:QualityEngineer量工程AQL:AcceptableQualityLevel可接受的量水平DPPM:DefectivePiecesPerMillionunits百离件中有损件数PPM:PiecesPerMillion百离分之一CS:CustomService客服牙务MRB:MarerialReviewBoardDMRDefectiveMat
15、erialReport材料缺陷甄告RMA:ReturnMarerialAdministration材料回收虑理LifeTest毒命涓T/C:TemperatureCycle湍l度循H/T:HighTemperaturelest高温涓ML/T:LowTemperatureTest低温涓ISO:InternationalStandardOrganization斜票型化余口SPC:Statisticprocesscontrol统言十谩程控制5S:整理,整屯曳清理.清掘.素善VMI:VisualMechanicalInspection外Sg械横横购iMIL-STD:MilitaryStandard美罩
16、檄型SPEC:Specification规格AVL:ApprovalVendorList合格JS商QVL:QualifiedVendorList合格摩商FQC:FinalQualityControl最量控制OBA:OpenBoxAudit成品1瞬EAR:EngineeringAnalysisRequestFAI:FirstArticleInspection首件横瞬VQM:VendorQualityManagement摩商量管理CAR:CorrectiveActionRequest改iS封策要求4M:Man;Machine;Material;Method人限,材,方法5M:Man;Machine
17、;Material;Method;Mwasurment人,微材,方法蠲量MTBF:MeanTimeBetweenFailure平均毒命TL:TotalFINFinance&Accounting时15O艮目P&L:Profit&LosePV:PerformanceVarianceIa象差累3ElementofCost=MzLzOM:Material材料L:Labor人力Overhead管理用FixOHFixOverhead固定管理费用VarOHVariableOverhead不定管理费用COGSCostOfGoodsSold工J裂造成本AR:AccountReceivable愿收AP:Accou
18、ntPayableI镰支MISManagementInformationSystem资迅管理系统IS:InformationSystem资迅系统IT:InformationTechnology系统技街MRP:MaterialRequisitionPlan材料需求tf12informationIntegrationSystem资迅整合系统SAP:SystemApplicationProgramming系统申目ERP:EnterpriseResourceProgramming企策资源目HRHumanResource人力资源PR:Publicrelation公共Kl保T/O:TurnOverRate
19、=MonthIyT/0TotalPeople*12GR:GeneralAffair幺息矜OrganizationRHQHeadQuarter公司Chairmen主席Lite-OnGroup光集ISPresident裁ExecutiveVicePresident常矜副幺息裁VicePresident副名将裁HRHumanResource人力资源部FINFinanceSales金肖售R&D:Research&Developing研f部QA:量保QADQACSMIS:ManagementInformationSystem资迅管理系统PUR探瞒PurchasingIMD:ImageManagement
20、Division影像管理事蕖部ITS:InformationTechnologySystem甯部QRA:QualityReliabilityAssurance品保部MFG:Manufacturing裂造部PMC:Production&MaterialControl生（蜀物（料）管（理）Materials材料PC:ProductionControl生崖控制MPS:MassProductionScheduleMjt）FGI:FinishedgoodsInventory成品存：WUTS:UnitsToStock存黄:军元WIP:WorkingInProcessInventory在制品C/T:Cycl
21、eTime循璟啕目,瓶颈WD:WorkingDayS工作天MTD:MonthTbDays月初到今日（例如表整理）YTD:YearToDays年初到今日50: SalesOrder金肖售清军MO:ManufactureOrder裂造清军BTO:BuildToOrdertIS生崖P/N:PartNumber料MC:MaterialControl材料控制MRP:MaterialRequisitionPlan材料需求言十制INV:Inventory存：清军InvTurnOverDays=INVSNSBXWDJ存周樽天数PSI:ProductionShippingInventory剧秸待出货JIT:Ju
22、stInTime即畤SafetyInventory安全存量CKD:CompletedKitsDelivery全件更l装出货SKD:SemiKitsDelivery半件（小件）Ml装出货W/H:WarehouselRec:ReceivingCenter接收中心RawMTL原物料F/G:finishgoods成品ImportEporti出口51: ShippingInstruction彝货指令PL:PackingList包装清罩Inv:ShippingInvoice出货彝票ETD:EstimateArrive颈估雕畤冏BL:BillofLanding提黄（海遑）AWB:AirWayBill提货罩（
23、空0MAWA:MasterAirWayBill主提货军HAWB:HouseAirWayBill副提：TEU:TwentyfootEquipmentUnit（Contain）二十英尺货横FEU:FortyfootEquipmentUnit（Contain）四十英尺黄:横CY:ContainerYardR埸THC:TerminalHandingChargeWSORC:OriginalReceivingChargeWsSWPUR:Purchasing探聘FOB:FreeonBoard至甲板（雕岸慎）CIF:CostInsuranceFreight成本+费+保修灾OA:OpenAccountHfl户T
24、:TelegramTransferKCOD:CashOnDeliveryCRP:CostReductionProgram降低成本方案PR:PurchasingRequisition探麟申吐PO:PurchasingOrder探筋军MFGManufacturingProduction裂造生jDL:DirectorLabor直接人工IDL:IndirectLaborl出接人工DLH:DirectLaborHours直接工口寺Productivity=UTSZDLHPPH:PiecesPerHour每小畤件数Efficiency=Actuallarget（%）DT:MachineDownTime停檄
25、畤1I用AI:AutoInsertion自助插入MI:ManualInsertion人工插入SMD:SurfaceMountDevice表面粘著零件SMT:Surfacemounttechnology表面粘著技辨亍B/I:BurnIn(forhowmanyhoursathowmanydegree)WWI:WorkInstruction工作IS明SOP:StandardOperationProcedure作蕖指淳耆R/I:RunIn樽檄器ESD:ElectricalStaticDischarge静甯释放MP:MassProduction半导体词汇1. acceptancetesting(WAT:
26、waferacceptancetesting)2. acceptor:受主，如B,掺入Si中需要接受电子3. ACCESS：一个EDA(EngineeringDataAnalysis)系统4. Acid：酸5. Activedevice：有源器件，如MOSFET(非线性，可以对信号放大)6. Alignmark(key)：对位标记7. Alloy：合金8. Aluminum：铝9. Ammonia：氨水10. Ammoniumfluoride：NH4F11. Ammoniumhydroxide：NH4OH12. Amorphoussilicon：-Si,非晶硅(不是多晶硅)13. Analog
27、：模拟的14. Angstrom：A(IE-IOm)埃15. Anisotropic：各向异性(如POLYETCH)16. AQL(AcceptanceQualityLevel)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准(不同于口17. ARC(Antireflectivecoating)：抗反射层(用于METAL等层的光刻)18. AntimOny(Sb)睇19. Argon(Ar)M20. Arsenic(As)W21. Arsenictrioxide(As2O3)三氧化二碎22. Arsine(AsH3)23. Asher：去胶机24. Aspectration：形貌比(
28、ETCH中的深度、宽度比)25. Autodoping：自搀杂(外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层)26. Backend：后段(CoNTACT以后、PCM测试前)27. Baseline：标准流程28. Benchmark：基准29. Bipolar：双极30. Boat：扩散用(石英)舟31. CD：(CriticalDimension)临界(关键)尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLYCD为多晶条宽。32. Characterwindow：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。33. Chemical-mechanicalpolish(C
29、MP)：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。34. Chemicalvapordeposition(CVD)：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。35. Chip：碎片或芯片。36. CIM：computer-integratedmanufacturing的缩写用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。37. Circuitdesign：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。38. Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。39. Compensationdoping：补偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺
30、入受主杂质。40. CMOS：complementarymetaloxidesemiconductor的缩写。一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混41. Computer-aideddesign(CAD)：计算机辅助设计。42. Conductivitytype：传导类型，由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中多数需43. Contact：孔”在艺中通常指孔1,即连接铝和硅的孔。44. Controlchart：控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。45. Correlation：相关性。46. Cp：工艺能力，详见PrOCeSSCaPabiI
31、ity。47. Cpk：工艺能力指数，详见PrOCeSSCaPabiIityindeXa48. Cycletime：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通常用来衡量流通速度的快慢。49. Damage:损伤。对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。50. Defectdensity：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。51. Depletionimplant：耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。(耗尽晶体管指在栅压:52. Depletionlayer：耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。53. Depletionw
32、idth：耗尽宽度。53中提到的耗尽层这个区域的宽度。54. Deposition：淀积。一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法。55. Depthoffocus(DOF)：焦深。56. designOfexperiments(DOE)：为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等E57. develop：显影(通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程)58. developer：I)显影设备；II)显影液59. diborane(B2H6)：乙硼烷，一种无色、易挥发、有毒的可燃气体，常用来作为半导体生产中的硼源60. dichlo
33、romethane(CH2CL2)：二氯甲，一种无色，不可燃，不可爆的液体。61. dichlorosilane(DSC)：二氯甲硅烷，一种可燃，有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解的物质，常用于硅夕62. die：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区;63. dielectric：I)介质，一种绝缘材料；II)用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供电绝缘功能。64. diffusedlayer：扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形成与衬底材料反当65. disilane(Si2H6)：乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极
34、易燃的气体，燃烧时能产生高火焰，暴露在空气中会E66. drive-in：推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。67. dryetch：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐68. effectivelayerthickness：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。69. EM：electromigration,电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。70. epitaxiallayer：外延层。半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导体材料，这一单晶半471. equipm
35、entdowntime：设备状态异常以及不能完成预定功能的时间。72. etch：腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。73. exposure：曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。74. fab：常指半导体生产的制造工厂。75. featuresize：特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸,76. field-effecttransistor(FET)：场效应管。包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的多子流驱动而工作，77. film：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。78. flat：平边79. flatbandcapacitanse：平带电容80. flatband
36、voltage：平带电压81. flowcoefficicent：流动系数82. flowvelocity：流速计83. flowVOlUme：流量计84. flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数85. forbiddenenergygap：禁带86. four-pointprobe：四点探针台87. functionalarea：功能区88. gateoxide：栅氧89. glasstransitiontemperature：玻璃态转换温度90. gowning：净化服91. grayarea：灰区92. grazingincidenceinterferometer：切线入射干涉仪93.
37、 hardbake：后烘94. heteroepitaxy：单晶长在不同材料的衬底上的外延方法95. high-currentimplanter：束电流大于3ma的注入方式，用于批量生产96. hign-HfiCieneyparticulateair(HEPA)filter：高效率空气颗粒过滤器，去掉99.97%的大于0.3um的颗粒97. host：主机98. hotcarriers：热载流子99. hydrophilic：亲水性100. hydrophobic：疏水性101. impurity：杂质102. inductivecoupledplasma(ICP)：感应等离子体103. in
38、ertgas：惰性气体104. initialoxide：一氧105. insulator：绝缘106. isolatedline：隔离线107. implant:注入108. impurityn:掺杂109. junction:结110. junctionspikingn:铝穿刺111. kerf:划片槽112. landingpadnAD113. lithographyn制版114. maintainability,equipment:设备产能115. maintenancen:保养116. majoritycarriern:多数载流子117. masks,deviceseriesofn:
39、一成套光刻版118. materialn:原料119. matrixn1:矩阵120. meann:平均值121. measuredleakraten:测得漏率122. mediann:中间值123. memoryn:记忆体124. metaln:金属125. nanometer(nm)n：纳米126. nanosecond(ns)n：纳秒127. nitrideetchn：氮化物刻蚀128. nitrogen(N2)n：氮气，一种双原子气体129. n-typeadj：n型130. ohmspersquaren：欧姆每平方：方块电阻131. orientationn：晶向，一组晶列所指的方向
40、132. overlapn：交迭区133. oxidationn：氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应134. phosphorus(P)n：磷,一种有毒的非金属元素135. photomaskn：光刻版，用于光刻的版136. photomask,negativen：反亥IJ137. images：去掉图形区域的版138. photomask,positiven：正刻139. pilotn：先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子140. plasman：等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体141. plasma-enhancedchemicalvapordeposition(PEC
41、VD)n：等离子体化学气相淀积，低温条件下的等离子142. plasma-enhancedTEOSoxidedepositionn：TEOS淀积，淀积TEOS的一种工艺143. pnjunctionn：Pn结144. pockedbeadn：麻点，在20X下观察到的吸附在低压表面的水珠145. polarizationn：偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语146. POlyciden：多晶硅/金属硅化物，解决高阻的复合栅结构147. polycrystallinesilicon(poly)n：多晶硅，高浓度掺杂(>5E19)的硅，能导电。148. polymorphismn：多态现象，
42、多晶形成一种化合物以至少两种不同的形态结晶的现象149. probern:探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设备，用以连接圆片和检测设备。150. ProCeSSContrOIn:过程控制。半导体制造过程中，对设备或产品规范的控制能力。15LPrOXimityX-rayn:近X射线：一种光刻技术，用X射线照射置于光刻胶上方的掩膜版，从而使对应的光亥152. purewatern:纯水。半导体生产中所用之水。153. quantumdevicen:量子设备。一种电子设备结构，其特性源于电子的波动性。154. quartzcarriern:石英舟。155. randomaccessmemory
43、(RAM)n:随机存储器。156. randomlogicdevicen:随机逻辑器件。157. rapidthermalprocessing(RTP)n:快速热处理(RTP)。158. reactiveionetch(RIE)n:反应离子刻蚀(RIE)O159. reactorn:反应腔。反应进行的密封隔离腔。160. recipen:菜单。生产过程中对圆片所做的每一步处理规范。161. resistn:光刻胶。162. scanningelectronmicroscope(SEM)n:电子显微镜(SEM)。163. scheduleddowntimen:(设备)预定停工时间。164. Sc
44、hottkybarrierdiodesn:肖特基二极管。165. scribelinen:划片槽。166. sacrificialetchbackn:牺牲腐蚀。167. semiconductorn:半导体。电导性介于导体和绝缘体之间的元素。168. sheetresistance(Rs)(orpersquare)n:薄层电阻。一般用以衡量半导体表面杂质掺杂水平。169. sideload:边缘载荷，被弯曲后产生的应力。170. silicononsapphire(SOS)epitaialWafer:外延是蓝宝石衬底硅的原片171. smallscaleintegration(SSI):小规模
45、综合，在单一模块上由2到10个图案的布局。172. SOUrCeCc)de:原代码，机器代码编译者使用的，输入到程序设计语言里或编码器的代码。173. spectralline:光谱线，光谱镜制机或分光计在焦平面上捕捉到的狭长状的图形。174. spinwebbing:旋转带，在旋转过程中在下表面形成的细丝状的剩余物。175. sputteretch:溅射刻蚀，从离子轰击产生的表面除去薄膜。176. stackingfault:堆垛层错，原子普通堆积规律的背离产生的2次空间错误。177. steambath:蒸汽浴，一个大气压下，流动蒸汽或其他温度热源的暴光。178. stepresponse
46、time:瞬态特性时间，大多数流量控制器实验中，普通变化时段到气流刚到达特定地带的刃I179. stepper:步进光刻机(按BLoCK来曝光)180. stresstest:应力测试，包括特定的电压、温度、湿度条件。18LSUrfaCeProfile:表面轮廓，指与原片表面垂直的平面的轮廓(没有特指的情况下)。182. SymPte)m:征兆，人员感觉到在一定条件下产生变化的弊病的主观认识。183. tackweld:间断焊，通常在角落上寻找预先有的地点进行的点焊(用于连接盖子)。184. Cylortray:泰勒盘，褐拈土组成的高膨胀物质。185. temperatureCyCIing:温度周期变化，测量出的重复出现相类似的高低温循环。186. testability：
