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1、ICS31.080CCSL40中华人民共和国电子行业标准SJ118742022电动汽车用半导体分立器件应力试验程序Stresstestprocedurefordiscretesemiconductorinelectricvehicle2023-01-01 实施202270-20发布中华人民共和国工业和信息化部发布前言范围规范性引用文件术语和定义要求4.14.24.34.44.5,4.6IIl11123342豺牛组Z结构相似性.分立2件试9L-型.则会总则工作温度等级通用数据/结试验样品应力试班后检验试验程E5.15.25.35.4附录A附录B附录C(三i.-:444451620本文件按照GB/
2、T1.1-2020标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则的规定起草。本文件附录A、附录B为规范性附录，附录C为资料性附录.请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的贡任。本文件由工业和信息化部电子笫四研究院归口。电动汽车用半导体分立器件应力试验程序1范围本文件描述了电动汽车用半导体分立器件（以下简称器件）的分级及最低应力试验程序（用于应力下列文件 仅该日期对史 文件。J确定。2规范性引用文件体器件部分:热试验（HAST）3术语本文4要求4.1总则构属性（工艺和结构），确定器件适用的试试验程序组成器件检验方案）。本文件适用于指导制定电砂GBGJGJ2012导
3、体分解试验方法气候试验方法中的规氾性引用而构成本文件必不石的引用文件，其;4（7作用电子本文件中的试 半导体分立器件的检验 等级的质量和可靠性水平。使用本文件制定相应的检验方案断验项目, a)b) c),注日期的引用文件, 勺修改单适用于本而确定的，可按本文件要求制定应力试验的器件可视为具备相应并考虑以下内容：任何潜在新颖的和特有的失效机理；任何使用中不会发生但试验程序或条件本身可能会导致失效的情况;任何极端使用或过度应力条件导致试验加速过程降低的情况。4.2工作温度等级器件工作温度等级规定如下：a）等级0：工作环境温度范围-40oC125P;b）等级1：工作环境温度范用-40oC85P.4.
4、3通用数据/结构相似性使用原则4.3.1通用数据提倡使用通用数据简化检验方案，包括减少试验项目、降低抽样数量等，附录A给出了结构相似性的判定准则和使用程序，符合判定准则的一系列器件形成具有结构相似性的器件组，该器件组内所有型号器件的数据组成通用数据，并可用于后续器件的试验评价。在制定检验方案时，只要证明技术合理（试验数据足以支撑），可采用两个或更多的器件组共同完成试验。如果通用数据包含任何已发现或可预期的器件失效，该数据就不能继续作为通用数据使用，除非供应商能证明针对失效采取了纠正措施并实施有效，而且已经得到用户的批准。4.3.2通用数据的使用通过使用通用数据，可以积累器件组内通用的可靠性数据
5、信息。这些信息能够用来描述一个器件组的通用可靠性，并减少组内具体型号器件的试验项目。使用通用数据时应遵循以下的原则：使用最大包络参数罂件进行试验或测试，例如“最大范围（四角）”系列（如最高/最低电压，最大/最小器件体积等），则该组内后续可纳入该范围的具有结构相似性的器件可使用这些数据。有效的通用数据应来自具备相应资质或经认可的试验机构或实验室，也可来自供应商内部试验或测试（需经过评估），基本结构或标准单元的特性分析、试验或测试，用户特定试验或测试，以及供应商在线过程监控。在制定具体型号的检验方案时，所提交的通用数据必须达到或严于规定温度等级要求的试验条件。且至少对一个批次的器件完成电测试，电测
6、试温度必须覆盖器件工作温度等级所规定的温度范围。当检验方案采用通用数据对一个批次器件进行试验，试验出现失效，则该批次器件判为不合格。而当不采用通用数据时，需要对三个批次器件进行试验，试验出现失效，则该三个批次器件均判为不合格。用户有权利批准是否接受通用数据来代替实际试验.使用通用数据完成试验的批次要求按表1规定。表1试验批次要求器件信息检验批次要求新器件，无适用的通用数据按表2规定的批次和样品要求（适用时，间歇寿命或功率温度循环试验时间要求见表3）试验合格器件组覆盖范困内的新器件.新器件比已试验合格器件结构简单，满足附录的结构相似性规定仅进行4.2规定的器件特定试验.对需要开展的试验项目按表2
7、规定的批次和抽样要求有部分通用数据的新器件按附录A确定表2中要求的试验项目.批次和抽样要求按表2的规定器件工艺更改按表4确定表2中要求的试验项目.批次和抽样要求按表2的规定包括多个场所的试验按附录A.4包括多个器件组的试验按附录A.44.3.3通用数据的有效期自试验提交日期之前三年内的通用数据可在即将开始的检验过程中使用，此数据必须取自按照附录A规定的实际器件或同类试验合格器件组中的器件，包括任何用户或供应商的特定试验数据、工艺更改试验数据、周期性工艺可靠性监控数据（见图D过去当前用户#1特定试验V工艺更改试验VO用户.1工艺更改特定试验试验V V试验数据+工艺更改试 验数据+周期性工艺可 次
8、性检测数据=可接受 通用数据改前的数据将不可作为通用数据使用4.4试验样品4. 4.2L使用相复使4. 4.3除用于工程分析外4.4.4抽样数周期性工艺可 靠性检测数据内部器件供应商 特性分析内部试验备和加工工艺, 试场所完成电供应新开始生产所 后续量 测试。括参考通用数据确定表2试验项目的要求。如果通用数据不能满足这些要求，应对器件开展实际试验以 确保满足要求。:组座连续斑。当缺少通用都应在相同咨件也某些工艺更改（如工艺特征尺:4.4,1批次试验 圆批次流片, 批次。已用于酷不可用于其他的用试验样品在制：?次组成，非连续晶 间间隔至少一个试验的器件可用于其他试验和供货，已用于破坏试验样品抽样
9、数量如果供应商选择使用j 证明文件应记录有详细的试验条样数和接收判据。的证明文件（如报告或记录），且 应首先满足本条和4. 3的相关规定，包4. 4.5试验前/后测试要求表2中的“附加要求”栏规定了每项试验后的终点电测试温度要求（室温、高温和低温，适用时）.终点电测试的温度范围必须覆盖最严酷条件。4.5 应力试验后失效判据准则若器件出现以下情况，则视为失效：a）器件不满足用户规格书或供应商规格书的电参数要求。至少完成附录B所规定的参数测试要求；b）环境试验后参数变化量超过初始值的20%（漏电流除外，对耐湿试验，漏电流不超过初始值的10倍视为合格，其他试验不超过5倍视为合格）.超过该规定的器件，
10、供应商应证明参数超差的合理性，并得到用户批准；c）环境试验后出现外部物理损伤。经分析确定,引起失效的原因是操作错误、电应力过度（EOS）、静电放电或其他与试验/测试条件不相关的因素，经供应商和用户双方认可后，可不归为器件失效，但试验相关的数据资料应一并记录。4.6 检验合格及声明符合本文件的准则对器件开展实际试验（按规定的最小样本大小和零失效接收标准）或采用经证明合理有效的通用数据（按附录A规定的器件组/结构相似性原则）等方式按表1适用规定完成所有试验，试验结果合格，则视为器件检验合格。试验后，试验结果不满足接收标准的不合格器件，供应商应详细确定失效发生的根本原因，采取纠正措施，确保用户己经完
11、全了解失效机理并采取了应对措施。在失效发生的根本原因仍未确定或有效的纠正措施未得到实际开展前，不能声明器件符合本文件。为证明纠正措施的有效性，可能需要抽取新的样品进行试验。若通用数据中发现有失效情况，供应商应将纠正措施以文件形式固化并实施，在失效得到纠正和落实之前，此类数据不可用于通用数据。5试验程序5.1 通用试验表2给出了检验的相关试验项目和条件。对于每次检验过程，无论是针对器件的实际试验结果还是可接受的通用数据，供应商都必须具备相应的报告和试验数据证明文件。此外，需对器件组内其他器件进行审核，以确保该组器件不存在通用的失效机理。无论使用与否,供应商必须证明通用数据的有效性，并得到用户的批
12、准。对每次检验，供应商必须提供以下资料：a）器件设计、结构和已有的可靠性信息（如筛选试验数据等）；b）按表2确定的适当的检验大纲。表2的“附加要求”列中对试验项目的适用性、目的及终点测试要求进行说明（例如，某些试验仅适用于气密封装器件，而某一些试验仅适用于功率MOSFET岩件等）,任何未列入本文件的用户特定试验项目和条件要求，由用户和供应商协商确定。如果间歇寿命试验的7j100oC不能保证则执行功率温度循环。按表3的规定选择试验时间.5.2 器件特定属性试验所有待试验器件应进行以下试验，并根据实际试验结果判定器件是否通过试验考核。不可使用通用数据替代以下试验：a）静电放电特性（表2,E4和E5
13、分组）；b）电参数测试（表2,E2分组，供应商必须证明器件满足用户器件规格书规定的参数极限范围5.3 数据提交类型提交给用户的数据分为三类（表2中“数据类型”列）,当用户要求时，原始数据和资料图也应提交给用户。数据类型1：可能为器件组内通用或特定型号独有的数据，包括参数、性能和部分环境寿命可靠性数据，应提交每一检验批的数据（通用或特有）。数据类型2：与封装相关的数据，除非封装形式发生改变，否则不需要提交每一检验批的详细数据。当未做任何重大更改时，若供应商不提供该部分详细数据，应提交一份“一致性声明”文件承诺已经完成了详细的试验而且试验结果合格。对表2中试验项目“物理尺寸”（C2分组），“一致性
14、声明”的内容应满足用户封装规格书相关规定。对“静电放电敏感度带电器件模型”（E5分组），小尺寸外壳可能不足以携带足够的电荷，从而不满足试验规定的带电电压要求，对此类器件，应首先执行一次试验过程，若过程中发现电荷未达到要求，可进行“静电放电敏感度-人体模型”（E4分组）试验替代.供应商必须书面详细说明封装形式不足以携带足够电荷导致试验不能进行的理由。结果提交用户D5.4器件更改的器件设计、 靠性指标时,您 应商应将I目按表4规定评、功能、质量和/或可 哈要求按表2规定，供数据类型3：需提交的检验数据,为新器件检验（包括新封装形证明不开展某些试验的合，幽蝴啜懒虺曰T*5*,iS.1,.-?*三mH
15、).HHmF应商在重新检验过程中应考虑这些试验项目，作料以证明试验大纲的合理性。供应商应M8742022分组应力试验缩写数据类型适用类型每批抽样数抽样批次b允许失效数参考方法附加要求Al预处理PC1G/S表贴器件循环、混热、反侏湿、间那功率温我试验,温度,态湿1高温高:寿命、:循环等-按器件详细要求对表贴器件，仅对温度循环（TC）稳态湿热（AC）、反偏高温高湿（H3TRB）、间歇寿命（IOL）,功率温度循环（PTC）等试验项目适用。选择合适的敏感度水平.试验前后进行常温电测试.任何替代方法必须报告A2强加速应力试验HAST1D/G/U/V/37730GB/T4937.4-201296h,71=
16、130oC85%RH,或264h,K=UooC/85%RH器件反偏，偏压额定击穿电压的80%,最高达到试验箱弧光放电临界点（典型值42V,最大不超过100V）至少在试验前后进行常温电测试A2替代反偏高温高湿H3TRB1DGJV37730GB/T4937-1995m5B1000h.Tr=85oC85%RH,器件反偏，偏压额定击穿电压的80%,最大100V或试验箱温度极限.至少在试验前后进行常温电测试A3无偏置HASTUHAST1D/G/U7730GB/T4937-1995I115A表面贴装器件适用，试验前应进行预处理.AC试验条件：121oC101kPa,无偏置HAST试验条件：130oC85%
17、RH,96h或110oC85%RH,264h.对高温高压敏感封装形式（如BGA）,PC后进行100OhTH成验进行替代，条件：850C85%RII.试验后至少迸行常温电测试A3普代稳态湿热AC1D/G/U7730GB/T4937-1995I115A96h,n=121P,RH=100%,101kPa.至少在试验前后进行常温电测试（电测试）A4温度循环TC1D/G/U7730GJB128方法10511OOO次（范围从最低温度-55oc到最高额定结温，不超过150P）.可降低至400次（条件Z（max）=最高额定结温+25P）.至少在试验前后进行常温电测试表2应力试验要求表分组A4aA4a替代A5替
18、代BlaBlbD/G/P/U/Y附加要求适用类型应力试验缩写D/G/U/1/2TCHTTCDT检杳并进行键合引线拉力试验间歇寿命128 方法 1055M-D/G/K/P/UHTRB条件AACBVSSOPD/U/O/U高温反偏 寿命每批抽 样数据类型1038条件B （齐纳管）功率温度 循环温度循环 后高温测 试温度循环 后分层检 测反偏稳态寿命（老 炼）稳态工作 寿命如果间歇寿命（I按表3的规定Tr 100oC (部电测试无器件3给出的 IOOoC (测试品辿声扫描，选择5只分层最明显的器件开帼温测试，按参数验证（PV）极限值要求.对键合引件，抽取5只器件开帽后进行C3分组引线键合（所有引线）行
19、C34组鼾线键*拉力（WBP）试验（所有引线）若声扫；瞽试验条件。八=25器件工作，保证大额定值）至少在试验前后进行常7）1000C不能保证则执行该试验.寸间.器件加压，试验箱加电确保大额定值）至少在试验前后进行常或结温处于最大额定值，期间反偏，偏0%.调节环境温度7；补偿漏电流。也可降件是结温升高25P,调节K补偿漏电流。至后进行常温电测试书规定的最大稔态反偏电压和结温状态，期间反偏,大击穿电压的80%。调节环境温度7；补偿漏电流.至少试验前后进行常温电演!试最大额定电流（Iz）,调节n达到器件额定s,至少在试验前后进行常温电测试分组应力试验缩写数据类型适用类型每批抽样数抽样批次b允许失效数
20、参考方法附加要求B2高温栅偏寿命HTGB1D/G/M/P/U7730GJB128方法1042条件B1000h,结温力150P,或结温处于最大额定值，根据器件工艺条件器件正偏/负偏栅压为最大额定值,器件偏压为关态适用时，新工艺首次检验，正偏和负偏均要求3个批次.调节环境温度7；补偿漏电流.也可降低时间为500h,条件是结温升高25P,调节n补偿漏电流.至少在试验前后进行常温电测试。对使用异质（如金/铝互连）键合工艺的MOSFET,试睑后选取5只器件开帽并进行键合拉力试验，键合球应不发生脱落失效ClDPADPA1D/G210GJB4027从完成反偏高温高湿、强加速应力试验或温度循环试验的样品中随机
21、抽取样品C2物理尺寸PD2G/N3010GJB128方法2066按用户器件封装规格书检查尺寸和强度进行验证C3引线键合拉力WBP3D/G/E5个器件，至少10根键合引线0GJB128方法2037条件C或D对金丝引线直径20.0254mm,温度循环试验后最小拉力为3克（grams）,对金丝引线直径W0.0254mm,参考方法2037确定最小拉力值，对金丝直径W0.0254mm情况，应在键合球点端进行试验而不是键合引线中部C4引线键合剪切WBS3D/G/E0按适用规定对钢丝键合引线,、按适用标准规定C5芯片剪切DS3D/G510GJB128方法2017工艺更改前后器件工艺强度对比评估应进行C5分组
22、试验。工艺更改前后性能比较，评价工艺更改的性能C6引线强度TS2DIGfL3010GJB128方法2036评价带引线器件的引线完整性C7耐溶剂RTS2D/G3010GJB128方法1022验证标志耐久性。（激光打标器件或无标志器件不适用）C8耐焊接热RSH2D/G3010GJB128方法2031试验前后进行电测试.表贴期间应在试验期间完全浸没，除非供应商已证明有效性并得到用户批准（例如封装形式SOT223浸没，而封装形式D2PAK不浸没）附加要求1200g,仅YJ匕28方法2016标志和加工水平GJB128方法2071分组应力试验缩写数据类型适用类型.每批抽C9热阻TR3D/G森ClO可焊性S
23、D2Cll锡须生长评估WG3/C12恒定加速度CA2DC13扫频振动WF2D付JC14机械冲击MS2C15密封HER2dgDl介质完整性DI3l1El外部目检EV13014、3161磔方法GJB128方法1071小选:器件工艺强度对比评估应进行C9分组试验.测试合性并提供工艺更改对比数据I的焊接条件.对通孔器件条件A,SMD器件;覆金属等和展等构的异质接触适用在试验前后进行常温电测试制定间距为1.522kHz内50g加位），频率20HZ-IoOHz：100HZ到至少在试验前后进行常温电测试0.5ms1500g.,5师击/三个方向.至少在试验前后进行常温电测试按用户规格也延亍绳检滤和粗检漏评价工
24、艺更改的性能。所有器件必须大（仅适用于功率MOS和IGBT器件）O分组应力试验缩写数据类型适用类型每批抽样数抽样批次、允许失效数参考方法附加要求E2应力试验前/后电测试TESTt1G/N按要求和适用概件规格书对适用器件开展0用户规格书或供应商规格书该试验在室温下进行，作为相关应力试验程序的后续测试项E3参数验证PV1N253,0按器件详细要求参考用户规格书在工作温度范围内检查所有参数，确保合格E4静电放电敏感度（人体模型）HBM1DW301-附录C试验前后进行常温电测试E5静电放电俄感;度（充电器件模型）CDM2DW301-按适用规定试验前后进行常温和高温电测试.适用时，应证明器件足够小无法保
25、持试验所需电荷E6非箝位感性开关试验UIS3D510-工艺更改前后性能比较，评价工艺更改的性能（仅适用于功率MoS器件和内部箝位IGBT器件）E7短路特性SC3D/P1030-仅智能功率器件适用*适用类型字相D-破坏tE确保力G可使FF说明：生试验，经该读验的器件不可用于后续检验或生产供货；有样样品中包含了每种尺寸的键合引线；目通用数据；分组应力试验缩写数据类型适用类型.每批抽样数抽样批次0允许失效数参考方法附加耍求H仅气密封装器件适用.项目C12到C15应使用相同样品顺序开展试验，以评估腔体封装的机械完整性，括号内的数字为试验顺序；K不适用于稳压管（齐纳管）；1.仅带引线器件适用；M仅MOS
26、和IGBT器件适用；N非破坏性试验，经该试睑的器件可用于后续试验或生产供货；0仅稔压管（齐纳管）适用；P应考虑该试验是否适用于智能功率器件或选用其他适用考核要求.评估芯片逻辑或感应单元数量，预期用户式，开关速度，功率耗数和引出端数量.S仅表贴器件要求.T对二极管器件，若间歇寿命试验中100。C结温温升无法实现，可使用功率温度循环（A5替代）试验代替间歇寿命试睑（A5分组）确保结温变化.其他器件应进行间歇寿命试验；U此类试验可使用未成型外壳（例如IPAK）进行试触以替代等效封装形式（如DPAK）的试验,确保芯片尺寸满足范围要求：V对双向瞬态电压抑制管（TVS）器件，每一个方向应经受一半的试验周期
27、；WTVS器件不要求.4.2中的PV数据应在100%峰值脉冲功率（Pppm）后达到额定的峰值脉冲电流（Ippm）下测试；X对开关器件（如高速/超高速整流管，肖特基二极管），规格书中额定结温系指开关模式应用条件下的规定.开关器件在HTRB试验中使用亶流反偏条件可能发生热流失，规格书中可能未规定额定反偏电压条件下的最大额定结温，应在检验大纲和报告中进行明确,如：对100V肖特基器件，可施加100V条件，调整TA达到最大TA,保证器件不发生热流失，应记录电压、TA和TA等试验值并在检验大纲和报告中明确.Y仅适用于晶闸管；1仅适用于内部键合引线直径WO.127mm的MOSFET器件：2A4a分组及A4
28、a替代分组不适用于内部使用铜丝键合的器件；SJ/T =87420223钢丝.键合器件应评估其他可能失效模式和要求.*提供通用（系列）数据替代器件的实际试验数据，至少三个批次.对参数验证，有时候因环境/供应量等因素，用户会选择一个批次的数据接收试验通过，后续用户应自行评估仅一个批次数据的有效性并确定是否接收。表3间歇寿命（IOL,A5分组）或功率温度循环（A5替代分组）时间要求封装形式循环次数7j100oC循环次数A与21250c每次循环时间所有形式60000(x+y)15OoO次循环30000(x+y)7500次循环最快可能速度（最小开/关各2min）注1：X代表器件从环境温度达到规定温度的最
29、小时间，y代表器件从规定温度冷却到环境温度的最小时间:注2：对不同封装，件试验装置、安装方式和试验板散热方式等对X和y参数的影响会不同；注3：示例表4工艺更改后试验项目选择指南G分组A2及替代A3及替代A4A4aSA4替代A5及替代Bl/Bla/BlbB2ClC2C3C4C5C6C7C8C9ClOCllC12C13C14C15DlElE3E4/E5E6E7备注设计晶圆厚度-一XF晶圆直径一-芯片大小-一-EMF版图-3-3-EM-场区终端-二EM一晶圆制造晶圆来源-I-I-一-9,M-R光刻6,7-一-441P扩侬66-5,656M掺杂剖面/肖特基势全-0,5M-PR离子注入66-5,66一M
30、R多晶硅-EMPR金属化（正面）8-EP金属化（背面）-I一-钝化层/玻璃层-I-氧化667-丁.6,7-E外延生长-一MR腐蚀6,76,7-646,7-1,7-4-一8,M-背面处理-A厂线地点转移-一-EMAIPRS分组A2及替代A3及替代A4A4运A4簪代A5及替代Bl/Bla/BlbB2ClC2C3C4C5C6C7C8C9ClOCllC12C13C14C15DlElE3E4/E5E6E7备注D仅对引线涂覆更改P-CV曲线（仅MOS器件）4-OdE适用时R传播电阻剖面5源JF有限单元分析S稳态失效率6场G玻璃传输温度XX射线7钝彳k字母或符号.”表面工艺更改后相关失效机理应进行考虑，评估
31、受影响的性能或进，按表2“分组”列对应分组试验项目规定。R化腐蚀或氧化I发沟道区更改W终端更改上层更改时适用行此应力试验Cm的腐蚀工艺OlA.1范围附录A（规范性）器件组/结构相似性本附录给出了器件组/结构相似性的一般确定要求，具体型号器件检验方案的制定可参考本附录的要求确定是否可采用结构相似性组合试验,得到用户批准。供应商应给出重据以减少试验项目或样品数量，最终试验确定应的和支撑数据之间必须存在明确有效上该器件组其他型号器制BA.2晶似程度如何,；检验评信。不可用F检脸（见O组成器件组针并制造厂的当工（具有结a）要类别包括:体管;管;种工艺技术（如工工艺技;生更i的主烟（如试脸呢所有可能仔似
32、用器件通过检验后，其检!除外。的联系.t属于同一器件组（满足结构相似性的第件正文4.2中规定器件组中相同的主要工艺和材料。组中其他型号产品共用,规定的时间要求和有效性要求，对包含多种单选择最复月的情况，正文内容说明了如何b)晶1)2)3)4)5)6)7)8)9) 10)11)13)14)15)功率小信号三绝缘栅双极晶闸管；超高速整流二极管；一一一肖特基整流二极管；齐纳管；瞬态电压抑制管；整流二极管或快恢复二极管（PIN）；变容二极管；楮工艺器件；神化芽（GaAs）；可控硅（SCRs）。晶圆制造工艺晶圆制造工艺包括以下方面：1）工艺流程；2）版图设计规则；3）掩膜数量：4）单元密度（适用时）；5
33、）光刻工艺（如接触式与投影式、电子束与X光、阻光剂极性等）；6）掺杂工艺（例如扩散和离子注入）；7）钝化层/玻璃钝化材料和厚度范围；8）氧化工艺和厚度范围（栅氧和场氧）；9）前段/后段金属化材料，厚度范围和层数。c）晶圆制造地址A.3封装工艺每种封装工艺应独立开展应力试验。具有结构相似性的器件组，下述所列的主要工艺和材料必须相同。当工艺或材料发生更改时，器件组应重新检验，重新检验仅实施适用的试验项目。供应商应提交技术证明材料，以获得用户对该系列族的通用数据有效批准，包括封装类型、芯片尺寸、键合区尺寸和芯片纵横比等方面因素，确定需要开展应力试验的其他器件。器件组的主要属性包括：a）封装形式（例如
34、To-220,SOT-23,DO-41）器件的芯片尺寸/纵横比所需的键合区尺寸范围。b）封装工艺-包含以下相同的属性：1）引线框架材料；2）引线框架涂覆（内部和外部）；3）芯片粘接材料/方法；4）引线键合材料，引线尺寸和工艺；5）模塑料成分或其他封盖材料。c）封装场所。A.4多器件组和场所A. 4.1多场所待检验的器件或工艺属性可能影响多个晶圆制造或组装场所，受影响场所的至少一个批次样品应进行试验。A.4.2多器件组器件或工艺属性可能影响多个晶圆制造或封装系列，试验样品应包括每个制造厂每一种工艺的单一器件型号的三个批次器件，样品经受了最易被更改的属性，采用的样本应包括了每个封装厂最小三个封装批
35、的30个样品。下述给出了工艺和器件更改多种分析程序的推荐程序之一：a）鉴别工艺更改影响的所有器件；b）鉴别工艺更改潜在影响的关键结构和界面；c）鉴别并列出关键结构和界面潜在失效机理和失效模式；d）基于器件与技术工艺和封装系列的相似程度或易受影响程度定义器件分组和系列，对分组进行技术有效证明；e）提供检验大纲，包括更改、试验项目矩阵和代器件的信息，该信息可描述每种潜在失效机理和相关失效模式；f）每个地点每个受影响工艺步骤必须证明其工艺能力鲁棒性（例如每工艺步骤的控制，每工艺适用仪器设备的每一步的能力，所有受影响场地工艺每一步的等效情况）O附录B（规范性）最小参数测试要求B. 1目的本附录规定了各
36、类半导体分立器件的最小参数测试要求，在试验过程中，渊件应至少完成本附录所给出的相关参数项目，但不局限于此的规定。B2各类分立器件最小参数测试项目8. 2.1晶体管品体管最小参数测试项目如附表B.1所示。表8.1晶体管最小参数测试项目类型双极型管（BiPOlar）场效应管（FET）绝缘栅双极型管（IGBT）参数BFcexBPdssBFsF(BR)CesZcexJdssIcbsBX或A：BXIgssJESFcE(SAT)?DS(ON)FcE(SAT)ZtfbGh（适用时）FgS（八）或sFce()B.2.2二极管二极管最小参数测试项目包括：a） %,k,%（二极管）；b） %,Zv（光电管）；c）
37、匕或%片（齐纳二极管）；d）Rf（PlN二极管，适用时）。B.2.3变容二极管变容二极管最小参数测试项目包括:a） ;b） Cr.B. 2.4光电子管光电子管最小参数测试项目包括：a）%,人，k（二极管）;b）昨，A,A（光电管）；C）BVaaiIaatK三（sat）（晶体管）。附录C（资料性）分立器件静电放电敏感度分级一人体模型C. 1范围本附录内容描述了分立器件静电放电敏感度（ESDS）人体模型分级试验的程序。C.2仪器与设备C. 2.1试验仪器电路，应确1500。IWpF图C. 1静电放电敏感度（人体模型）连接示若最终模拟波形满足表C.L图C.2和不允许将引出端A、B反向以达到双向测试目
38、的:OOa电阻，精度1%,： 定，可使用多级叠加级联插座形式；充2.图Cl仅疥P意恃测电群进行本试验的设备 试验电路示意图.也 足表C. 1,图C.Cl是一个典型人体模型ESD 脉冲的能力，脉冲波形满按图C.1的连鬟试验线路时应考虑如下因素:a) b)c)d)e) f)g)任意模拟器的模拟器的设计应注仪器检验所有的R2 （见本开关S2应在充电脉冲到达后的IOmSIoOmS内转到闭合状态以避免器件持续充电，且至少在下一脉冲到来 10 ms前转到开启状态.C. 2.2测量仪器C.2.2.1仪器要求测量仪器包括示波器和电流探头检测模拟器输出脉冲满足本附录表Cb图C.2和图C.3的规定。C.2.2.2电流探头电流探头带宽
