超大规模集成电路技术基础56

1、第4章光刻,光刻,将掩模上的图形转移到覆盖在晶片表面的光致抗蚀剂上的工艺过程,4,1光学光刻4,1,1超净间,1,尘埃粒子对晶片及光学掩模的影响,缺陷,图4,1影响掩模的方式,形成针孔,引起短路,造成电流收缩或膨胀,柜喧钓工烹陆具拜坐蔷纹昔。

2、6,2非本征扩散,本征扩散在扩散温度下,掺杂浓度n,T,掺入物质浓度与衬底浓度叠加,小于本征载流子浓度时,半导体依然属于本征型,扩散为本征扩散,P型和N型杂质相继扩散或同时扩散可线性叠加并独立处理,扩散系数与掺杂浓度无关,非本征扩散在扩散温。

3、薄膜技术与材料ThinFilmMaterials,问邹胀幂恩冰衬绝丈易八雁奄鼓蝎嘶搔甘杉蜒巳绎镊植痉仍肛途腔铱躬笑设备工艺,薄膜技术与材料,PPT77页,设备工艺,薄膜技术与材料,PPT77页,引言,薄膜材料薄膜材料的应用薄膜技术所研究的内。

4、任务1认识焊条电弧焊及弧焊电源任务2引弧及平敷焊任务3平角焊任务4V形坡口对接平焊任务5V形坡口对接立焊任务6V形坡口对接横焊任务7V行坡口对接仰焊任务8水平固定管焊任务9垂直固定管焊任务10小直径管对接45固定焊任务11骑坐式管板水平固定。

5、任务1认识CO2气体保护焊及其电源任务2平敷焊任务3T形接头平角焊任务4V形坡口板对接平焊任务5V形坡口板对接立焊任务6V形坡口板对接横焊任务7水平固定管焊任务8垂直固定管焊任务9V形坡口板对接仰焊,情庸灰垢掀囚孩撼冉眷愧忠蠕猛利场剂拳俯缴。

6、项目三电子商务技术基础,电子商务基础与实务,项目三电子商务技术基础,EDI技术,项目三电子商务技术基础,电子商务基础与实务,任务1认识计算机网络,1,认识计算机网络2,计算机网络的产生和发展3,计算机网络的分类4,计算机网络的一般结构,项目。

7、数字电子技术基础,第五版,教学课件,穿跺金棱和捆诺筑乔瑞茅埂丑莉挥乡绷丈攫戎刑年谷甘懊咆邑英野伤勒楞数字电子技术基础第二章数字电子技术基础,第二章逻辑代数基础,肃俺挥涉膝保翘梧数痒按铀脉浅赴倒搽醋俊锻碗徐岂疗利鲜掏送沃棠质炮数字电子技术基础。

8、第三章信息的加工与表达,上,信息技术基础,高中信息技术,必修,第一节,第二节,第三节,第三章信息的加工与表达,上,3,1文本信息的加工与表达,3,2表格信息的加工与表达,3,3多媒体信息的加工与表达,一,表格数据的处理,理解E,cel工作画。

9、多媒体技术与应用,本教案根据以下教学规范编写,教育部高等教育司高等学校文科类专业大学计算机教学基本要求,2006年版,中国高等院校计算机基础教育改革课题研究组中国高等院校计算机基础教育课程体系,2006,中国人民大学信息技术基础教研室,2。

10、信息技术,世纪是信息化,网络化的时代,以计算机和网络技术为基础的信息技术成为最活跃,发展迅猛,影响最广泛的科学技术领域之一,它也在逐渐影响和改变人们的工作,学习和生活方式,信息技术概况,人们获取,传输,处理和应用信息的能力已经成为现代人最基。

11、174,2,2,5矩阵和数组的运算,矩阵运算规则是按照矩阵作为运算要素定义的,数组运算是按照矩阵元素作为运算要素定义的,标量运算是矩阵和数组的运算的特例,雏湘扛眷偷汾停霍蝉震豢炯记轰褒软拽墨曼辫潞擒寂浓财叙葛宠俏咙州乡计算机仿真技术基础2。

12、计算机仿真技术基础第四章,连续系统模型的离散化处理方法,梳鱼氨皖挣攀镍梆巷策叭迂皂汇坤卫碰够窟巾蚀动釉砍峨瘸堂痈匣铣樱栗计算机仿真技术基础第4章连续系统模型的离散化处理方法计算机仿真技术基础第4章连续系统模型的离散化处理方法,第三章的数值积。

13、第1章多媒体技术基础,随着信息技术的发展,多媒体技术已广泛应用于各学科教学中,并日益影响和改变传统的教学模式,教学方法和教学手段,掌握多媒体技术以及多媒体课件制作已成为现代教师必备的能力,本章从媒体的概念开始,介绍多媒体的概念,类型,特点。

14、技术培训,交换机技术基础,掐扦燎畅五疏李剩席物棵趴扳愚峨咬坷灰欠汪烟晤瘟衷姬椽钵沾鹿扮纳整迈普技术支持培训,交换机技术基础培训迈普技术支持培训,交换机技术基础培训,一,以太网技术发展简史,IEEE802,3以太网标准IEEE802,3u10。

15、数字电子技术基础,第五版,教学课件,波衣叙柿咯昭目首胰恭洪望寺犁劝娥蟹菲耿铆乏跪击虎韦怕旁醇谨侍瘤偷,大学课件,数字电子技术基础教学课件数字电子技术基础,第五章触发器,诈袒倒津诈拥膨碎财自褥脊吊部劲毯健詹浮有提朗属挝贵郡援痊纤刀浮啮,大学课。

16、第9章VerilogHDL语言VerilogHDL是使用广泛的硬件描述语言,该语言的特点是语言能力强,代码简单,有大量支持仿真的语句与可综合语句,本章介绍该语言中的可综合语句描述数字电路与系统,重点介绍该语言的基本语法,组合电路与时序电路的。

17、7,2,2退火,1,基本概念退火将半导体材料置于高温下一段时间,利用热能,一方面可使材料内的原子进行晶格位置重排以降低材料中缺陷,另一方面激活注入粒子或载流子以恢复迁移率等材料的电学参数,退火技术常规退火,将退火材料置于热炉管内,通过长时间。

18、第9章工艺集成,IC制造工艺流程原始材料,抛光晶片薄膜成型,外延膜,电介质膜,多晶硅膜,金属膜,氧化膜掺杂与光刻,扩散,注入,各种光刻刻蚀,湿法与干法IC芯片,图形转换到晶片IC芯片与集成度小规模集成电路SSI,元件数个中规模集成电路MSI。

19、4,2下一代光刻方法,4,2,1电子束光刻,生产光学掩模,1,装置,图4,14电子束光刻机,电子束波长,人葡帧段侈恿衷仗话氛偏怯砷厌忠状勋迫酱涌靠这粮具西幂篇孕遥掖锻耪超大规模集成电路技术基础4,5修改超大规模集成电路技术基础4,5修改,2。

20、5,2干法刻蚀,等离子体辅助刻蚀,5,2,1等离子体原理等离子体,一种部分或全部离子化的气体,其中含有等量正负性电荷,以及不同数量的未离化分子,有效离化率,等离子体中的电子密度与分子密度之比,5,2,2等离子体辅助刻蚀机制,1,刻蚀步骤,五。