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芯片失效分析及材料分析芯片IC失效分析(FA)：光学检查(VI/OM)；扫描电镜检查(FIB/SEM)微光分析定位(EMMI/InGaAs)；OBIRCH；Micro-probe;聚焦离子束微观分析(FIB)；弹坑试验(Crateriig)；芯片开封(decap)；芯片去层(delayer)；晶格缺陷试验(化学法)；PN结染色/码染色试验；推拉力测试(WBP/WBS)；红墨水试验：PCBA切片分析(X-section)；芯片材料分析：高辨别TEM(形貌、膜厚测量、电子衍射、STEM.HDF);SEM(形貌观看、截面观看、膜厚测量、EBSD)；Raman(Raman光谱)；AFM(微观表面形貌分析、台阶测量)；测试地点:广电计量广州总部试验室、广电计量上海试验室。GRGT李工TEL138+0884+0060芯片失效分析方向主要设备 目检.外观检套设备： 光学显仪梗 金相显微镜O电性失效分析设制： 微光发射显微锄GaAs 激光语导光发射显微镜OBlRCH IVMa机 探针台 微观形貌分析设备： 扫描电子显微镜 双束聚焦离子束厦盖测试：“外观检测/热点定位，电住那试“货观切片分析,形t分析双m焦子束扫电子网m
