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1、晶体三极管的构造、符号、类型（一）构造和符号在一块极薄的硅或错基片上制作两个PN结就构成三层半导体，从三层半导体上各自接出一根导线，就是三极管的三个电极，再封装在管壳里就制成了晶体三极管。三个电极分别叫做发射极e、基极b、集电极c,对应的每层半导体分别称为发射区、基区、集电区。发射区与基区交界处的PN结叫发射结，集电区与基区交界处的PN结叫集电结。依据基区材料是P型还是N型半导体，三极管有NPN型和PNP型两种组合型式。它们的基本构造如图（a）所示。三极管的文字符号为V，图形符号如图（b）和（C）所示。两种符号的区别在于发射极箭头的方向不同，箭头方向表示发射结加正向电压时的电流方向。图2是常见
2、的几种国产三极管封装和外形。功率大小不同的三极管有着不同的体积和封装形式，在晶体管手册中有具体说明。图1体管晶体三极管的构造和符号a）构造b）符号c）大功率管外壳集电极早期生产的三极管有的采用玻璃封装；有些超小型三极管采用陶瓷环氧封装；绝大多数大、中、小型三极管采用金属外壳封装；大功率晶体三极管管壳是集电极，通常作成扁平形状并有安装螺钉孔，有的大功率三极管的集电极制成螺栓形状，这样能使三极管和散热器连接一体便于散热。近年来越来越多的中、小功率三极管采用硅酮塑料封装。三极管的制造工艺较多，图2-3和图2-4分别是用合金工艺和平面工艺制作的三极管构造示意图。不管哪种构造,都必须具有以下共同特点：1
3、 .发射区的掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。2 .基区都做得很薄（约几到几十微米），集电结面积制作得比发射结面积大。由于在构造上有这些特点，三极管并不等于两个二极管的简单组合，也不能将发射极和集电极颠倒使用。图2几种晶体三极管的外形和封装图3合金法工艺制作的晶体三极管管芯图4平面工艺制作的晶体三极管管芯（二）类型型号各种三极管都有自己的型号，按照国家标准GB249-74的规定，国产三极管的型号也是由五个部分组成。表2-1中第二、第三档所列的是三极管常见类型，对其含意需搞清楚。3 .分类通常按以下几个方面开展分类：（1）依据制造材料的不同，三极管分为错管与硅管两类。它们的特性大同小异。硅管受温度影响较小，工作较稳定，因此在通信设备上常用硅管。（2）依据三极管内部基本构造，分为NPN型和PNP型两类。目前我国生产的硅管多数是NPN型（也有少量PNP型）,一般采用平面工艺制造。错管多数是PNP型（也有少量NPN型），一般采用合金工艺制造。（3）依据工作频率不同，可分为高频管（工作频率等于或大于3兆赫）和低频管（工作频率低于3兆赫）。（4）依据用途的不同，分为普通放大三极管和开关三极管。（5）依据功率不同，分为小功率管（耗散功率Vl瓦=和大功率管（耗散功率，1瓦）。表1晶体三极管的型号
