晶闸管知识归纳总结.docx

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1、晶闸管知识归纳总结晶闸管(ThyriStor)是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极,阴极和门极；晶闸管工作条件为:加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为、VT表示(旧标准中用字母SCR表示)。晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。晶闸管与晶体管是有区别的晶体管：晶体管(transistor)是一种固体半导

2、体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，晶体管与晶闸管的区别(1)晶体管(tranSiStor)是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay.switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达IooGHZ以上。（2）晶闸管又叫可控硅，有阳极、阴极和控制极，其内有四层PNPN半导体，三个PN结。控制极不加电压时，阳极（+）、阴极（一）间加正向电压不

3、导通，阴极（+）、阳极（）间加反向电压也不导通，分别称为正向阻断和反向阻断。阳极（+）、阴极（一）加正向电压，控制极（+）、阴极（一）加一电压触发，可控硅导导通，此时控制极去除触发电压，可控硅仍导通，称为触发导通。要想关断（不导通），只要电流小于维持电流Ok了，去除正向电压也能关断。晶闸管的四点工作特性晶闸管正常工作时的特性总结如下：1庠受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通。2座受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。3）晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。4）要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。晶闸管为半控型电力电子器件，它的工作条

4、件如下：1 .晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于反向阻断状态。2 .晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。这时晶闸管处于正向导通状态，这就是晶闸管的闸流特性，即可控特性。3 .晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。门极只起触发作用。4 .晶闸管在导通的情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。全控型晶闸管的工作条件：1 .晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于反向阻断状态。2 .晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压（或

5、电流）的情况下晶闸管才导通。这时晶闸管处于正向导通状态。3 .一旦晶闸管开始导通，它就被钳住在导通状态，而此时电流可以取消。晶闸管不能被门极关断，像一个二极管一样导通，直到电流降至零和有反向偏置电压作用在晶闸管上时，它才会截止。当晶闸管再次进入正向阻断状态后，允许门极在某个可控的时刻将晶闸管再次触发导通。晶闸管的导通条件1 .晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于关断状态。2 .晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。3 .晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。4 .晶闸管

6、在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。导通条件闸管导通的条件是阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在门极加正向触发电压，才能使其导通。门极所加正向触发脉冲的最小宽度，应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流，即擎住电流IL以上。导通后的晶闸管管压降很小。使导通了的晶闸管关断的条件是使流过晶闸管的电流减小至一个小的数值，即维持电流IH一下。其方法有二：1.减小正向阳极电压至一个数值以下，或加反向阳极电压。2、增加负载回路中的电阻。可控硅是四层三端器件，它有JLJ2、J3三个PN结图1,可以把它中间的NP分成两部分,构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极

7、管的复合管图2当可控硅承受正向阳极电压时，为使可控硅导铜，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门机电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Icl和Ic2;发射极电流相应为Ia和Ik;电流放大系数相应为al=IclIa和a2=Ic2Ikz设流过J2结的反相漏电电流为IcOz可控硅的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：Ia=Icl+Ic2+IcO11JcIa=alIa+a2Ik+IcO若门极电流为Ig则可控硅

8、阴极电流为Ik=Ia+Ig从而可以得出可控硅阳极电流为:I=(IcO+Iga2)/(l-(al+a2)(l-1)式硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数al和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。当可控硅承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式Q1)中，Ig=O,(al+a2)很小，故可控硅的阳极电流IaIcO晶闸关处于正向阻断状态。当可控硅在正向阳极电压下，从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结，从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结，并提高了PNP管的电流放大系数al,产生更大的极电极电流Icl流经NPN管的发射结。这

9、样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3,当al和a2随发射极电流增加而(al+a2)l时，式Q-I)中的分母l-(al+a2)0,因此提高了可控硅的阳极电流匕.这时，流过可控硅的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。可控硅已处于正向导通状态。式Q-I)中，在可控硅导通后，l-(al+a2)0,即使此时门极电流Ig=O,可控硅仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。可控硅在导通后门极已失去作用。在可控硅导通后，如果不断地减小电源电压或增大回路电阻，使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时，由于al和al迅速下降，当l-(al+a2)0时，可控硅恢复阻断状态。晶闸管检测方法1 .可控硅的特性。可控硅分单向

10、可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有第一阳极Al(Tl),第二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚。只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态，阳极A与阴极K间压降约IV。单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变(交流过零)时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压，仍

11、需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。双向可控硅第一阳极Al与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极Al间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。此时ALA2间压降也约为IV。双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或ALA2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。2 .单向可控硅的检测。万用表选电阻R*1Q挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间

12、正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极Ao此时将黑表笔接已判断了的阳极A,红表笔仍接阴极Ko此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A和控制极G,此时万用表电阻挡指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。3 .双向可控硅的检测。用万用表电阻R*1Q挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极AI和控制极G,另一空脚即为第二阳极A2o确定ALG极后，再仔细测量AL

13、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极Al,红表笔所接引脚为控制极Go将黑表笔接已确定的第二阳极A2,红表笔接第一阳极Al,此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、Al间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2,黑表笔接第一阳极Alo同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，ALA2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧

14、姆左右。符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。检测较大功率可控硅时,需要在万用表黑笔中串接一节L5V干电池，以提高触发电压。4 .晶闸管（可控硅）的管脚判别晶闸管管脚的判别可用下述方法：先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值,阻值小的两脚分别为控制极和阴极,所剩的一脚为阳极。再将万用表置于R*10K挡，用手指捏住阳极和另一脚，且不让两脚接触，黑表笔接阳极，红表笔接剩下的一脚，如表针向右摆动，说明红表笔所接为阴极，不摆动则为控制极。晶闸管分类晶闸管有多种分类方法。（一）按关断、导通及控制方式分类晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关

15、断晶闸管（GT。）、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。（二）按引脚和极性分类晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。（三）按封装形式分类晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中，金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。（四）按电流容量分类晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常，大功率晶闸管多采用金属壳封装，而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装。（五）按关断速度分类晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频（快速）晶闸管更具体点分类如

16、下晶闸管有多种分类方法。（一）按关断、导通及控制方式分类晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管（GTO）、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。（二）按引脚和极性分类晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。（三）按封装形式分类晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中，金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。（四）按电流容量分类晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常，大功率晶闸管多采用金属壳封

17、装，而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装。（五）按关断速度分类晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频（快速）晶闸管。晶闸管的工作原理晶闸管T在工作过程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。晶闸管的工作条件：1 .晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于关断状态。2 .晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。3 .晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。4 .晶闸管在导通情况下，当主回

18、路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。从晶闸管的内部分析工作过程：晶闸管是四层三端器件，它有JLJ2、J3三个PN结图1,可以把它中间的NP分成两部分,构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2当晶闸管承受正向阳极电压时，为使晶闸管导通，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门机电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Icl和Ic2;发射极电流相应为Ia和Ik;电流放大系数相应为al=IclIa

19、和a2=Ic2Ik,设流过J2结的反相漏电电流为IcOz晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：Ia=Icl+Ic2+IcO11JcIa=alIa+a2Ik+IcO若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig从而可以得出晶闸管阳极电流为:I=(IcO+Iga2)/(l-(al+a2)(1一1)式硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数al和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。当晶闸管承受正向阳极电压而门极未受电压的情况下式1-1)中，Ig=O,(al+a2)很小，故晶闸管的阳极电流IaIcO晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下，从门极G流入电流Ig,由

20、于足够大的Ig流经NPN管的发射结，从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结，并提高了PNP管的电流放大系数al,产生更大的极电极电流Icl流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3,当al和a2随发射极电流增加而(al+a2)1时，式(11)中的分母I-(al+a2)0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时，流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。式(I-I)中，在晶闸管导通后，1-(ala2)O,即使此时门极电流Ig=O,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。晶闸管在导通后，门极已失去作用。在晶闸

21、管导通后，如果不断地减小电源电压或增大回路电阻，使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时，由于al和al迅速下降，当1-(ala2)0时，晶闸管恢复阻断状态。可关断晶闸管GTO(GateTUrn-OffThyriStor)亦称门控晶闸管。其主要特点为，当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。前已述及，普通晶闸管(SCR)靠门极正信号触发之后，撤掉信号亦能维持通态。欲使之关断，必须切断电源，使正向电流低于维持电流IH,或施以反向电压强近关断。这就需要增加换向电路，不仅使设备的体积重量增大，而且会降低效率，产生波形失真和噪声。可关断晶闸管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点，以具

22、有自关断能力，使用方便，是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管(GTR),只是工作频率比GTR低。目前，GTO已达至(J3000A、450OV的容量。大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域，显示出强大的生命力。可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件，其结构及等效电路和普通晶闸管相同，因此图1仅绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成模块形式。尽管GTO与SCR的触发导通原理相同，但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即处于深度饱和状态，而GTO在导通后只能达到临界饱和，所以GTO门极上加负向触发信号即可

23、关断。GTO的一个重要参数就是关断增益，0off,它等于阳极最大可关断电流IATM与门极最大负向电流IGM之比，有公式off=IATMIGMoff一般为几倍至几十倍。off值愈大，说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然，off与昌盛的hFE参数颇有相似之处。下面分别介绍利用万用表判定GTO电极、检查GTO的触发能力和关断能力、估测关断增益Boff的方法。1 .判定GTO的电极将万用表拨至RXI档，测量任意两脚间的电阻，仅当黑表笔接G极，红表笔接K极时，电阻呈低阻值，对其它情况电阻值均为无穷大。由此可迅速判定G、K极，剩下的就是A极。2 .检查触发能力如图2(a)所示，首先将表I的黑表笔接

24、A极，红表笔接K极，电阻为无穷大；然后用黑表笔尖也同时接触G极，加上正向触发信号，表针向右偏转到低阻值即表明GTO已经导通；最后脱开G极，只要GTO维持通态，就说明被测管具有触发能力。3 .检查关断能力现采用双表法检查GTO的关断能力，如图2(b)所示，表I的档位及接法保持不变。将表11拨于R10档，红表笔接G极，黑表笔接K极，施以负向触发信号，如果表I的指针向左摆到无穷大位置，证明GTO具有关断能力。4 .估测关断增益Boff进行到第3步时，先不接入表11,记下在GTO导通时表I的正向偏转格数nl；再接上表11强迫GTO关断，记下表11的正向偏转格数2o最后根据读取电流法按下式估算关断增益：

25、off=IATMIGMIATIG=Klnl/K2n2式中K1一表I在RXI档的电流比例系数；K2一表11在RxlO档的电流比例系数。off10nl/n2此式的优点是，不需要具体计算IATxIG之值，只要读出二者所对应的表针正向偏转格数，即可迅速估测关断增益值。注意事项：(1应检查大功率GTO器件时,建议在RXl档外边串联一节1.5V电池EL以提高测试电压和测试电流，使GTO可靠地导通。(2)要准确测量GTO的关断增益Boff,必须有专用测试设备。但在业余条件下可用上述方法进行估测。由于测试条件不同，测量结果仅供参考，或作为相对比较的依据。逆导晶闸管RCT(Reverse-ConducTI社区”

26、TIngThyrisTI社区”TIr）亦称反向导通晶闸管。其特点是在晶闸管的阳极与阴极之间反向并联一只二极管，使阳极与阴极的发射结均呈短路状态。由于这种特殊电路结构，使之具有耐高压、耐高温、关断时间短、通态电压低等优良性能。例如，逆导晶闸管的关断时间仅几微秒，工作频率达几十千赫，优于快速晶闸管（FSCR）o该器件适用于开关电源、UPS不间断电源中，一只RCT即可代替晶闸管和续流二极管各一只，不仅使用方便，而且能简化电路设计。逆导晶闸管的符号、等效电路如图1（a）、（b）所示。其伏安特性见图2o由图显见，逆导晶闸管的伏安特性具有不对称性，正向特性与普通晶闸管SCR相同，而反向特性与硅整流管的正向

27、特性相同（仅坐标位置不同）。逆导晶闸管的典型产品有美国无线电公司RCA注产的S3900MF,其外形见图1。它采用TO-220封装，三个引出端分别是门极G、阳极A、阴极K。S3900MF的主要参数如下：断态重复峰值电压VDRM:750V通态平均电流IT（AV）:5A最大通态电压VT:3V（IT=30A）最大反向导通电压VTR:0.8V最大门极触发电压VGT:4V最大门极触发电流IGTNOmA关断时间toff2.4s通态电压临界上升率du/dt:120V/ps通态浪涌电流FrSM:80A利用万用表和兆欧表可以检查逆导晶闸管的好坏。测试内容主要分三项：1 .检查逆导性选择万用表RXI档黑表笔接K极红

28、表笔接A极(参见图3(a),电阻值应为5-10o若阻值为零，证明内部二极管短路；电阻为无穷大，说明二极管开路。2 .测量正向直流转折电压V(BO)按照(b)图接好电路，再按额定转速摇兆欧表，使RCT正向击穿，由直流电压表上读出V(BO)值。3 .检查触发能力实例：使用500型万用表和ZC25-3型兆欧表测量一只S3900MF型逆导晶闸管。依次选择RXlk、RXlo0、RXlO和RXl档测量A-K极间反向电阻，同时用读取电压法求出出内部二极管的反向导通电压VTR(实际是二极管正向电压VF)o再用兆欧表和万用表500VDC档测得V(Bo)值。全部数据整理成表Io由此证明被测RCT质量良好。注意事项

29、：(1) S3900MF的VTR0.8V,直选RXl档测量。(2)若再用读取电流法求出ITR值，还可以绘制反向伏安特性。一般小功率晶闸管不需加散热片，但应远离发热元件，如大功率电阻、大功率三极管以及电源变压器等。对于大功率晶闸管，必须按手册中的要求加装散热装置及冷却条件，以保证管子工作时的温度不超过一口/JIIL。晶闸管在使用中发生超越和短路现象时，会引发过电流将管子烧毁。对于过电流，一般可在交流电源中加装快速保险丝加以保护。快速保险丝的熔断时间极短，一般保险丝的额定电流用晶闸管额定平均电流的L5倍来选择。交流电源在接通与断开时，有可能在晶闸管的导通或阻断对出现过压现象,将管子击穿。对于过电压

30、,可采用并联RC吸收电路的方法。因为电容两端的电压不能突变，所以只要在晶闸管的阴极及阳极间并取RC电路,就可以削弱电源瞬间出现的过电压,起到保护晶闸管的作用。当然也可以采用压敏电阻过压保护元件进行过压保护。可控硅的使用注意事项选用可控硅的额定电压时，应参考实际工作条件下的峰值电压的大小，并留出一定的余量。1.选用可控硅的额定电流时，除了考虑通过元件的平均电流外，还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。2、使用可控硅之前，应该用万用表检查可控硅是否良好。发现有短路或断路现象时，应立即更换。3、严禁用兆欧表（即摇表）检查元件的绝缘情况。

31、4、电流为5A以上的可控硅要装散热器，并且保证所规定的冷却条件。为保证散热器与可控硅管心接触良好，它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂，以帮于良好的散热。5、按规定对主电路中的可控硅采用过压及过流保护装置。6、要防止可控硅控制极的正向过载和反向击穿。交流晶闸管调压电路的输出电流必须是断续的晶闸管调压电路的晶闸管，在触发脉冲的作用下导通，在过零点时关断，也就是说在流过晶闸管的电流小于维持电流时关断，所以流过晶闸管的电流必须是断续的，才能是可控的，（可调的）。其实即使是直流晶闸管调压电路（可控整流电路），对于每个晶闸管来说也是断续的，电流最好是连续的说的是输出电流，因输出电流在换流（从一个晶闸管导通

32、，换到另一个晶闸管导通）作用下，和续流（从一个晶闸管导通，换到续流管导通）作用下，形成连续的输出电流。晶闸管的选用技巧1.选择晶闸管的类型晶闸管有多种类型，应根据应用电路的具体要求合理选用。若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等，可选用普通晶闸管。若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中，应选用双向晶闸管。若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等，可选用门极关断晶闸管。若用于锯齿波生发器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等,可选用BTG晶闸管。若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路，可选用逆导晶闸管。若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路，可选用光控晶闸管。2.选择晶闸管的主要参数晶闸管的主要参数应根据应用电路的具体要求而定。所选晶闸管应留有一定的功率裕量,其额定峰值电压和额定电流（通态平均电流）均应高于受控电路的最大工作电压和最大工作电流L52倍。晶闸管的正向压降、门极触发电流及触发电压等参数应符合应用电路（指门极地控制电路）的各项要求，不能偏高或偏低，否则会影响晶闸管的正常工作。