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1、ICS 31.080.01L 40OB中华人民共和国国家标准GB/T4937.212018/IEC60749-21:2011半导体器件机械和气候试验方法第21部分：可焊性SemiconductordevicesMechanicalandclimatictestmethods一Part2IrSolderability(IEC60749-21:2011,IDT)2018-09-17发布2019-01-01实施国家市场监督管理总局4中国国家标准化管理委员会发目次前言Ill1 范围12 规范性引用文件13 试验装置11.1 1焊料槽11.2 浸润装置11.3 光学设备11.4 水汽老化设备11.5 照
2、明设备21.6 材料23.6.1助焊剂23.6.2焊料23. 7SMD再流焊设备31. 7.1模板或掩膜板32. 7.2橡胶滚轴或金属刮刀33. 7.3试验基板34. 7.4焊音35. 7.5再流设备46. 7.6助焊剂清洗溶剂44程序44. 1向后兼容性45. 2预处理44.2.1一般要求44.2.2水汽老化预处理44.2.3高温贮存预处理54.3浸入和观察可焊性试验程序54.3.1一般要求54.3.2浸焊料条件54. 3.3程序6 .4模拟板级安装SMDS再流可焊性试验程序111.1.1 1一般要求111.1.2 试验设备设置111.1.3 样品准备和表面条件131.1.4 目检135说明
3、13图1翼形封装被检区域8图2J形引线封装被检区域9图3矩形元器件的被检区域(表面安装器件)10图4小外形集成电路封装(SOIe)和四边引线扁平封装(QFP)被检区域(表面安装器件)11图5平顶峰形回流曲线图12表1水汽老化条件4表2海拔高度与水汽温度的对应关系5表3浸焊料试验条件5表4焊槽中杂质最大含量7GB/T4937半导体器件机械和气候试验方法由以下部分组成:第1部分：总则； 第2部分：低气压；第3部分：外部目检； 第4部分：强加速稳态湿热试验(HAST);一一第5部分：稳态温湿度偏置寿命试验； 第6部分：高温贮存；一第7部分：内部水汽含量测试和其他残余气体分析；第8部分：密封；第9部分
4、：标志耐久性；一一第10部分：机械冲击； 第11部分：快速温度变化双液槽法； 第12部分：扫频振动； 第13部分：盐雾； 第14部分：引出端强度(引线牢固性)； 第15部分：通孔安装器件的耐焊接热； 第16部分：粒子碰撞噪声检测(PIND); 第17部分：中子辐照； 第18部分：电离辐射(总剂量)；第19部分：芯片剪切强度；一一第20部分：塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响：第20T部分：对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输;一一第21部分：可焊性；一一第22部分：键合强度；一第23部分：高温工作寿命； 第24部分：加速耐湿无偏置强加速应力试验(HSAT);第2
5、5部分：温度循环; 第26部分：静电放电(ESD)敏感度试验 第27部分：静电放电(ESD)敏感度试验一第28部分：静电放电(ESD)敏感度试验人体模型(HBM);一第29部分：闩锁试验；机械模型(MM);带电器件模型(CDM)器件级; 笫30部分：非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理； 第31部分：塑封器件的易燃性(内部引起的)；第32部分：塑封器件的易燃性(外部引起的)；一一第33部分：加速耐湿无偏置高压蒸煮；一一第34部分：功率循环；一一第35部分：塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查；第36部分：恒定加速度：一第37部分：采用加速度计的板级跌落试验方法；一一第38部分：半导体存储器件
6、的软错误试验方法；一第39部分：半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量；一第40部分：采用张力仪的板级跌落试验方法： 第41部分：非易失性存储器件的可靠性试验方法；第42部分：温度和湿度贮存； 第43部分：集成电路(Ie)可靠性鉴定方案指南； 笫44部分：半导体器件的中子束辐照单粒子效应试验方法。本部分为GB/T4937的第21部分。本部分按照GB/T1.12009给出的规则起草。本部分使用翻译法等同采用IEC60749-21:2011半导体器件机械和气候试验方法第21部分:可。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本部分由中华人民共和国工业和信息
7、化部提出。本部分由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。本部分起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳市标准技术研究院。本部分主要起草人：宋玉玺、彭浩、高瑞鑫、裴选、朱振刚。半导体器件机械和气候试验方法第21部分：可焊性1范围GB/T4937的本部分规定了采用铅锡焊料或无铅焊料进行焊接的元器件封装引出端的可焊性试验程序。本试验方法规定了通孔、轴向和表面安装器件(SMDS)的浸入和观察可焊性试验程序，以及可选的SMDS板级安装可焊性试验程序，用于模拟在元器件使用时采用的焊接过程。本试验方法也规定了老化条件，该条件为可选。除有关文件另有规定外，本试验属于破坏性试验。注I:
8、本试验方法与GB/T2423基本一致，但由于半导体元器件的特殊要求，采用本试验方法。注2:本试验方法未对焊接过程中可能产生的热应力影响进行评估。参见IEC60749-15或IEC60749-20.2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。IEC61190-1-2:2007电子组件用连接材料第1-2部分：电子组件高质量互连用焊料的要求(At-tachmentmaterialsforelectronicassemblyPart1-21Requirementsforsol
9、deringpastesforhigh-qualityinterconnectsinelectronicsassembly)IEC61190-1-3:2007电子组件用连接材料第1-3部分：电子焊接用电子级钎焊合金及有焊剂和无焊剂的固体焊料的要求(AttachmentmaterialsforelectronicassemblyPart1-3:Requirementsforelectronicgradesolderalloysandfluxedandnon-fluxedsolidsoldersforelectronicsolderingapplications)3试验装置焊料槽深度应不小于40m
10、m,容量应不小于300mL,能容纳至少Ikg焊料。该设备应能将焊料温度保持在规定温度值的5以内。3.2 浸润装置应采用机械式浸润装置，该装置能控制引出端浸入和提出焊料槽的速率，以及在焊槽内的停留时间（在规定浸润深度停留的总时间）。3.3 光学设备应采用可提供放大倍数为10倍20倍的光学显微镜。3.4 水汽老化设备应采用足以容纳样品、耐腐蚀、带盖子的容器。样品应放置在使其底部至少高出水面40mm的位置。样品放置应选择适宜的支撑方式，支撑样品的支架应采用无杂质污染的材料。注：水汽老化过程中，老化装置采用合适的安装方式，能阻止水（水汽冷凝物）滴到样品表面。3.5 照明设备照明设备应能对样品提供均匀的
11、、无闪光的、全散射的照明。3.6 材料3.6.1 助焊剂除有关文件另有规定外，助焊剂应为标准的活性松香助焊剂（ROLI型助焊剂符合IEC61190-1-3:2007中表2的助焊剂类型和指定符号），应包括质量分数为（255）%的松香、（0.150.OlK的二乙胺盐酸盐和（74.850.5）%的2-丙醇（异丙醇）。在（252）C时，标准活性松香助焊剂的相对密度应为0.8430.005o规定如下：a）松香：1）颜色：标准松香色或灰白色；2）酸性值（每克松香的KOH含量，以mg计）：155（最小值）；3）软化点（环球法）:70-C（最小值）；4）流点（厄布洛德）：76（最小值）；5）灰分：0.05%（
12、最大值）；6）溶解度：将松香溶解到等质量的异丙醇中，溶液应清澈，在室温下放置一周后应无沉淀物出现。b）2-丙醇（异丙醇）：1）纯度：按质量比至少为99.5%的2-丙醇（异丙醉）；2）酸度（以乙酸计）：按质量比最大为0.002%（二氧化碳除外）；3）非挥发性成分：每100mL中最多为2mg3.6.2蝴3.6.Z1铅锡焊料除有关文件另有规定外，铅锡焊料的要求如下：a）化学组分：焊料不应包含铝、锌或镉等会影响焊料性能的杂质，各种成分的质量分数如下：1）锡：59%61%;2）睇：最大值0.5%;3）铜：最大值0.1%;4）W：最大值O.05%;5）铁：最大值0.02%;6）铅：剩余部分。b）熔化温度范
13、围：锡含量为60%的焊料熔化温度如下：D完全固态：183;2）完全液态：185。3.6.2.2无铅焊料除有关文件另有规定外，无铅焊料的各种成分的质量分数如下:a）锡：95%96.5%;b）银：3%4%;c）铜：0.5%-l%o3.7SMD再流焊设备3.7.1 模板或掩膜板模板或掩模板具有适合于试验引出端的几何开口。除供应商和用户另有协议外，当元器件引线节距小于0.5mm时，模板的标称厚度应为0.1mm;当元器件引线节距在0.5mm0.65mm之间时，模板的标称厚度应为015mm;当元器件引线节距大于0.65mm时，模板的标称厚度应为0.2mm。3.7.2 7.2檎胶滚轴或金属刮刀模板或掩膜板上
14、应刷上焊膏，对于窄节距的样品使用金属刮刀，对于标准节距的样品使用橡胶滚轴。3.7.3 试验基板用于模拟板级安装再流焊试验的SMD样品应对采用的基板进行评价。注1：陶瓷基板（氧化铝90$98%）可用于所有再流焊试验。注2:玻璃环氧树脂基板可用于所有再流焊试验。玻璃环氧树脂基板需能够承受焊接温度（如：该基板不适合热板焊接）。注3:为了对试验样品的引出端进行目检，试验基板需无金属化（无焊盘）。3.7.4 焊膏除有关文件另有规定外，焊膏成分应符合3.7.4.1和3.7.4.2的规定。3.7.4.1 含铅焊膏焊料成分应符合3.6.2的规定。除有关文件另有规定外，焊锡粉的颗粒尺寸应在2011m45Um之间
15、。助焊剂的成分应符合3.6.1的规定。焊膏的黏稠度范围和测量方法应在相关文件中详细规定。焊料成分应符合3.6.2的规定。焊锡粉尺寸应符合IEC6U90T-2:2007中表2中4的规定，即：颗粒均不大于40m;大于38Unl的颗粒小于1%;20um38um之间的颗粒至少占90%;小于22口m的颗粒小于10%。焊锡粉的形状应是球形的。使用的助焊剂应由质量分数为30%的聚合松香（软化点温度大约95C）、30%的二元酸变性松香（软化点温度大约140）、34.7%的二乙二醉单丁酸、0.9%的1,3-二苯M-HBr.0.5%的乙二酸（氯含量质量分数小于0.1蛤和4%的硬化葭麻油组成。使用的焊膏应由质量分数
16、为88$的焊锡粉末和12%的助焊剂组成。黏稠度范围应为（1805）Pas（注：焊膏的贮存和保存期限（车间寿命）需符合承制方的规定。3. 7.5再流设备对流再流炉（首选的）或红外再流炉应能够达到所使用的焊膏的再流温度曲线图。3. 7.6助焊剂清洗溶剂清洗引线和引出端助焊剂的清洗溶剂应能去除可见的助焊剂残渣，并符合当地环保要求。4程序3.1 向后兼容性通常，含铅引出端采用铅锡焊料可焊性试验条件评估，而无铅引出端采用无铅焊料可焊性试验条件。如果无钳引出端用于铅锡焊接中（向后兼容性），应采用标准铅锡SMT再流焊试验条件对其评估。向后兼容性试验不适用于无铅的BGA封装。3.2 预处理4. 2.1一般要求
17、预处理，也叫加速老化，可焊性试验前可根据需要进行选择。4. 2.2水汽老化预处理4. 2.2.1水汽老化预处理条件水汽老化预处理条件见表1。表1水汽老化条件条件暴露时间hAl0.5B40.5C80.5160.5注1：老化过程中只允许中断一次，且时间不得超过IOmin.注2：预防措施：老化装置需采用适当的安装方式，避免水凝结后聚集在样品表面。注3:除有关文件另有规定外，需使用水汽老化条件B。注4:潮湿环境中的预处理是为了检验水汽和焊接热对表面安装半导体封装器件的影响，并不是可焊性试验标准的一部分。见GB/T4937.20o注5:水汽老化预处理条件A应用于引出端表面完成镀银把和银钿金的样品。4.2
18、.2.2水汽老化程序在焊接之前，样品应先经历水汽老化，将样品表面暴露在3.4规定的水汽老化设备中。样品应悬空放置，以保证其所有部位都高出沸腾的蒸锵水或去离子水面至少40mm,在水汽中暴露的时间符合规定要求。元器件引线平面上的水汽温度应符合表2的要求。当水汽老化结束后，样品应从水汽老化设备中移出。表2海拔高度与水汽温度的对应关系海拔高度m水汽温度,C0-60093601-1250911251-1850891850874. 2.2.3系统清洁水汽老化设备应至少每月（或使用前）进行一次排空与清洁。根据水的电阻率、外观或洁净度，可以增加清洁频率。清洁时应采用无污染的溶剂。4.2. 2.4干燥和贮存程序
19、当试验样品从水汽老化设备中移出时，可以按照下述程序之一干燥样品：a）在干燥环境中（推荐用干燥氮气），最高IO（TC烘焙不超过1h;b）在室温环境下的空气中干燥至少15mine注：样品自老化设备中取出后的2h若不进行可焊性试验，在幡前需将其存贮在个干燥的广口瓶或干氮箱中，旦最长不超过72h。若超过这一存贮要求，样品将不能用于试验。4. 2.3高温贮存预顿样品可以通过高温贮存来代替水汽老化，条件为（1505）C下贮存4h16ho4.3浸入和观察可焊性试验程序4.3.1一般要求应根据有关规范中规定的引出端数量进行试验。在操作过程中，应注意保护试验表面，避免摩擦、油脂或汗液等造成刮擦或污染。可焊性试验
20、应在符合安全条例和规章的通风橱中进行。可焊性浸焊料试验条件见表3。表3浸焊料试验条件条件焊料类型焊料温度pC停留时间$A（船锡，只限表面安装器件）铅锡焊料215550.5B（铅锡，表面安装器件和通孔器件）铅锡焊料235550.5C（无铅，表面安装器件和通孔器件）无铅焊料24555O.5D（无铅，向后兼容性）铅锡焊料215550.51 .3.3Sff4 .3.3.1一般要求试验程序包括以下步骤：一一对引出端进行适当的预处理，如适用；一一对样品进行水汽老化或高温贮存，如适用；一使用助焊剂，将引出端浸入熔融焊料；检查和评价引出端的试验部位。4.3.3.2引出端预处理试验前不应对引出端进行擦拭、清洗、
21、刮或摩擦性处理。对引出端的任何特殊处理，如试验前的弯曲或重新定形等，应在相关文件中做出规定。如需去除多股绞合线的绝缘层，应采用适当的方式，不得使股线松股。4.3.3.3老化除有关文件另有规定外，样品应按照4.2的规定进行老化。4.3.3.4助焊剂的使用4.3.3.4.1一般要求除有关文件另有规定外，助焊剂应符合3.6.1的规定。在室温环境下，将引出端浸入助焊剂中(使用机械式浸焊工具)，浸入深度为能够覆盖检验表面的最小深度。设计的固定装置应能避免沾到过量的助焊剂。试验表面应浸入助焊剂中保持5s10s,并且在浸入焊槽前在空气中干燥5s20So助焊剂至少每天更换一次，当不使用时，应将其盖好。4.3.
22、3.4.2表面安装器件(SMDS)对于表面安装器件，试验的引出端应浸润助焊剂。一次试验只针对封装一侧的引出端。其他边的引出端，应依次进行助焊剂和焊料的浸润操作。注1:对于窄节距的样品，为避免焊料浸润时相邻引线之间的桥连，可以间隔去掉部分引线。注2:对于大热容量的器件和镀金引出端，浸焊前允许预热。需在有关文件中规定预热时间和温度。4.3.3.4.3其他元器件除有关文件另有规定外，试验时引出端应浸入至安装面或距离元器件本体L5mm处。4.3.3.4.4元器件引出端与助焊剂或焊料表面的角度元器件引出端与助焊剂或焊料表面的角度如下：a）含铅的通孔安装（THM）:90;b）含钳的表面安装（SM）:204
23、5或90;c）无铅的表面安装（SM）:20。45。4.3.3.5蝴4.3.3.5.1 一般要求试验前应将助焊剂的渣滓和燃烧物从熔融焊料表面撇去，焊料应符合3.6.2的规定。熔融焊料应保持在某一规定的温度。在引出端浸入焊料之前，应再次撇净焊料表面杂质。样品应固定在浸润装置上(见3.2),并把覆盖了助焊剂的引出端浸入熔融焊料中一次，浸入深度与4.3.3.4.1规定的深度一致。除有关文件另有规定外，浸入和提出速率应为(255)mms,在焊槽中的停留时间应为(10.00.5)s或(5.00.5)s(见表3)。浸焊结束后，样品在空气中冷却。引出端上残留的助焊剂应使用异丙醇或无氟氯化碳溶剂清洗。必要时，可
24、用浸渍了纯净的异丙醇或助焊剂清洗溶剂的软布或棉签擦掉所有残留的助焊剂。4.3.3.5.2 镀金引出端的浸焊当有规定时，镀金引出端应进行两次加助焊剂和浸焊料处理。第一次浸入是为了净化引出端上的金。4.3.3.5.3 焊槽污染物控制焊槽中试验焊料应经化学或光谱分析，或使用30d更换一次。锡含量和杂质含量应在表4规定的范围内。表4焊槽中杂质最大含量杂质杂膜质量分数极限值小铅锡焊料无铅焊料铜0.300按规定金0.2000.200镉0.0050.005锌0.0050.005铝0.0060.006睇0.5000.500铁0.0200.020肿0.0300.030祕0.2500.250银0.100按规定银0
25、.0100.010铅按规定0.100注1:对铅锡焊料，焊槽中杂质总含量保持在“以内，铜/金杂质的检测频率与锡含量的检测频率相同。该表中的各种杂质和铅含量在焊槽中保持平衡。注2:对铅锡焊料，铜、金、镉、锌和铝的含量之和不超过0.4%。注3:工作日8h内或其他工作时间，焊料使用状态是液态。注4:这些限制只针对3.6.2规定的合金，对于其他合金的限制需相应修改。4.3.3.6检查和失效判据4.3.3.6.1 f三求对引出端表面进行目检前，应清除所有助焊剂。4.3.3.6.2 检查放大倍数在10倍20倍显微镜下对所有元器件进行检查。4.3.3.6.3 蝴三每个引出端的被检表面应有至少95%以上的区域被
26、焊料覆盖。43.3.6.4针孔、空洞、孔隙、未浸润或脱浸润针孔、空洞、孔隙、未浸润或脱浸润不超过总检验面积的5赳任何两个在设计中并未要求相连的引出端或金属化区域之间，不应存在焊料桥连。在由焊料浸渍引起桥连的情况下，若局部加热（如气体、烙铁或再浸润）后在显微镜下观察到在这些端部之间的绝缘区上焊料收缩和不浸润，则该桥连可以接收。注：按4.&34.1的规定，需检查试验的整个表面区域（包括矩形横截面的所有表面）。存在争议时，针孑域空洞覆盖的百分比根据实际测得的面积与总面积相上演爻来确定。4.3.3.6.5被检区域的定义不同封装器件的被检区域示例见图1图4,定义如下：a）翼形封装：对于翼形封装，被检区域
27、界定为引出端的所有表面或不包括翼形引出端上方的表面（见图1）。通常不包括引出端端头无镀层区域（修剪区域）。b）J形引线封装：对于J形引线封装，被检区域为从引出端肩部到引出端过渡的狭窄区域的下方（见图2）。只包含三个可见表面。不包括引出端的末端。c）双列直插封装：对于双列直插封装，被检区域为从引出端末端到安装面以上0.5mm的机翼处。d）其他封装：对于除a）、b）、C）描述的其他封装，被检区域为从距离本体1.5Inm处延伸到引线末端或距离本体25mm处。a)S1图1翼形封装被检区域b）视图2注：被检区域=A表面（引线下表面）到IXT处和B表面。图1（续）a）视图1图2J形引线封装被检区域底座而b
28、）视图2注：被检区域=A表面（到2XT处）和B表面。图2（续）（底面）注：被检区域;A表小.乐同中圜T或。0mm中的较小值。图3矩形元器件的被检区域（表面安装器件）注1：被检区域=A表面(引线底面)到IXT处。注2:表面B和表面C不在被检区域内。图4小外形集成电路封装(SOlC)和四边引线扁平封装(QFP)被检区域(表面安装器件)4.4模拟板级安装SMDS再流可焊性试验程序4.4.1 一般要求作为4.3浸入和观察可焊性试验程序的替代方法，本方法可以作为表面安装器件可焊性试验的可选程序。浸入和观察可焊性试验方法不能充分的对窄节距的翼形封装器件（间距0.5mm）进行试验。同样，浸入和观察可焊性试验
29、方法也不适用于球栅阵列封装器件（BGA封装）。除有关文件另有规定，在可焊性试验之前应按4.2的规定对样品进行老化。注：对于窄节距封装器件，例如翼形封装，为避免相邻引线在浸焊时发生桥连，可间隔去掉部分引线。4.4.2 试验设备设置再流温度曲线参数（见图5平顶峰形）规定如下：a) T1:最低预热温度；b) T2:最高预热温度；c) ：焊接温度；d) T:峰值温度；C)t1:预热持续时间；f) t2：焊接持续时间；g) t3：峰值温度保持时间。用于浸润的再流焊温度曲线参数规定：a)对于铅锡焊料的再流焊参数规定：1) T1=(1205)X?;2) T2=(1505)C;3) t1=(60-120)s;
30、4) T3=225C5) 2=(205)s;6) T4=(2305);7)3=(105)Sob)对于无铅焊料的再流焊参数：1) T1=(1505)C;2) T2=(1805)r；3) k=(60120)s;4) T3=235C;5) t2=(205)s;6) T4=(2405)C;7) t3=(105)s注：以上参数适用于3.6.2中规定的焊料。对于其他的焊料，焊接参数做相应的修正。图5平顶峰形回流曲线图4. 4.3样品准备和表面条件4.1.1.1 所有的元器件引线或引出端的可焊性试验条件应与正常的组装焊接时的条件相同。被试样品不能用手直接接触或接触其他污染，引线或引出端不能被擦拭、清洁、刮伤
31、和磨损。4.1.1.2 用刮刀或滚轴将焊膏涂抹到掩膜板上（对于窄节距引出端使用刮刀，对于标准节距引出端使用橡胶滚轴），并将具有引出端图形的焊膏印刷到下面的陶瓷基板上。4.1.1.3 小心移开掩膜板，避免印刷到基板上的图形被涂抹，确保印刷的焊膏图形与被测元器件的引出端几何图形相同。4.1.1.4 使用镣子，将元器件的引出端放置在印刷好的焊膏上。避免用裸手接触焊盘使引出端被皮肤油脂污染。可以通过适当的放大倍数检查样品引出端的放置情况。注：推荐使目视对准工具帮助窄节距封装和球栅阵列封装器件引出端的精确放置。4.1.1.5 将基板放置在再流设备的适当位置，对基板和元器件进行再流焊。4.1.1.6 再流
32、焊试验结束后，小心取出焊有元器件的基板并冷却。4.43.7 样品冷却到室温后，用镶子将样品从基板上取下。由于助焊剂残留，引出端上可能会附着少量的残留材料。4.43.8 8使用适当的清洁方法除去助焊剂残留。4.4.4目检4.4.4.1 放大倍数在10倍20倍显微镜下对每个引出端进行检查。4.4.4.2 接收/拒收判据任一引出端的被检部分至少95%的面积覆盖有连续的焊料层，除了未浸润、脱浸润、针孔以外的异常不应拒收。对于表面安装器件，引线末端有切口或无镀层时，允许暴露末端金属。5说明相关文件应规定以下内容：a）采用的程序，如不是浸入和观察”；b）每个器件的受试引出端数量（见4.3）和试验条件；c）
33、适用时，引出端的特殊预处理（见4.3.3.2）;d）老化，若要求（见4.2）;e）浸入深度，如不同于4.3.3.4.1的规定；f）浸入、提出速率和（或）停留时间，如不同于4.3.3.5.1的规定；g）要求时试验后的电测试（参数、条件、分组等）h）焊料温度，如不同于4.3.2的规定；i）助焊剂型号，如不同于3.6.1的规定。GB/T4937.21-2018/1EC60749-21:2011中华人民共和国国家标准半导体器件机械和气候试验方法第21部分：可焊性GB/T4937.212018/IEC60749-21:2011於中国标准出版社出版发行北京市朝阳区和平里西街甲2号（IoOO29）北京市西城区三里河北街16号（IOoO45）网址：服务热线:400-168-00102018年9月第一版书号：1550661-61176GB/T 4937.21-2018版权专有侵权必究
