《TiO2薄膜制备与性能.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《TiO2薄膜制备与性能.docx（17页珍藏版）》请在课桌文档上搜索。
1、书目中文摘要2英文摘要21结论32国内外探讨文献综述52. 1TiO?的结构51. 2TiO?薄膜亲水性原理62. 3相关参数对TiO,薄膜结构及其性能的影响63. 3.1晶粒尺寸64. 3.2结晶度和晶格缺陷65. 3.3表面积和表面预处理76. 3.4表面羟基77. 3.5薄膜厚度73试验部分73. 1试验系统介绍73.2 衬底的选择及清洗83.3 直流磁控溅射制备TiO?薄膜的试验步骤83.4 亲水性测试84试验结果及参数探讨94. 1氧流量对TiO薄膜的工作曲线的影响94.2 溅射功率的选择及其对薄膜的性能影响104.3 总气压对薄膜性能的影响124.4 氧负比对薄膜亲水性的影响134
2、.5 基片温度对薄膜性能的影响144.6 热处理对薄膜性能的影响16结论17谢辞17参考文献18直流磁控溅射法制备TiO二薄膜摘要：本文利用直流磁控溅射法在不同条件下制备玻璃基Ti(),薄膜样品，并检测了薄膜的超亲水性。探讨了沉积条件例如溅射总气压，氧气和负气的相对分压，溅射功率，基片温度和后续热处理对Tio2薄膜最佳性能的影响。试验结果显示：在较低温度下沉积的TiO?薄膜是无定型且亲水性较差。相反，在400C到500C范围内退火过后，薄膜表面呈现超亲水性能。本文在试验中获得的最佳制备条件为：溅射功率为94W,溅射气压在2.OPa,氧氧比是2:30,基片温度为4000C,最终在空气气氛中退火，
3、温度为450C关键词：直流磁控溅射：TiO?沌膜；超亲水性；退火温度PreparingTiO2EiImsbyDCReactiveMagnetronSputteringAbstract:InthispaperTiO2filmsaredepositedontheglasssubstratesbyDCreactivemagnetronsputteringatdifferentconditions.SuperhydrophilicityofTiO2thinfilmhasbeenexamined.Theinfluencesofthedepositionsuchasthetotalsputteringga
4、spressure,theirrelativeoxygenandargonpartialpressure,sputteringPOWer,substratetemper-atrueandpost-annealingtemperatureontheoptimumperformanceoftheTi2thinfilmarestudied.TheresultsshowedthattheTiO2thinfilmsputteredatlowtemperalureisamporphousandhasaratherpoorhydrophilicity.Incontrast,annealedatatemper
5、atureran-gingfrom400Cto500C,superhydrophilicityoftheanataseph-asedTiO2filmcanbeobserved.Thebestconditionsobtainedarethatsputteringpoweris94W,sputteringpressureis2.0Pa,oxygenargonratiois2:30,substratetemperatureis400Candannealingtemperatureinairatmosphereis450C.keywords:reactivemagnetronSputteringiTi
6、O2thinfilm;SUperhydrophiIicity;.annealingtemperatuie1绪论TiOZ有独特的光学、电学及化学性质，己广泛用于电子、光学和医学等方面。例如，作为氧传感器用于湿敏、压敏元件及汽车尾气传感器；作为光催化剂,可实现有机物的光催化降解,具有杀菌、消毒和处理污水等作用：利用其亲水亲油的双亲”特性,可使镀有Ti（薄膜的物体具有自清洁作用，从而达到防污、防雾、易洗、易干等目的：而金红石相TiO2薄膜是很好的人工心脏派膜材料。对于TiO,的探讨主要集中在制备、结构、性能和应用等方面。在TiO生能方面的探讨，尤以对其光催化性能的探讨最为丰富。由于TiO?具有高活性
7、、平安无毒、化学性质稳定（耐化学及光腐蚀）、难溶、成本低等优点，因此被公认为是环境治理领域中最具开发前途的环保型光催化材料。TiO.,作为光催化剂最初采纳的是悬浮相，但这种悬浮相的光催化剂存在难搅拌、易失活、易团聚和回收困难等缺点，严峻地限制了它的应用和发展。制备负载型光催化剂是解决这问题的有效方法,Ti03的薄膜型光催化剂已引起人们的极大爱好。1972年FUjiShima和HOnda在NatUre杂志发表了关于在Tiol电极上光分解水的论文，标记光催化自清洁时代的起先。自此,来自化学、物理、材料等领域的学者围绕光化学的转化和合成，探究多项光催化的开发以提高光催化的效率，做了大量的探讨工作，光
8、催化降解污染物时成为最活跃的探讨领域。为了扩大应用范南，人们将Tia以薄膜的形式负载于玻璃上，希望利用这种光触媒使玻喃具有自清洁的功能，但发觉仅仅是光催化作用还不能满意玻璃自清洁的要求。2019年科学家首次发觉TiO,薄膜的一种新特性一光诱导超亲水性并对其机理进行了说明，当TiOz薄膜表面被光照耀后润湿性得到很大改善，使其具有超亲水性，这种亲水表面使有机污物和无机污物不易坚固附着在玻璃上，在雨水的冲刷下简单去除。有了光诱导亲水性的保障，更借助Tio2的光催化氧化性使涂覆有Tio3薄膜的玻璃具有良好的自洁性能。自沽玻璃是新型的生态建材，可广泛用于玻璃幕墙、玻璃屋顶、汽车玻璃等行业中，具有重要的社
9、会效益和环境效益。由此科学工作者开发研制了很多制备TiOi薄膜的方法，例如溶胶一凝胶法、喷涂法、化学气相沉枳法和磁控溅射法等。但是溶胶一凝胶法和喷涂法所得到的Ti（,薄膜的膜厚匀称度难于限制：化学气相沉枳法所得到的薄膜及基体的附着力又较差，简单脱落：而磁控溅射法克服前面方法的缺点，能够获得附着力好、膜厚均一的Tia薄膜。本文目的主要是应用DC（直流）磁控溅射设备在玻璃基底上制备Ti0?超亲水性薄膜。应用dc（直流）磁控溅射设备制备Tia薄膜有以下优点：（1）能够限制薄膜的化学计量比；（2）简单获得高纯度的金属钛靶材：（3）由于金属钛靶材是导体可以干脆应用到DC（直流）磁控溅射设备上，避开了应用
10、困难、昂贵的RF（射频）磁控溅射设备；（4）金属钛靶材易于加工成型和及磁控靶连接：（5）金属钛靶材是热的良导体，易于冷却避开了工作过程的不稳定：（6）能够在低温条件卜.沉积TiO,薄膜。溅射时的条件确定了能否出现金红石、锐钛矿或是非晶结构。同时,i膜的晶粒大小也可通过限制溅射过程的参数如沉积速率、溅射气体、氧分压、基体、退火温度以及采纳一些特别的溅射工艺来加以调整。这样，可以使Tia,薄膜的性能满意不同应用领域的须要。2国内外探讨文献综述2. 1Tia.的结构TiOJKJ晶体结构有3种:金红石、锐钛矿和板钛矿。这些结构的共同点是,其组成结构的基本单位均是TiOt,八面体,而区分是这些Tia,八
11、面体是通过共用顶点还是通过共边组成骨架。锐钛矿结构是TiS八面体共边组成，而金红石和板铁矿结构则是由T100八面体共顶点且共边组成。因晶体结构不同，3种晶型的性能也有差异。就薄膜型的Ti()3而言，目前只观测到金红石和锐钛矿两种结构，尚未在Tio,薄膜中观测到板钛矿结构1.影响Ti()2薄膜结构的因素较多，目前探讨最多的是温度和氧分压对Tia薄膜结构的影响。表2.1Ti(的晶体结构锐钛矿(anatase)金红石(rutile)板钛矿(brookite)所属晶系四方晶系四方晶系斜交晶系晶格参数a=0.3785nm,c-0.9514nma=0.4593nm,c=0.2959nma=0.5456nm
12、,b=0.9182nm,c=0.5143nm锐钛矿相Ti0?具有良好的光催化性和光致亲水性。锐钛矿相的光催化性和光致亲水性的反应原理大同小异，实践中可检测其中随意一项也许判定薄膜是否有锐钛矿相。及金红石相相比锐钛矿型Ti(土的光催化活性最好，约为金红石型的300200()倍。无定形和板钛矿相的TiOz无光催化活性。肯定比例的混晶由于两种结构混杂增大了半导体氧化物晶格内的缺陷浓度而显示出更强的光催化活性，何建波等41认为锐钛矿及金红石的质量比为7：3的混晶（热处理温度670C）的光催化活性最强。2.2 Ti（薄膜亲水性原理TiO?是一种n型氧化物半导体，对锐钛矿结构的Ti0”其禁带宽度约为3.2
13、eV,相应的截止波长值约为380nm.它在波长短于38Onm的紫外线照耀下，表面产生氧空穴和电子，对应的TF转化为Ti:当表面有水分子时,空穴及水反应生成0H羟基，这种0H羟基使表面及极性水分子的相互作用变强，这样在氧空穴处形成了亲水区域。也就是说，在紫外光的照耀下，比0在TiO：表面的吸附由物理吸附转变为化学吸附，宏观上表现为水在其表面的接触角变小。TiO表面的氧及羟基（化学吸附水）的置换,形成二维毛细管现象。当行0:;表面不再受到紫外线照耀时,氧空穴有可能捕获电子或者活泼的羟基及其它气体发生化学反应而渐渐失去活性，宏观表现为水的接触角渐渐变大，即紫外线照耀后的Ti薄膜表面的亲水性能具有肯定
14、的寿命。因此，测量水在TiO/薄膜表面的接触角可以探讨Ti（薄膜的亲水性能。2.3 相关参数对TiO二薄膜结构及其性能的影响2. 3.1晶粒尺寸通常认为粒子尺寸越小,其光催化活性越高。纳米尺寸的TiO?具有更高的光催化活性，这是因为当半导体颗粒尺寸接近10nm时，出现量子尺寸效应，即半导体导带和价带变为分立的能级，能隙变宽，从而导带电位更负，价带电位更正,使其获得更强的氧化还原实力，因而催化活性大大提高。3. 3.2结晶度和晶格缺陷（上晶体发育不良，晶格缺陷多，将会降低Tio2的光催化活性。因缺陷（如空位、畸变、界面、位错等）是光生电子-空穴深层捕获的陷阱和复合中心。为了提高光生我流子的分别效
15、率，TiO:,须要有良好的结晶度、无或少晶格缺陷。4. 3.3表面积和表面预处理在其它因素相同时，增大TiOz的表面枳，有助于光生载流子的生成和反应物在表面的吸附，有利于光的汲取，从而使光催化实力提高。表面预处理对薄膜的光催化性能也有肯定影响。薄膜表面用水清洗和在室温下保存都会导致其光催化实力的显著下降71。上述光催化实力的下降和失效都可以通过紫外光源的预照舔来使其重新激活。5. 3.4表面羟基TiO2薄膜表面羟基是由于TiOZ薄膜表面的吸附水及TiOz发生水解作用引起的，可加入肯定量的添加剂来提高表面羟基的含量。早期的探讨认为，表面羟基在光催化反应中的作用主要是俘狭空穴，形成羟基、超负氧离子
16、伪等活性化学物种，间接实现有机物的氧化，由此得出，TiS,薄膜表面羟基含量越高，光催化活性越强。随着探讨的深化，人们起先相识到表面羟基对催化活性的影响有双重作用，即它在俘获空穴以及形成氧化活性物种的同时，也可能成为载流子的复合中心，降低反应活性I6. 3.5薄膜厚度薄膜厚度不同，薄膜生长状况会有所差异，影响结晶的完整性；同时厚度的不同会导致薄膜中污染物的传输距离和紫外光的传播距离存在差异，从而影响其光催化性能。当薄膜厚度小于其特征厚度（特征厚度及耗尽层的厚度相当），其催化活性较低，增加薄膜的厚度能提高其催化活性；当薄膜的厚度及其特征厚度相当时，其催化活性较高；当薄膜的厚度大于其特征厚度时，薄膜
17、对紫外光的汲取会下降，进而导致TiO,光催化活性下降。3试验部分6.1 试验系统介绍本试验系统为沈阳中科仪的JGP450C型超高真空系统，系统示意图如图3.1所示，拥有三个溅射靶位：个05KVA直流溅射电源，两个SY型50OW射频功率源，次可装载个基片；2X-8B型旋片泵用于抽低真空，抽超高真空则用涡轮分子泵；真空度测量为FZH-2BK,型复合真空计；气体流量由D08-2B/ZM型流量显示仪限制：基片由温控电源电阻加热。图3.1真空试验系统的示意图6.2 衬底的选择及清洗选用厚度为1.lnIm的超薄SOdaTime玻璃为衬底，采纳化学清洗和超声波清洗相结合的方法去除基片表面的灰尘、纤维、油脂、
18、蛋白质等污染物，然后把清洗好的玻璃片保存在无水乙醇中，运用时用电吹风快速烘干送入真空室。6.3 直流磁控溅射制备Ti（薄膜的试验步骤（1）首次做溅射试验，先要擦洗真空室，并用热吹风吹干，调整犯基距为60mm安装纯度为99%的金属钛靶,然后装好基片。（2）起先抽真空。用机械泵抽低真空，在真空度低于5Pa时,运用分子泵抽超高真空。假如试验对基片加热有要求，可在分子泵正常工作后开温控电源加热。（3）当本底真空抽到低于8X10Pa时，充入纯度为99.9%的Ar进行预溅射，以除去靶表面的氧化物，当视察到靶表面的辉光颜色由粉红变为蓝白色时或电压稳定在一固定值时，表明氧化物已经除去。（4）当预溅射完成后，充
19、入纯度为99.9%的氧气及调整相关参数进行正式溅射，溅射时间为2h。（5）取出溅射完毕的基片，设定退火温度参数在SKT72型电阻炉中退火。退火完毕，取出做亲水性试验。7. 4亲水性测试把退火完毕的TiO二薄膜置于坐标纸上用紫外光（入=254nm）照耀段时间（此过程为激活），紫外灯管到膜片的距离为IOCn1；将Ill1.的蒸镭水滴在薄膜上，利用坐标纸上的刻度读取水滴的直径，并经计算转化为接触角，由此得到接触角随紫外光照耀时间的变更关系。须要设备：人=254nm的紫外灯，坐标纸或直尺，1口1.的微量取样计，秒表。4试验结果及参数探讨4.1 氧流量对Tia薄膜的工作曲线的影响图4.1不同氧流量条件下
20、的工作曲线磁控溅射是利用辉光放电的原理进行工作的，因此首先要探讨放电条件。图4.1为不同电流条件下的工作曲线。由图4.1可以看出，刚起先电压随氧分压增加上升较慢,在0.6SCCnl旁边急剧上升,并于该点处达到最大值，这一点我们称之为临界点。随后电压略微下降。图4.1还表明临界点的位置随电流的增加而向氧分压增大的方向移动。这个结果及文献10中的试验结果类似。这种现象可以这样来说明皿：氧反应溅射过程主要是两种作用一一靶氧化和溅射作用相互竞争的过程。起始阶段氧气气压较低，靶氧化作用较弱，这时溅射作用是主要的。由于靶表面的氧化很弱，当氧流量很小时，靶表面形成的氧化物被快速的溅射出去，因此产生恒定电流所
21、需的电压较低，这时靶表面的放电颜色为蓝白色，此过程称为金属模式。随氧气气压上升，靶氧化越来越严峻，氧化作用成为主要的，靶表面形成氧化层。由于氧化物为绝缘体，使得同样的电流条件卜.，电压急剧上升，放电颜色也渐渐变为粉红色，此过程称为转变模式，靶电压会有剧烈的突变即靶电压突然增加，虽然此时有高的溅射速率和高的沉枳速率，但靶处于高度的不稳定状态，假如须要在此状态下工作需用等离子体放射监视器及反应快速的阀门对氧流量进行限制。同时由于氧化物的二次电子放射实力要比纯金屈的高，乂会使电压有肯定程度的下降。在临界点，氧化作用及氧化物的二次电子放射作用产生的总的净效果最大，因此电压最高。氧气再增加，氧化作用增加
22、的效果弱于氧化物二次电子放射作用增加的效果，因此电压略有卜.降。此后，氧气再增加，由于靶表面氧化趋于饱和，因此电压变更不大，此过程称为反应模式。另外由于溅射电流的增加引起溅射作用增力口,这必定会导致临界点向氧分压增加的方向移动。表4.1金属、转变和反应模式沉积速率的比较Table4.1Comparisonofdepositionratesinmetal1ic,transitionandreactivemodes薄膜材料相对沉积速率金属模式转变模式反应模式Ti,Tia1.000.410.10Sn,SnQ21.000.420.15Si,SiO?1.001.40反应模式比金属模式下的电压高并且处于相
23、对稳定状态溅射量和沉积速率相对较低，能够获得符合化学计量比的薄膜，表4.1出比较了金属、转变和反应模式的沉积速率。所以试验中为保证薄膜质量及过程稳定，我们所用氧流量都在反应模式阶段。4.2 溅射功率的选择及其对薄膜的性能影响本文探讨了两个功率系列的TiO,薄膜的性能，即74W系列和94W系列。表4.2和表4.3分别为74W和94W系列的溅射条件。试验结果：74W制备的薄膜的透亮度较94W系列薄膜的透亮度低，74W制备的薄膜偏银白色雾状，94*制备的薄膜呈黄色透亮度良好且薄膜不匀称处有彩虹出现：94W系列的薄膜的在紫外光光照2min后，测量亲水性的水滴直径最大在1315nun,而74N系列的测量
24、亲水性的水滴直径最大在12nun,且要达到最大直径须要紫外光照耀更长的时间。由于94W系列的薄膜效果总体好于74W系列薄膜，本文接下来重点探讨94W系列试验制备的相关参数。表4.274W系列的薄膜制备条件功率基片温度工作气压溅射时间氧氮比变更范围退火条件74W3000C1.8Pai6Pa2.0h1:301:5450C空气退火2h表4.394W系列的薄膜制备条件功率基片温度工作气压溅射时间氧氮比变更范围退火条件94W3000C2.0Pa2.0h1:301:5450C空气退火2h当功率较小时（74N）,部分氢离子所具有的能量有可能低F靶材原子的逸出功，这部分鼠离子对溅射成膜没有贡献；即使能量高于靶
25、材逸出功的那部分菽离子所具有的能量也较低，被轰击出来的靶材原子所具有的能量也相应较低，造成靶材原子到达衬底的几率降低，因此薄膜的沉积速率偏低。隙者溅射功率的增大，负离子能量增加，被溅射出来的靶材原子能量相应增大，从而提高了靶材原子到达衬底的几率，最终导致沉积速率的提高，薄膜厚度随功率增加而增加，同时溅射出来的钛原子有足够的能量及氧气充分反应，获得具有化学计量比的薄膜，而高能量的粒子有更充分的能量在玻璃表面迁移结晶从而结晶质量较好，所以94W的薄膜透亮度和亲水性都较好。当进一步增加功率，过大的功率一方面造成溅射出的钛原子不能充分反应,从而成膜质量较差；另一方面,对成膜设备也提出了更高的要求。所以
26、，结合当前的试验条件，94W功率制备薄膜即能满意薄膜的质量要求，又能不损坏设备和靶材。4.3 总气压对薄膜性能的影响从表4.3中可看出制备94邛系列薄膜的工作气压为2.OPa,并且在试验中取得了很好的亲水性效果。晶体的形成主要是由基底温度和到达基底的粒子能量确定的，在衬底温度相同时，到达基底的粒子的能量起确定作用。在肯定的衬底温度下沉积Tia薄膜，溅射气压是个重要的参数，较高的气压下，方面，粒子的平均自由程比较短，相互碰撞几率很大，能量损耗；另方面，溅射电流不变的状况下，溅射气压的增大也会使溅射电压有所卜.降，这两方面的作用使得溅射到衬底上的粒子的能量和表面扩散迁移率降低，不利于Ti0?成膜结
27、晶，生成的TiOj多为非晶态。较低的气压.易于金红石结构的形成，假如气压过低，溅射过程不稳定，甚至不能放电，只有溅射气压适中时才有利于锐钛矿结构的形成。OkinRIraw等说明金红石相是由TT和反应生成的，当总气压较低时高能电子及Ti和6发生非弹性碰撞产生了大量的Ti和（）;，而且在低的总气压下，高能粒子能够在无碰撞的状况下到达基底,所以在低气压下金红石相的Tio2生多；而锐钛矿相是由中性的Ti原子及中性的02或反应生成的，当总气压较高时，不但增加了气体粒子的密度和粒子的碰撞次数，而且也降低了阴极靶的电压，粒子的加速和粒了的能量便降低了，因此粒子的离化率较低，在真空室内的气体成分中，中性的6或
28、较多，这样在高气压卜锐钛矿相的Tia便生成的较多。有很多探讨者在2.0Pa0.8Pa范围内，都制备出锐钛矿薄膜”二所以，本文依据OkimUra的说明，结合所用系统磁场强度较强的实际状况，选用较高的2.OPa作为溅射总气压并得到良好的试验效果。4.4 氧瀛比对薄膜亲水性的影响表4.4是94W的薄膜随氧氮比变更薄膜亲水性状况,这些薄膜的制备条件如表4.3所示。从表4.4知,本文在藤敏比1:306:30范围内获得良好的亲水薄膜，而在乳敏比2：3处得到的薄膜亲水效果最好。从图4.1反应模式曲线可知这些氧僦比薄膜是在反应模式阶段制备的。在反应模式阶段薄膜的的相对电压稳定，溅射量和沉积速率相对较低，能够获
29、得符合化学计量比的薄膜。表4.494W系列薄膜随氧氮比变更的亲水性性能氧负比变更3:302:301:306:30未光照的水滴直径d(mm)11121011光照2min后水滴直径d(mm)1315M13.5晶体的形成主要是由基底温度和到达基底的粒子的能量确定的，由于样品的基底温度相同，因此起确定作用的就是到达基底的粒子的能量.。氧分压增加的结果一方面使得氧气含量增加，由靶溅射出来的粒子受气体分子碰撞的概率变大，从而使到达基底的粒子能量降低；另一方面又会引起溅射电压的增加，从而使溅射粒子的能量增加。在氧流量很小时，由于增加的氧气主要是参及靶氧化，因而溅射粒子由于及气体碰撞而损失的能量较小，并且由于
30、溅射电压的增加，溅射粒子的初始动能也增大，这两种作用总的结果是使到达基底上的粒子能量较大因而易于成膜。但在这种条件沉积的薄膜氧缺陷较多，影响薄膜结晶。氧气分压的大小对镀膜速率的影响很大，而镀膜速率又影响薄膜表面晶体颗粒的长大。随着氧分压的增大，由于靶材的氧化使镀膜速率降低，因此，溅射到基片表面的原子就有足够的时间发生垂排形成大的晶粒，且晶粒少而不规则。相同溅射电流时，工作气体中氧氯比大时，则溅射电压大（等离子体中Ar相对削减）溅射出的靶粒子能量较大而易于成膜。从表4.4中知，氧氤比2:30的薄膜效果最好，说明氧的含量太高或太低都不利于薄膜的结晶,在比较适中的氧氮比下才有利于锐钛矿型TiO,薄膜
31、的生成。4.5 5基片温度对薄膜性能的影响表4.5基片温度400C制备TiOj薄膜的相关条件功率基片温度工作气压溅射时问氧氮比变更范围退火条件94W4002.0Pa2.0h2:30,3:30450C空气退火2h当只变更基片温度为400C其他制备条件不变时,如表4.5所示，及基片温度300C相应氧氮比的薄膜比较，基片温度400的薄膜的亲水效果明显好于300nC,如表4.6所示：氧氮比2:30的薄膜在紫外光照2Inin后水滴最大直径达到16nun：氧氮比3:30的薄膜在紫外光照2min后水滴最大直径达15mm。表4.6不同基片温度下的薄膜的亲水效果基片温度300C的样品基片温度400C的样品样品的
32、氧氮比2:303:302:303:30紫外光照2min的水滴直径(mm)15131614基片温度通过影响薄膜表面结构、形貌及粗糙度的变更，进而影响薄膜的表面性能。依据薄膜生长的扩散原理观点：在100OC至300C制备的TiO,薄膜，因为溅射粒子在薄膜表面沉积的动能较小，扩散实力差，粒子在沉积过程中简单表现出三维的岛状生长，使得薄膜表面由很多球冠状的小岛组成，呈浑圆状，出现团聚，而在有些位置则可能出现较大的空洞。同时，沉积的晶核来不及选择最佳的取向，得不到取向一样的晶核；基片温度在300C至500C时，由于基片热效应，钛原子能够反应充分，薄膜粒子的扩散实力增加，岛及岛之间相连，空洞被填充，薄膜变
33、得致密，晶核起先生长，并出现择优生长的晶面，从而使薄膜表面颗粒的形貌由浑圆状向柱状转变。很多探讨者的文献报道1,91，衬底温度在室温时，生成的薄膜基本上为非晶态，当衬底温度加热到300C及400C时，有明显的锐钛矿生成。同时基片温度上升导致粗糙度增大，表面形貌发生变更，使薄膜及水的接触角渐渐降低，利于改善薄膜的亲水性能。不同基片温度下，薄膜的紫外可见透射光谱产生明显的“红移”现象。这可能是及量子尺寸有关。当基片温度上升，促进了薄膜中晶体的生长，原团簇颗粒分化生成粒径较小的晶粒，由于量子尺寸效应使得汲取边向长波方向移动，薄膜的表面形貌如图4.2所示。所以，在300的基片温度下制备的TiO?薄膜拥
34、有良好的亲水效果，但当温度上升400C时亲水效果更好。图4.2二氧化钛薄膜形貌图(SEM)4.6热处理对薄膜性能的影响表4.7薄膜的退火条件退火设备退火温度气氛保温时间SKTT2型电阻炉4501,C空气2小时当未退火薄膜做亲水性检测时，亲水效果很差水滴宜径在45mm；薄膜的退火条件如表4.7所示，在450空气气氛保温2小时TiOJ薄膜亲水效果明显，亲水效果如表4.4所示。一般认为锐钛矿相的TiO2薄膜比金红石相的薄膜有较高的光催化活性。因此，在制备过程中热处理温度的限制也是关键技术之一。当热处理温度低于400C时，TiO2以非晶态存在，400C时有少量锐钛矿结构生成，450C时完全为锐钛矿结构
35、,随着温度提高，起先出现金红石相的衍射峰并渐渐增加，在70()C两相共存，到达800C后几乎为单一的金红石型。当锐钛矿和金红石共存时，可通过下式计算晶相中锐钛矿的质量分数W,=1/(1+1.265Ih/Ia)Ia,Ih分别为锐钛矿和金红石的最强衍射峰强度构。薄膜退火温度对晶粒形成和生长的大小有明显的影响。温度越高,薄膜沉枳的晶粒粒径就越大。薄膜在退火过程中，能够获得足够的自由能进行表面迁移，获得足够的能量相互团聚和生长，发生结晶或再结晶现象，从而进行晶体结构重构，表面粒子粒径也会因薄膜的热处理温度不同而有所不同，形成相貌也不同，对薄膜的晶体结构有肯定的影响。热处理温度卜脆影响薄膜的晶型、晶粒大
36、小和比表面积，进而影响薄膜的光催化性能，因此，薄膜经过不同温度的热处理，光催化活性不同。当温度过低时，Tia薄膜中部分有机物未完全分解而炭化，覆盖了部分活性中心，使Ti(I,薄膜的光催化活性低，此时TiO,薄膜主要以光催化活性很低的无定型为主。随着温度的上升，有机物被充分灼烧掉而且TiO,也主要转变为光催化活性较高的锐钛矿型，光催化活性得到提高；当温度进一步上升时，晶粒不断增大，比表而积则由于微孔被烧结以及晶粒增大等因素而减小，晶型由锐钛矿型向金红石型转化，导致TiOj薄膜的光催化活性降低。退火温度低于450C时结晶性差，退火温度较高时，向锐钛矿结构转化快，结晶好，成膜坚固。但当温度高70()
37、C时，金红石相出现，且生长很快。所以，450空气退火保温2小时能够获得良好亲水效果。结论直流反应磁控溅射法胜利制备了良好亲水性的TiG薄膜,制备参数如基片温度、溅射气压、氧分压、退火温度等对薄膜的结构、形貌及其亲水效果都有肯定的影响。试验中得出溅射过程的反应模式工作曲线。在基片加热到300或400,经450空气退火处理后就可沉枳出结晶良好的锐钛矿Tia薄膜。我们在94N的功率卜探讨基片温度和氧流量对薄膜性能的影响，并得出了最佳制备工艺。最终得到最佳制备工艺：工作气压2.OPa,基片温度400,溅射功率94W,氧敏比2:30,空气退火2小时。谢辞本论文的探讨工作是在方应翠副教授的悉心指导和帮助下
38、完成的。方应翠老师不仅在探讨上赐予谆谆教育，还在学习和生活上赐予了热心关怀和帮助。她仔细严谨的科研作风、忘我的工作精神，以及对科学孜孜不倦的追求，谦逊的待人风格使我受益匪浅。在此，谨向导师致以最诚心的感谢和最崇高的敬意！其次感谢在高校传授给我学问以及给我帮助和激励的老师，同学和挚友，感谢你们！参考文献1HondaK,FujishimaA.Nature,1972,37:238.2吴志猛,伟强,黄闯.TW薄膜的制备方法及应用J.真空,2019,(2):19.3GeSenhUeSU.CalcinationofmetatianjumacidtotitaniumdioxidewhitepigmentsJ
39、.ChemEngTechn,2019,24(7):685.4何建波,张鑫,魏凤玉,等.TiO?薄膜晶相组成时苯胺光催化降解的影响J应用化学,2019,16(5):57.5Jing1.Q,XuZ1.ThesurfacepropertiesandPhotocatalyticactivitiesofZnOultratineparticlesJ.pplSurfSci,2019,180(324):308.6刘宝峰,赵晓旭,金立国.纳米二氧化钛光催化薄膜的研制J.哈尔滨理工高校学报,2019,8(5):93.7KimJS,JooHK,1.eeTK,etal.Photocatalyticactivityof
40、TiO2filmspreservedunderdifferentConditionsithegasphasephotocatalyticdegradationreactionoftFichloroethyleneJ1.JCatalysis,2000,194:484.8唐达培，高庆,江晓禹.TiO,薄膜的结构和光催化活性探讨J.材料导报,2019,20(4):62-64.9黄艳娥,堀行松.纳米二氧化钛光催化降解水中有机物的探讨进展J.化工环保,2019,22(1):23.10 M.H.Suhail,G.MohanRao,S.Mohan,J.App1.Phys.,71(1992),1421.11
41、G.MohanRao,S.Mohan,J.Appl.Phys.,69(1991),6652.12 KirchhoffV,koteT,etal.J.SurfaceandCoatingsTechnology.2019(98):828-833.13王贺权，巴德纯.总气压对直流反应磁控溅射制备TiS,薄膜的光学性质的影响影.真空科学及技术学报,2019,25(1)：65-68.14OkimuraK,ShibataA,MaeclaNetal.ApplPhys,1995,34:4950.15孟或权,主君,何磊修.TiO二薄膜的制备及结构探讨J.半导体报,2019,20(5):395-398.口6王赞权,沈
42、辉等.氧流量对直流反应磁控溅射制备TiO,薄膜的光学性质的影响J.2019,44(6):36-39.17 P.1.obbl,M.Huppertz,D.Mergel.NucletionandgrowthinTiO2filmspreparedbysputteringandevaperationJ.ThinSolidFilms.1994(251):72-79.18吴自勤,王兵.薄膜生长M.北京:科学出版社社，2019,9:141168.19黄朱刚,康敏等.基片温度对Ti0,薄膜表面形貌和性能的影响J.材料及工程学报,2019,24(3):382-385.20MardareD,TascaM,DelibasM,etal.J.AppliedSurfaceScience,2000,156:200-206.21胡晓云,周引穗,高爱华,等.溶胶-凝胶方法制备的TiO,和SiO2光学薄膜的结构探讨J.光子学报,2000,29(8):730.
