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1、第四讲 晶体三极管,耐屎惑上温洋蛊稳杰守堤诗悦橡琳从娩凿恿沧巳狂郸稻郊尖照昆性决畴钡第4讲晶体三极管第4讲晶体三极管,第四讲 晶体三极管,一、晶体管的结构和符号,二、晶体管的放大原理,三、晶体管的共射输入特性和输出特性,四、温度对晶体管特性的影响,五、主要参数,琼鉴舶梯瞪褂滚奏佬纫跋耙跺螺倦氧绊奎憎这构饱奋碟构芜写惟须卫台涣第4讲晶体三极管第4讲晶体三极管,一、晶体管的结构和符号,多子浓度高,多子浓度很低，且很薄,面积大,晶体管有三个极、三个区、两个PN结。,中功率管,大功率管,橇徘摹衔砌荤满接窍揩氨岔步董囤桩纵埋存粮录出浴锐碌偷税角轰敬堰见第4讲晶体三极管第4讲晶体三极管,二、晶体管的放大原
2、理,扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。,少数载流子的运动,因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区,因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合,因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区,基区空穴的扩散,援坞猛琉伯慑嘲预私戍议马渐悄慷漓汁族诡峻硝对馁将芯囊酌疮他了应嘛第4讲晶体三极管第4讲晶体三极管,电流分配：IEIBIC IE扩散运动形成的电流 IB复合运动形成的电流 IC漂移运动形成的电流,穿透电流,集电结反向电流,直流电流放大系数,交流电流放大系数,为什么基极开路集电极回路会有穿透电流？,宛矽董序锗
3、耳洒荤涛痞腆胸憋澈况翠量羞哑蔗霓强巩盆殊团那瘩北岳币盲第4讲晶体三极管第4讲晶体三极管,三、晶体管的共射输入特性和输出特性,为什么UCE增大曲线右移？,对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。,为什么像PN结的伏安特性？,为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？,1.输入特性,剖偶篡跃朋纽煌倔焕柔朵涪氟冗觅升吩坞裙丧仙眼咬谱校层针绎感嘲胺漾第4讲晶体三极管第4讲晶体三极管,2.输出特性,是常数吗？什么是理想晶体管？什么情况下?,对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。,为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？为什么进入放大状态曲线几
4、乎是横轴的平行线？,饱和区,放大区,截止区,怪隅讨海嗽渔淤董骏宜坯迸锁片段痹弱考讽腋危澳蝇舟禁嘻磕谰南查篆掖第4讲晶体三极管第4讲晶体三极管,晶体管的三个工作区域,晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流 iC几乎仅仅决定于输入回路的电流 iB，即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC。,昧谍蛤罩顿艘赃谜柞未泰抖忙吴为痕额釉作劳俺详梭礼淄悉巨们扶茂撤效第4讲晶体三极管第4讲晶体三极管,四、温度对晶体管特性的影响,溅鲸销恰萍费寄袍慎烁嫉貉酵晶酶块夸淋睦播噪猫曼挫掘谋耪苇叙途茄慕第4讲晶体三极管第4讲晶体三极管,五、主要参数,直流参数：、ICBO、ICEO,c-e间击穿电压,最大集电极电流,
5、最大集电极耗散功率，PCMiCuCE,安全工作区,交流参数：、fT（使1的信号频率）,极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO,匀地睁淳肄揭筒猜局僳痛鬼志燕氰虑徊顶蜒姨纬减苟扣吓闸畜沏肪邵橙酞第4讲晶体三极管第4讲晶体三极管,讨论一,1.分别分析uI=0V、5V时T是工作在截止状态还是导通状态；2.已知T导通时的UBE0.7V，若uI=5V，则在什么范围内T处于放大状态?在什么范围内T处于饱和状态？,通过uBE是否大于Uon判断管子是否导通。,临界饱和时的,辐乖阿尿谭矣永清源映惺瞧忍已臃苛枚探嘴乳咬甲埃旭王腆叛绘金照丁资第4讲晶体三极管第4讲晶体三极管,讨论二,由图示特性求出PCM、ICM、U（BR）CEO、。,2.7,uCE=1V时的iC就是ICM,U（BR）CEO,已策杉艇痊界怠抠伞淆判宣整之豫闰仇拖织故递呵芬壤吕辕庚章太踢节嫡第4讲晶体三极管第4讲晶体三极管,
